移相器、移相器阵列、天线及电子设备制造技术

本公开提供一种移相器、移相器阵列、天线及电子设备，属于通信技术领域。本公开的移相器，其包括第一介质基板、第二介质基板、可调电介质层，第一参考电极、第二参考电极、信号电极、多个第一分支结构；第一介质基板和第二介质基板相对设置，第一参考电极和第二参考电极设置在第一介质基板上，信号电极在第一介质基板上的正投影位于第一参考电极和第二参考电极在第一介质基板上的正投影之间；多个第一分支结构设置在第二介质基板靠近可调电介质层的一侧，且多个第一分支结构沿信号电极的延伸方向并排设置；多个第一分支结构中的每个均包括第一端部和第二端部，且第一分支结构的第一端部与第一参考电极在第一介质基板的正投影重叠；第一分支结构的第二端部与第二参考电极在第一介质基板的正投影重叠。在第一介质基板的正投影重叠。在第一介质基板的正投影重叠。

【技术实现步骤摘要】
移相器、移相器阵列、天线及电子设备


[0001]本公开属于通信
，具体涉及一种移相器、移相器阵列、天线及电子设备。

技术介绍

[0002]现今的液晶移相器结构，在对盒后的上玻璃基板引入周期性的贴片电容加载，可变电容的调节是通过调节异面两金属板上加载的电压差驱动液晶分子偏转，得到不同的液晶材料特性，对应到电容的容值可变。共表面波导(CPW)结构因其接地电极和信号电极在同一平面内，更易于结构的连接设计，可以省掉玻璃打孔的功能需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器、移相器阵列、天线及电子设备。
[0004]本公开实施例提供一种移相器，其包括第一介质基板、第二介质基板、可调电介质层，第一参考电极、第二参考电极、信号电极、多个第一分支结构；
[0005]所述第一介质基板和所述第二介质基板相对设置，所述第一参考电极和所述第二参考电极设置在所述第一介质基板上，所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影位于所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一介质基板上的正投影之间；所述多个第一分支结构设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，且所述多个第一分支结构沿所述信号电极的延伸方向并排设置；
[0006]所述多个第一分支结构中的每个均包括第一端部和第二端部，且所述第一分支结构的第一端部与所述第一参考电极在所述第一介质基板的正投影重叠；所述第一分支结构的第二端部与所述第二参考电极在所述第一介质基板的正投影重叠。
[0007]其中，所述第一分支结构包括第一子分支和第二子分支，所述信号电极设置在所述第二介质基板上，且所述第一分支结构的第一子分支和第二子分支通过所述信号电极电连接；
[0008]对于一个所述第一分支结构，所述第一子分支背离所述信号电极的一端与所述第一参考电极在所述第一介质基板上的正投影重叠，所述第二子分支背离所述信号电极的一端与所述第二参考电极在所述第一介质基板上的正投影重叠。
[0009]其中，所述第一分支结构包括第一子分支和第二子分支，所述信号电极设置在所述第一介质基板上；
[0010]对于一个所述第一分支结构，所述第一子分支的两端分别与所述第一参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影重叠，所述第二子分支的两端分别与所述第二参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影重叠。
[0011]其中，相邻设置的所述第一子分支之间通过第一连接线电连接，相邻设置的所述第二子分支之间通过第二连接线电连接；任一所述第一连接线通过第二桥接线与任一所述第二连接线电连接。
[0012]其中，所述第一参考电极包括第一主体结构和连接在所述第一主体结构延伸方向一侧的多个第二分支结构；所述第二参考电极包括第二主体结构和连接在所述第二主体结构延伸方向一侧的多个第三分支结构；
[0013]一个所述第一子分支与一个所述第二分支结构背离所述第一主体结构的一端在所述第一介质基板上正投影重叠；一个所述第二子分支与一个所述第三分支结构背离所述第二主体结构的一端在所述第一介质基板上正投影重叠。
[0014]其中，所述第一子分支与所述第二分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第一重叠区域，所述第二子分支与所述第三分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第二重叠区域；至少两个所述第一重叠区域的面积不等，和/或，至少两个所述第二重叠区域的面积不等。
[0015]其中，至少两个所述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
[0016]当至少两个所述第一重叠区域的面积不等时，至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。
[0017]其中，至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
[0018]当至少两个所述第一重叠区域的面积不等时，至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。
[0019]其中，至少两个所述第二子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
[0020]当至少两个所述第二重叠区域的面积不等时，至少两个所述第三分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第三分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第三分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第三分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。
[0021]其中，至少两个所述第三分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第三分支结构在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
