本发明专利技术涉及一种检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)及方法(2)包括：一图像撷取单元(102)，该电子元件(101)位于该图像撷取单元(102)的视场(FOV)内；以及至少一红外线光源(104，106，107)；其中该图像撷取单元(102)和该红外线光源(104，106，107)被摆成倾斜于各自的水平面(ICHP，IRHP)0至360度的角度，因此该红外线光源(104，106，107)能够照亮该电子元件(101)的至少一个内部缺陷(108)；并且该电子元件(101)被摆成与其水平面(ECHP)的角度为0度。件(101)被摆成与其水平面(ECHP)的角度为0度。件(101)被摆成与其水平面(ECHP)的角度为0度。
【技术实现步骤摘要】
检查电子元件内部缺陷的装置及方法
[0001]本专利技术是有关于一种检查电子元件内部缺陷的装置及方法，其包括：一图像撷取单元，该电子元件位于该图像撷取单元的视场内；以及至少一红外线光源；其中，该图像撷取单元和该红外线光源被摆成相对于各自的水平面倾斜0至360度的角度，因此该红外线光源能够照亮该电子元件的至少一个内部缺陷，且该电子元件被摆成与其水平面的角度为0度。
技术介绍
[0002]晶粒背面碎裂是一种故障机制，在锯切晶圆后，沿着晶粒背面的边缘会发生碎裂。因此，晶粒的背面将有因物理断裂并从背面边缘的诸多地方脱落的小缺口所造成的粗糙边缘。这迹象间接地说明，锯切操作压力很大，随后可能会导致晶粒开裂。设备不当的设置可能会无意中用力降落在晶粒上，并切断其一部分。因此，晶圆锯切后的背面碎裂的迹象必须迅速解决。
[0003]Nikoonahad等人于US5883710A公开了一种高灵敏度和高处理能力的表面检查系统，其将聚焦的光束以入射余角(grazing angle)入射待检查的表面。在光束和表面之间引起相对运动，使光束扫描一基本上覆盖整个表面的扫描路径，且沿该路径散射的光被收集用于检测异常。该扫描路径包括复数个由直线扫描路径段构成的阵列。聚焦的光束照射在宽度介于5
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15微米之间的表面区域，该系统每小时能够检查超过约40个直径150毫米的晶圆(6英寸晶圆)、超过约20个直径200毫米的晶圆(8英寸晶圆)或超过约10个直径300毫米的晶圆(12英寸晶圆)。然而，US5883710A致力于表面缺陷检查，而本专利技术是检测半导体装置中有无内部缺陷。此外，本专利技术能够识别和区分表面缺陷和内部缺陷。
[0004]再如John S.Batchelder于US4740708A公开了一种检查半导体晶圆表面的系统及方法。该系统及方法旨在确定在制造积体电路的过程中，已充分清除了表面上的微粒污染物。晶圆沿第一方向前进，并沿垂直于第一方向的第二方向进行光学扫描，以根据扫描线上的位置记录从晶圆表面正常反射的光强度。高强度的反射表明了一个光滑的平面，适合透过积分半球法与复数光感测器来检查其中的粒子。弱反射表明起伏和图案化的区域，不利于晶圆表面的粒子检验。第二次扫描被横向偏移，以补偿晶片的运动，以便重新扫描与第一次扫描相同的线。在第二次扫描过程中，积分球中的光感测器在由第一次扫描判断出的适当检查点的位置上被导通和关关。这种方法同样限制了US5883710A，因为该系统及方法无法检查和检测是否存在内部缺陷，如微裂纹。
[0005]因此，若有一种检查电子元件内部缺陷的装置及方法能利用不同角度的红外线照明投射来检查该电子元件，并且让图像撷取单元以不同角度朝向该电子元件，将有利于减轻这些缺点，该图像撷取单元和该红外线光源被摆成相对于各自的水平面倾斜0至360度的角度。
技术实现思路
[0006]因此，本专利技术的主要目的是提供一种检查电子元件内部缺陷的装置及方法，该装置及方法能够区分表面缺陷和内部缺陷。
[0007]本专利技术的另一个目的是提供一种检查电子元件内部缺陷的装置及方法，该装置及方法能够在缺陷区域和非缺陷区域之间产生用来进行影像处理的显著对比。
[0008]本专利技术的再一个目的是提供一种检查电子元件内部缺陷的装置及方法，该装置及方法能够降低误宰(overkill)率。
[0009]本专利技术的再一个目的是提供一种检查电子元件内部缺陷的装置及方法，其中该方法能够提高生产量。
[0010]经由理解本专利技术的以下详细描述或在实践中使用本专利技术，本专利技术的其他进一步目的将变得显而易见。
[0011]以下是根据本专利技术较佳实施例的详述：
[0012]一种检查电子元件内部缺陷的装置，包括：
[0013]一图像撷取单元，该电子元件位于该图像撷取单元的视场内；以及
[0014]至少一红外线光源；
[0015]该图像撷取单元和该红外线光源被摆成相对于各自的水平面倾斜0至360度的角度，因此该红外线光源能够照亮该电子元件的至少一个内部缺陷；且
[0016]该电子元件与其水平面的角度为0度。
[0017]在本专利技术另一实施例，提供：
[0018]一种检查电子元件内部缺陷的方法，包括以下步骤：
[0019](i)将该电子元件从一第一站传送到一检查站；
[0020](ii)透过一图像撷取单元搭配至少一红外线光源，检查该电子元件的第一侧；
[0021](iii)将该图像撷取单元和该红外线光源沿着其各自的水平面旋转，并在该红外线光源和该图像撷取单元旋转后，透过该图像撷取单元检查该电子元件的第二侧；
[0022](iv)重复步骤(iii)将该图像撷取单元和该红外线(IR)光源沿着其各自的水平面旋转，并在该红外线光源和图像撷取单元旋转后，通过该图像撷取单元检查该电子元件的第二侧，以检查该电子元件的四侧；以及
