一种LED芯片及其制作方法技术

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片中，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述反射镜结构与所述P电极至少部分交叠，且位于所述反射镜结构与所述P电极之间的钝化层为绝缘层，因此，所述P电极、所述钝化层以及所述反射镜结构可以构成的三明治结构的平板型寄生电容，又因为所述P电极与所述N电极之间具有结电容，且所述反射镜结构与所述N电极电连接，因此，所述P电极与所述反射镜结构之间形成的电容和P电极与N电极之间形成的结电容并联，增大了LED芯片的整体电容，从而可以提高LED芯片抗ESD静电击穿的能力。从而可以提高LED芯片抗ESD静电击穿的能力。从而可以提高LED芯片抗ESD静电击穿的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法


[0001]本申请涉及LED
，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着CSP(Chip Scale Package，即芯片级封装)等技术的引入，LED封装朝着体积更小、功率密度更高、散热更好的方向不断进步。其中，具有透明衬底的倒装(Flip Chip)MiniLED芯片由于封装时无焊线、出光效率高、封装尺寸小、可靠性高的优势，成为LED芯片的重要发展方向。
[0003]但是，随着Flip Chip结构的LED芯片向MiniLED以及Micro LED芯片发展，LED芯片尺寸不断缩小，LED芯片的结电容也随之大幅度减小。小尺寸LED芯片容易被ESD静电击穿的问题变得严重了。因此，如何在有限的芯片面积上增大LED芯片的结电容，降低LED芯片被静电击穿的概率成为本领域技术人员的研究热点。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，以有限的芯片面积上增大LED芯片的结电容，降低LED芯片被静电击穿的概率。
[0005]为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：
[0006]一种LED芯片，包括：
[0007]透明衬底；
[0008]位于所述透明衬底第一侧的外延结构，所述外延结构包括层叠的P型窗口层、P型限制层、多量子阱有源层、N型限制层、N型电流扩展层和N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层位于所述N型电流扩展层表面部分区域；
[0009]位于所述外延结构远离所述衬底一侧的反射镜结构，所述反射镜结构覆盖所述N型欧姆接触层和所述N型电流扩展层，且与所述N型欧姆接触层电连接；
[0010]贯穿所述反射镜结构以及所述外延结构中的部分结构，延伸至所述P型窗口层内的第一通孔；
[0011]位于所述第一通孔底部的P电极欧姆接触层；
[0012]覆盖所述反射镜结构表面以及所述第一通孔侧壁的钝化层，所述钝化层还具有贯穿孔，所述贯穿孔曝露所述反射镜结构部分表面；
[0013]通过所述第一通孔与所述P电极欧姆接触层电连接的P电极以及通过所述贯穿孔与所述N电极电连接的N电极；
[0014]其中，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述P电极与所述反射镜结构至少部分交叠。
[0015]可选的，所述钝化层为High
‑
K绝缘层。
[0016]可选的，所述P电极欧姆接触层沿第一方向延伸，所述N型欧姆接触层沿所述第一方向延伸，所述P电极欧姆接触层和所述N型欧姆接触层在第二方向上相对设置，所述第一
方向和所述第二方向平行于所述透明衬底所在平面，且所述第一方向和所述第二方向垂直。
[0017]可选的，所述反射镜结构包括:
[0018]位于所述N型电流扩展层表面的ODR介质膜层，所述ODR介质膜层为绝缘介质膜；
[0019]以及覆盖所述N型欧姆接触层和所述ODR介质膜层的ODR金属反射层。
[0020]可选的，所述ODR金属反射层在所述透明衬底所在平面上的投影小于所述外延结构在所述透明衬底所在平面上的投影。
[0021]可选的，所述P电极欧姆接触层在所述透明衬底所在平面上的投影与所述LED芯片的四个角在所述透明衬底所在平面上的投影没有交叠。
[0022]一种LED芯片的制作方法，该方法包括：
[0023]在透明衬底上形成外延结构，所述外延结构包括层叠的P型窗口层、P型限制层、多量子阱有源层、N型限制层、N型电流扩展层和N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层位于所述N型电流扩展层表面部分区域；
[0024]形成贯穿所述外延结构中的部分结构，延伸至所述P型窗口层内的第一通孔，并在所述第一通孔底部形成P电极欧姆接触层；
[0025]在所述外延结构远离所述衬底一侧形成反射镜结构，所述反射镜结构覆盖所述N型欧姆接触层和所述N型电流扩展层，且与所述N型欧姆接触层电连接；
[0026]形成覆盖所述反射镜结构表面以及所述第一通孔侧壁的钝化层，所述钝化层还具有贯穿孔，所述贯穿孔曝露所述反射镜结构部分表面；
[0027]形成P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P电极欧姆接触层电连接，所述N电极通过所述贯穿孔与所述N电极电连接；
