电平转换电路及DC/DC转换器、门极驱动器制造技术

本发明专利技术提供了一种电平转换电路及DC/DC转换器、门极驱动器，包括：基础电平转换电路、倒相器、差分信号检测电路；基础电平转换电路包括两输出；第一倒相器的输入端接第一输出，第二倒相器的输入端接第二输出；差分信号检测电路的第一输入端、第二输入端分别接第一倒相器、第二倒相器的输出端；差分信号检测电路的一输出端的输出为输出电压；输入电压位于第一电压域，输出电压位于第二电压域；第一输出用于在第二电压域中提供对应的输出信号，第二输出用于在第二电压域中提供互补的输出信号；差分信号检测电路用于当检测到其两输入信号电平不同时，对输出电压进行翻转。本发明专利技术，抗共模干扰能力强、传输延迟短、时刻保持有直流通路。时刻保持有直流通路。时刻保持有直流通路。

【技术实现步骤摘要】
电平转换电路及DC/DC转换器、门极驱动器


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种电平转换电路及DC/DC转换器、门极驱动器。

技术介绍

[0002]对于DC/DC转换器，都需要用到电平转换电路。以降压转换器为例，高边开关一般是高压NMOS，为了能使高边开关开通，一般会采用自举的方式，使高边的驱动电路工作在BST和SW的电压域中。同时因为控制逻辑是在VLV低压域中产生，所以这时候需要是用低到高的电平转换电路，把控制信号从VLV到地的域转换到BST到SW的域中。另外一方面，为了实现高低边开关的非交叠控制，需要对高边开关的开关状态进行检测，这时候就需要一个高到低的电平转换电路，将该信息返回到低压VLV电压域，从而可以进行之后的一系列的判断。
[0003]这种高到低或低到高的电平转换电路，需要满足以下要求：(1)因为SW是开关信号，所以在转换时会有很快的共模电平的变化，这样电平转换电路要避免误翻转；(2)因为电平转换电路是用在开关系统中，所以也需要提供较小的传输延迟；(3)相比一些靠边沿或者脉冲触发的转换电路，电平转换电路无法一直保持直流通路，。
[0004]现有的电平转换电路不能同时解决满足上述要求；(1)一些电平转换电路，抗共模干扰能力差，无法实现短的传输延迟；(2)一些电平转换电路，无法时刻保持有直流通路，会存在无法翻转或误翻转的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种电平转换电路及DC/DC转换器、门极驱动器，以解决现有技术中抗共模干扰能力差、无法实现短的传输延迟、无法时刻保持有直流通路的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术是通过如下技术方案实现的：
[0007]根据本专利技术的第一方面，提供一种电平转换电路，其包括：基础电平转换电路、倒相器、差分信号检测电路；其中，
[0008]所述基础电平转换电路的输出包括：第一输出、第二输出；
[0009]所述倒相器包括：第一倒相器、第二倒相器；
[0010]所述第一倒相器的输入端接所述基础电平转换电路的第一输出，所述第二倒相器的输入端接所述基础电平转换电路的第二输出；
[0011]所述差分信号检测电路的第一输入端、第二输入端分别接所述第一倒相器的输出端、所述第二倒相器的输出端，所述差分信号检测电路的一输出端的输出为输出电压；
[0012]所述输入电压位于第一电压域，所述输出电压位于第二电压域；
[0013]所述基础电平转换电路的第一输出被配置为：能够在所述第二电压域中提供对应的输出信号，所述基础电平转换电路的第二输出被配置为：能够在所述第二电压域中提供互补的输出信号；
[0014]所述差分信号检测电路被配置为：能够当检测到其第一输入端、第二输入端的输入信号电平不同时，对所述输出电压进行翻转。
[0015]较佳地，还包括：快速拉电路，所述快速拉电路的输入端连接所述倒相器、所述差分信号检测电路，所述快速拉电路的输出端包括两个：第一快速拉电路输出端、第二快速拉电路输出端，所述第一快速拉电路输出端直接或间接连接所述第一输出，所述第二快速拉电路输出端直接或间接连接所述第二输出。
[0016]较佳地，所述快速拉电路包括：逻辑门、第一快速拉晶体管、第二快速拉晶体管；
[0017]所述逻辑门的输入端作为所述快速拉电路的输入端，连接所述倒相器、所述差分信号检测电路；
[0018]所述逻辑门的输出包括两个：第一逻辑门输出、第二逻辑门输出；
[0019]所述第一快速拉晶体管的栅极连接所述第一逻辑门输出、所述第二快速拉晶体管的栅极连接所述第二逻辑门输出；
[0020]所述逻辑门被配置为：能够当所述输入电压发生变化时，控制所述第一快速拉晶体管导通或所述第二快速拉晶体管导通；
[0021]所述第一快速拉晶体管的漏极作为所述第一快速拉电路输出端，直接或间接连接所述第一电平转换电路的输出端；所述第二快速拉晶体管的漏极作为所述第二快速拉电路输出端，直接或间接连接所述第二电平转换电路的输出端。
[0022]较佳地，所述快速拉电路为快速上拉电路；
[0023]所述第一快速拉晶体管、所述第二快速拉晶体管为P型高压管；
[0024]所述第一快速拉晶体管的源极、所述第二快速拉晶体管的源极接所述第二电压域的高电平。
[0025]较佳地，所述快速拉电路为快速下拉电路；
[0026]所述第一快速拉晶体管、所述第二快速拉晶体管为N型高压管；
[0027]所述第一快速拉晶体管的源极、所述第二快速拉晶体管的源极接所述第一电压域的低电平。
[0028]较佳地，所述基础电平转换电路包括：第一电平转换电路、第二电平转换电路；
[0029]所述第一电平转换电路的输入与所述第二电平转换电路的输入互补；
[0030]所述第一电平转换电路的输出为所述第一输出，所述第二电平转换电路的输出为所述第二输出。
[0031]较佳地，所述第一电平转换电路包括：第一N型高压管、第一P型高压管、第一CMOS管；