[0023](v)将该电子元件传送到一第二站；
[0024]该图像撷取单元和该红外线光源被摆成相对于各自的水平面倾斜0至360度的角度，因此该红外线光源能够照亮该电子元件的至少一内部缺陷，该内部缺陷是由切割和组装过程引起；以及
[0025]该电子元件与其水平面的角度为0度。
附图说明
[0026]在结合附图研究详细描述之后，将认识到本专利技术的其他方面及其优点，其中：
[0027]图1
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A显示出本专利技术示范性示意图，其中图像撷取单元和红外线光源面向该电子元件的第一表面，且红外线光源定位于该电子元件的一侧壁上；
[0028]图1
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B显示出本专利技术示意图，其中图像撷取单元和红外线光源面向该电子元件的第一表面，且红外线光源位于该电子元件的另一侧壁上；
[0029]图1
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C显示出本专利技术另示意图，其中图像撷取单元和红外线光源面向该电子元件的第一表面，且一反射镜面向该电子元件的第二表面；
[0030]图1
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D显示出本专利技术另一示意图，其中该图像撷取单元嵌入有面向该电子元件的第一表面的嵌入式红外线光源，且一反射镜面向该电子元件的第二表面；
[0031]图1
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E显示出本专利技术另一示意图，其中图像撷取单元和红外线光源面向该电子元件的第一表面，其中一个红外线光源位于该电子元件的前视处，另外两个红外线光源分别位于该电子元件的左侧壁和右侧壁上，且一反射镜面向该电子元件的第二表面；
[0032]图2显示出本专利技术检测电子元件中的内部缺陷的方法流程图；
[0033]图3
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A显示出本专利技术检测电子元件的表面缺陷的示意图。
[0034]图3
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B显示出本专利技术检测电子元件的表面缺陷的另一示意图；及
[0035]图3
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C显示出本专利技术检测电子元件的表面缺陷的高倍率显微图像的示意图。
具体实施方式
[0036]在以下详细描述中，阐述了许多具本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)，包括：一图像撷取单元(102)，该电子元件(101)位于该图像撷取单元(102)的视场内；以及至少一红外线光源(104，106，107)；其特征在于：该图像撷取单元(102)和该红外线光源(104，106，107)被摆成倾斜于各自的水平面(ICHP，IRHP)0至360度的角度，因此该红外线光源(104，106，107)能够照亮该电子元件(101)的至少一个内部缺陷(108)；以及该电子元件(101)被摆成与其水平面(ECHP)的角度为0度。2.如权利要求1所述的检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)，其中该红外线光源(104，106，107)包括前侧红外线光源(104)、旁侧红外线光源(106，107)或其组合。3.如权利要求1所述的检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)，其中该装置(1)还包括至少一背侧红外线光源(110)，该背侧红外线光源(110)被摆成相对于其水平面(BSHP)倾斜0至360度的角度。4.如权利要求1或2所述的检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)，其中该图像撷取单元(102)包括一嵌入式前侧红外线光源(112)或一外部前侧红外线光源(104)。5.如权利要求1所述的检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)，其中该电子元件(101)包括一第一表面(114)和一第二表面(116)，该第一表面(114)包含该电子元件(101)的背面，而该第二表面(116)包含该电子元件(101)的凸点侧。6.如权利要求1或2所述之检查电子元件(101)内部缺陷的装置(1)，其中该装置(1)还包括一反射镜(118)，该反射镜(118)面向该电子元件(101)的第二表面(116)且与该电子元件(101)平行。7.一种检查电子元件(101)内部缺陷的方法(2)，包括以下步骤：(i)将该电子元件(101)从一第一站...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐志川，郑万泉，
申请(专利权)人：苏州正齐半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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