[0028]其中，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述P电极与所述反射镜结构至少部分交叠。
[0029]可选的，在所述外延结构远离所述衬底一侧形成反射镜结构，所述反射镜结构覆盖所述N型欧姆接触层和所述N型电流扩展层，且与所述N型欧姆接触层电连接包括：
[0030]在所述N型欧姆接触层远离所述N型电流扩展层一侧形成ODR介质膜层；
[0031]在所述ODR介质膜层中形成贯穿孔，所述贯穿孔曝露所述N型欧姆接触层，即所述ODR介质膜层与所述N型欧姆接触层构成互补图形；
[0032]在所述ODR介质膜层表面形成第三光刻胶层；
[0033]对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，定义出ODR金属反射层区域，所述ODR金属反射层区域包括N型欧姆接触层所在区域；
[0034]在所述ODR金属反射层区域形成ODR金属反射层；
[0035]去除所述第三光刻胶层。
[0036]可选的，该方法还包括：对所述ODR金属反射层进行退火。
[0037]可选的，所述ODR介质膜层和N型欧姆接触层共用同一光刻胶层。
[0038]与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
[0039]本申请实施例所提供的技术方案中，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述反射镜结构与所述P电极至少部分交叠，且位于所述反射镜结构与所述P电极之间的钝化层为绝缘层，因此，所述P电极、所述钝化层以及所述反射镜结构可以构成的三明治结构
的平板型寄生电容，又因为所述P电极与所述N电极之间具有结电容，且所述反射镜结构与所述N电极电连接，因此，所述P电极与所述反射镜结构之间形成的电容和P电极与N电极之间形成的结电容并联，增大了LED芯片的整体电容，从而可以提高LED芯片抗ESD静电击穿的能力。
[0040]而且，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述反射镜结构与所述P电极至少部分交叠，即将所述反射镜结构延伸至所述P电极至少部分区域下方，可以增强所述LED芯片底部光的反射，是的MQW多量子阱有源层发射的光线尽可能从透明衬底一侧出射。
附图说明
[0041]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1为本申请一个实施例所提供的LED芯片的结构示意图；
[0043]图2为本申请一个实施例所提供的LED芯片的俯视图；
[0044]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：透明衬底；位于所述透明衬底第一侧的外延结构，所述外延结构包括层叠的P型窗口层、P型限制层、多量子阱有源层、N型限制层、N型电流扩展层和N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层位于所述N型电流扩展层表面部分区域；位于所述外延结构远离所述衬底一侧的反射镜结构，所述反射镜结构覆盖所述N型欧姆接触层和所述N型电流扩展层，且与所述N型欧姆接触层电连接；贯穿所述反射镜结构以及所述外延结构中的部分结构，延伸至所述P型窗口层内的第一通孔；位于所述第一通孔底部的P电极欧姆接触层；覆盖所述反射镜结构表面以及所述第一通孔侧壁的钝化层，所述钝化层还具有贯穿孔，所述贯穿孔曝露所述反射镜结构部分表面；通过所述第一通孔与所述P电极欧姆接触层电连接的P电极以及通过所述贯穿孔与所述N电极电连接的N电极；其中，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述P电极与所述反射镜结构至少部分交叠。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层为High
‑
K绝缘层。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极欧姆接触层沿第一方向延伸，所述N型欧姆接触层沿所述第一方向延伸，所述P电极欧姆接触层和所述N型欧姆接触层在第二方向上相对设置，所述第一方向和所述第二方向平行于所述透明衬底所在平面，且所述第一方向和所述第二方向垂直。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述反射镜结构包括:位于所述N型电流扩展层表面的ODR介质膜层，所述ODR介质膜层为绝缘介质膜；以及覆盖所述N型欧姆接触层和所述ODR介质膜层的ODR金属反射层。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述ODR金属反射层在所述透明衬底所在平面上的投影小于所述外延结构在所述透明衬底所在平面上的投影。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极欧姆接触层在所述透明衬底所在平面上的投影与所述LED芯片的四个角在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，马英杰，马祥柱，班国训，李皇，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：