一种高功率射频开关及射频通信装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括：发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明专利技术能够将接收支路各晶体管的栅宽设置为靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。增大靠近发射端口、天线端口的顶部晶体管的栅宽，减小关断阻抗，减小顶部晶体管分压时的源漏电势差。减小远离发射端口、天线端口的底部晶体管的栅宽，增大关断阻抗，增加底部晶体管分压时的源漏电势差。使各晶体管的源漏电势差均匀分布，避免了顶部晶体管首先达到击穿，提升了射频开关的发射功率处理能力。射功率处理能力。射功率处理能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率射频开关及射频通信装置


[0001]本专利技术涉及射频开关
，尤其涉及一种高功率射频开关及射频通信装置。

技术介绍

[0002]射频通信系统通常包括射频开关、发射模块、接收模块和共用的天线。射频开关作为射频通信系统中重要的控制部件，直接控制着射频通信系统中发射模式与接收模式之间的切换。例如，发射模式时，射频开关的发射支路控制开启发射模块，接收支路控制关闭接收模块，实现通过天线发射信号。无论是民用的WLAN、5G通信，还是军用的无线电、远距离探测雷达等应用，对射频开关的功率处理能力要求越来越高。
[0003]传统的射频开关通过晶体管堆叠的方式提高开关的功率处理能力，即提高射频开关功率耐受能力。晶体管堆叠的方式是将多个相同的晶体管串联连接、构成接收支路，通过降低单个晶体管上的压降从而提高射频开关功率耐受能力。但是当射频开关工作在发射模式时，处于关闭状态的接收支路受发射端口和天线端口的高功率泄漏信号的影响，晶体管堆叠结构的接收支路中顶部的晶体管容易达到击穿，限制了射频开关的发射功率处理能力。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率射频开关，其特征在于，包括：发射支路和接收支路；所述发射支路和接收支路并联后连接外部天线；所述接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。2.如权利要求1所述的高功率射频开关，其特征在于，在各相邻的两晶体管中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。3.如权利要求2所述的高功率射频开关，其特征在于，沿靠近外部天线向远离外部天线的方向，各相邻晶体管的栅宽的差异逐渐减小。4.如权利要求3所述的高功率射频开关，其特征在于，沿靠近外部天线向远离外部天线的方向，各晶体管的栅宽依次按指数减小。5.如权利要求2所述的高功率射频开关，其特征在于，各相邻晶体管的栅宽的差异相同。6.如权利要求1所述的高功率射频开关，其特征在于，根据以下公式确定各晶体管的栅宽：其中，R
OFF
为晶体管截止状态阻抗，L为晶体管的栅长，W...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，王绍权，江浩，王磊，王梦坦，周彪，宋学峰，徐永祥，张凯娟，庞龙，李增路，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：