[0032]所述第二电平转换电路包括：第二N型高压管、第二P型高压管、第二CMOS管；
[0033]所述第一N型高压管的栅极、所述第二N型高压管的栅极分别直接或间接接所述输入电压，所述第一N型高压管的栅极输入与所述第二N型高压管的栅极输入互补；
[0034]所述第一N型高压管的源极、所述第二N型高压管的源极接所述第一电压域的低电平；
[0035]所述第一N型高压管的漏极接所述第一P型高压管的漏极，所述第一P型高压管的栅极接所述第二电压域的低电平；所述第一P型高压管的源极接所述第一CMOS管的漏极端，作为所述第一电平转换电路的输出端；
[0036]所述第一CMOS管连接在所述第二电压域的高电平与所述第二电压域的低电平之间；
[0037]所述第二N型高压管的漏极接所述第二P型高压管的漏极，所述第二P型高压管的栅极接所述第二电压域的低电平；所述第二P型高压管的源极接所述第二CMOS管的漏极端作为所述第二电平转换电路的输出端；
[0038]所述第二CMOS管连接在所述第二电压域的高电平与所述第二电压域的低电平之间；
[0039]所述第一CMOS管中的晶体管、所述第二CMOS管中的晶体管为低压管。
[0040]较佳地，所述第一CMOS管的栅极端反相连接所述第二倒相器的输出端；
[0041]所述第二CMOS管的栅极端反相连接所述第一倒相器的输出端。
[0042]较佳地，所述第一电平转换电路包括：第三P型高压管、第三N型高压管、第三CMOS管；
[0043]所述第二电平转换电路包括：第四P型高压管、第四N型高压管、第四CMOS管；
[0044]所述第三P型高压管的栅极、所述第四P型高压管的栅极分别直接或间接接所述输入电压，所述第三P型高压管的栅极输入与所述第四P型高压管的栅极输入互补；
[0045]所述第三P型高压管的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：基础电平转换电路、倒相器、差分信号检测电路；其中，所述基础电平转换电路的输出包括：第一输出、第二输出；所述倒相器包括：第一倒相器、第二倒相器；所述第一倒相器的输入端接所述基础电平转换电路的第一输出，所述第二倒相器的输入端接所述基础电平转换电路的第二输出；所述差分信号检测电路的第一输入端、第二输入端分别接所述第一倒相器的输出端、所述第二倒相器的输出端，所述差分信号检测电路的一输出端的输出为输出电压；所述输入电压位于第一电压域，所述输出电压位于第二电压域；所述基础电平转换电路的第一输出被配置为：能够在所述第二电压域中提供对应的输出信号，所述基础电平转换电路的第二输出被配置为：能够在所述第二电压域中提供互补的输出信号；所述差分信号检测电路被配置为：能够当检测到其第一输入端、第二输入端的输入信号电平不同时，对所述输出电压进行翻转。2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，还包括：快速拉电路，所述快速拉电路的输入端连接所述倒相器、所述差分信号检测电路，所述快速拉电路的输出端包括两个：第一快速拉电路输出端、第二快速拉电路输出端，所述第一快速拉电路输出端直接或间接连接所述第一输出，所述第二快速拉电路输出端直接或间接连接所述第二输出。3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述快速拉电路包括：逻辑门、第一快速拉晶体管、第二快速拉晶体管；所述逻辑门的输入端作为所述快速拉电路的输入端，连接所述倒相器、所述差分信号检测电路；所述逻辑门的输出包括两个：第一逻辑门输出、第二逻辑门输出；所述第一快速拉晶体管的栅极连接所述第一逻辑门输出、所述第二快速拉晶体管的栅极连接所述第二逻辑门输出；所述逻辑门被配置为：能够当所述输入电压发生变化时，控制所述第一快速拉晶体管导通或所述第二快速拉晶体管导通；所述第一快速拉晶体管的漏极作为所述第一快速拉电路输出端，直接或间接连接所述第一电平转换电路的输出端；所述第二快速拉晶体管的漏极作为所述第二快速拉电路输出端，直接或间接连接所述第二电平转换电路的输出端。4.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述快速拉电路为快速上拉电路；所述第一快速拉晶体管、所述第二快速拉晶体管为P型高压管；所述第一快速拉晶体管的源极、所述第二快速拉晶体管的源极接所述第二电压域的高电平。5.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述快速拉电路为快速下拉电路；所述第一快速拉晶体管、所述第二快速拉晶体管为N型高压管；所述第一快速拉晶体管的源极、所述第二快速拉晶体管的源极接所述第一电压域的低
电平。6.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述基础电平转换电路包括：第一电平转换电路、第二电平转换电路；所述第一电平转换电路的输入与所述第二电平转换电路的输入互补；所述第一电平转换电路的输出为所述第一输出，所述第二电平转换电路的输出为所述第二输出。7.根据权利要求6所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一电平转换电路包括：第一N型高压管、第一P型高压管、第一CMOS管；所述第二电平转换电路包括：第二N型高压管、第二P型高压管、第二CMOS管；所述第一N型高压管的栅极、所述第二N型高压管的栅极分别直接或间接接所述输入电压，所述第一N型高压管的栅极输入与所述第二N型高压管的栅极输入互补；所述第一N型高压管的源极、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵滨，
申请(专利权)人：上海数明半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：