[0022]当至少两个所述第二重叠区域的面积不等时，至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第二子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。
[0023]其中，所述第一子分支与所述第二分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第一重叠区域，所述第二子分支与所述第三分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第二重叠区域；至少两个所述第一重叠区域的面积相等，和/或，至少两
个所述第二重叠区域的面积相等。
[0024]其中，至少两个所述第一子分支的膜层相等，至少两个所述第二分支结构的膜厚不等；或者，至少两个所述第二分支结构的膜层相等，至少两个所述第一子分支的膜厚不等。
[0025]其中，至少两个所述第二子分支的膜层相等，至少两个所述第三分支结构的膜厚不等；或者，至少两个所述第三分支结构的膜层相等，至少两个所述第二子分支的膜厚不等。
[0026]其中，在所述第一介质基板上的正投影，与同一所述第一分支结构在所述第一介质基板上的正投影存在交叠的所述第二分支结构和所述第三分支结构，二者在沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度相等，且在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
[0027]所述第一分支结构的第一子分支结构和第二子分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度相等，且在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
[0028]至少两个所述第一子分支在沿垂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其包括第一介质基板、第二介质基板、可调电介质层，第一参考电极、第二参考电极、信号电极、多个第一分支结构；所述第一介质基板和所述第二介质基板相对设置，所述第一参考电极和所述第二参考电极设置在所述第一介质基板上，所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影位于所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一介质基板上的正投影之间；所述多个第一分支结构设置在所述第二介质基板靠近所述可调电介质层的一侧，且所述多个第一分支结构沿所述信号电极的延伸方向并排设置；所述多个第一分支结构中的每个包括第一端部和第二端部；且所述第一分支结构的第一端部与所述第一参考电极在所述第一介质基板的正投影重叠；所述第一分支结构的第二端部与所述第二参考电极在所述第一介质基板的正投影重叠。2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一分支结构包括第一子分支和第二子分支，所述信号电极设置在所述第二介质基板上，且所述第一分支结构的第一子分支和第二子分支通过所述信号电极电连接；对于一个所述第一分支结构，所述第一子分支背离所述信号电极的一端与所述第一参考电极在所述第一介质基板上的正投影重叠，所述第二子分支背离所述信号电极的一端与所述第二参考电极在所述第一介质基板上的正投影重叠。3.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一分支结构包括第一子分支和第二子分支，所述信号电极设置在所述第一介质基板上；对于一个所述第一分支结构，所述第一子分支的两端分别与所述第一参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影重叠，所述第二子分支的两端分别与所述第二参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影重叠。4.根据权利要求3所述的移相器，其中，相邻设置的所述第一子分支之间通过第一连接线电连接，相邻设置的所述第二子分支之间通过第二连接线电连接；任一所述第一连接线通过第二桥接线与任一所述第二连接线电连接。5.根据权利要求2
‑
4中任一项所述的移相器，其中，所述第一参考电极包括第一主体结构和连接在所述第一主体结构延伸方向一侧的多个第二分支结构；所述第二参考电极包括第二主体结构和连接在所述第二主体结构延伸方向一侧的多个第三分支结构；一个所述第一子分支与一个所述第二分支结构背离所述第一主体结构的一端在所述第一介质基板上正投影重叠；一个所述第二子分支与一个所述第三分支结构背离所述第二主体结构的一端在所述第一介质基板上正投影重叠。6.根据权利要求5所述的移相器，其中，所述第一子分支与所述第二分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第一重叠区域，所述第二子分支与所述第三分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第二重叠区域；至少两个所述第一重叠区域的面积不等，和/或，至少两个所述第二重叠区域的面积不等。7.根据权利要求6所述的移相器，其中，至少两个所述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；当至少两个所述第一重叠区域的面积不等时，至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸
