【技术实现步骤摘要】
光固化树脂组合物及其应用
[0001]本专利技术涉及抗蚀剂材料制备
,具体而言,涉及一种光固化树脂组合物及其应用。
技术介绍
[0002]在印刷电路板(PCB)、引线框架(LF)、半导体封装(IC)基板的制造过程中,广泛使用感光性树脂组合物作为蚀刻或电镀的抗蚀剂材料,也称为感光干膜、干膜抗蚀剂等。感光干膜由PET支撑膜层、中间的感光抗蚀层和PE保护层叠构而成,通过光固化的方式进行图形转移并采用如下方法来制造:首先将感光性树脂组合物压合到铜板上;然后对感光性树脂组合物层的特定区域进行曝光;然后剥离支撑膜PET,并将未曝光区域用药液除去;再对形成有抗蚀图案的基板实施蚀刻并将抗蚀层剥离除去从而形成电路图案;或实施电镀处理,而后将抗蚀层剥离除去并对抗蚀层覆盖的金属面进行蚀刻而形成电路图案。
[0003]近年来在电子设备持续向着更轻、更薄的发展趋势下,BGA、CSP等半导体封装引脚设计得更加细小、密集化,承载它们的载板和PCB的线路更加细微化、高密度化。在半导体封装载板等
,特别是近年来流行的FC
‑ />BGA封装方式,本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光固化树脂组合物,其特征在于,按重量份计,所述光固化树脂组合物包括:45~60份碱溶性树脂、30~50份聚合单体和2.5~5份光引发剂;所述碱溶性树脂包括通式(I)、(II)和(III)所示化合物的混合物:各R1和各R2分别独立地选自氢原子或甲基;R'选自C2~C8的取代或未取代的烷基;以占所述通式(I)所示化合物的分子量的百分含量计,x1对应链段的含量为25~35wt%,y1对应链段的含量为65~75wt%;以占所述通式(II)所示化合物的分子量的百分含量计,x2对应链段的含量为20~35wt%,y2对应链段的含量为65~80wt%;以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为20~30wt%,y3对应链段的含量为70~80wt%。2.根据权利要求1所述的光固化树脂组合物,其特征在于,以占所述通式(I)所示化合物的分子量的百分含量计,x1对应链段的含量为27~33wt%,y1对应链段的含量为67~73wt%;以占所述通式(II)所示化合物的分子量的百分含量计,x2对应链段的含量为25~33wt%,y2对应链段的含量为67~75wt%;以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为23~28wt%,y3对应链段的含量为72~77wt%。3.根据权利要求1或2所述的光固化树脂组合物,其特征在于,所述通式(I)所示化合物、所述通式(II)所示化合物与所述通式(III)所示化合物的重量比为(20~45):(10~25):(4~9)。
4.根据权利要求1所述的光固化树脂组合物,其特征在于,所述通式(III)所示化合物中,所述R'全部为C2~C4的取代或未取代的烷基时,以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为20~30wt%,y3对应链段的含量为70~80wt%;所述通式(III)所示化合物中,部分所述R'为C2~C4的取代或未取代的烷基且另一部分所述R'为C5~C8的取代或未取代的烷基时,以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为22~30wt%,y3对应链段的含量为70~78wt%;优选所述C2~C4的取代或未取代的烷基与所述C5~C8的取代或未取代的烷基的重量比为(50~80):(20~50);所述通式(III)所示化合物中,所述R'全部为C5~C8的取代或未取代的烷基时,以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为24~30wt%,y3对应链段的含量为70~76wt%。5.根据权利要求4所述的光固化树脂组合物,其特征在于,所述通式(III)所示化合物中,所述R'全部为丁基时,以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为20~30wt%,y3对应链段的含量为70~80wt%;所述通式(III)所示化合物中,部分所述R'为异辛基且另一部分所述R'为丁基时,以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为22~30wt%,y3对应链段的含量为70~78wt%;优选所述异辛基与所述丁基的重量比为(20~50):(50~80);所述通式(III)所示化合物中,所述R'全部为异辛基时,以占所述通式(III)所示化合物的分子量的百分含量计,x3对应链段的含量为24~30wt%,y3对应链段的含量为70~76wt%。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光固化树脂组合物,其特征在于,所述通式(I)所示化合物的重均分子量为25000~60000,酸值为160~230mgKOH/g,分子量分布...
【专利技术属性】
技术研发人员:权利要求书三页说明书一四页附图二页,
申请(专利权)人:杭州福斯特电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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