方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。8.根据权利要求6所述的移相器，其中，至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；当至少两个所述第一重叠区域的面积不等时，至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。9.根据权利要求6所述的移相器，其中，至少两个所述第二子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；当至少两个所述第二重叠区域的面积不等时，至少两个所述第三分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第三分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第三分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第三分支结构在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。10.根据权利要求6所述的移相器，其中，至少两个所述第三分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度均相等，且至少两个所述第三分支结构在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；当至少两个所述第二重叠区域的面积不等时，至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度不等；和/或，至少两个所述第二子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向上的长度相等；至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极延伸方向上的长度不等。11.根据权利要求5所述的移相器，其中，所述第一子分支与所述第二分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第一重叠区域，所述第二子分支与所述第三分支结构在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域为第二重叠区域；至少两个所述第一重叠区域的面积相等，和/或，至少两个所述第二重叠区域的面积相等。12.根据权利要求11所述的移相器，其中，至少两个所述第一子分支的膜层相等，至少两个所述第二分支结构的膜厚不等；或者，至少两个所述第二分支结构的膜层相等，至少两个所述第一子分支的膜厚不等。13.根据权利要求11所述的移相器，其中，至少两个所述第二子分支的膜层相等，至少两个所述第三分支结构的膜厚不等；或者，至少两个所述第三分支结构的膜层相等，至少两个所述第二子分支的膜厚不等。14.根据权利要求11所述的移相器，其中，在所述第一介质基板上的正投影，与同一所述第一分支结构在所述第一介质基板上的正投影存在交叠的所述第二分支结构和所述第三分支结构，二者在沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度相等，且在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；所述第一分支结构的第一子分支结构和第二子分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度相等，且在沿所述信号电极延伸方向的长度相等；
至少两个所述述第一子分支在沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度相等，至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极延伸方向的长度不等；至少两个所述第二分支结构在沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度相等，至少两个所述第二分支结构在沿所述信号电极延伸方向的长度不等。15.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述信号电极设置在所述第一介质基板上，所述第一分支结构包括第一子分支、第二子分支，以及将第一子分支和第二子分支电连接的第三连接线；对于一个所述第一分支结构，所述第一子分支的两端分别与所述第一参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影重叠，所述第二子分支的两端分别与所述第二参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影重叠。16.根据权利要求15所述的移相器，其中，对于一个所述第一子分支，其与所述第一参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域分别为第三重叠区域和第四重叠区域；对于一个所述第二子分支，其与所述第二参考电极和所述信号电极在所述第一介质基板上的正投影的重叠区域分别为第五重叠区域和第六重叠区域；所述移相器满足以下条件至少之一：至少两个所述第三重叠区域的面积不等；至少两个所述第四重叠区域的面积不等；至少两个所述第五重叠区域的面积不等；至少两个所述第六重叠区域的面积不等。17.根据权利要求16所述的移相器，其中，当所述至少两个所述第三重叠区域的面积不等时，至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极的延伸方向的长度相等，至少两个所述第三重叠区域沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度不等；或者，至少两个所述第三重叠区域在沿垂直于所述信号电极的延伸方向的长度相等，至少两个第一子分支沿所述信号电极延伸方向的长度不等；当所述至少两个所述第四重叠区域的面积不等时，至少两个所述第一子分支在沿所述信号电极的延伸方向的长度相等，至少两个所述第四重叠区域沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度不等；或者，至少两个所述第四重叠区域在沿垂直于所述信号电极的延伸方向的长度相等，至少两个第一子分支沿所述信号电极延伸方向的长度不等；当所述至少两个所述第五重叠区域的面积不等时，至少两个所述第二子分支在沿所述信号电极的延伸方向的长度相等，至少两个所述第五重叠区域沿垂直于所述信号电极延伸方向的长度不等；或者，至少两个所述第五重叠区域在沿垂直于所述信号电极的延伸方向的长度相等，至少两个第二子分支沿所述信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾皓程，张志锋，王岩，陆岩，曹迪，冯国栋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：