功率器件封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种功率器件封装结构及封装方法，该封装结构包括塑封体，塑封体中封装有至少一个芯片以及金属载体，芯片的D极与金属载体正面连接，芯片以及金属载体均被封装在塑封体内部，金属载体背面裸露在塑封体背面；芯片的S极与G极分别设置有S极导电柱与G极导电柱，S极导电柱顶面与G极导电柱顶面从塑封体正面裸露出来。该封装结构通过导体直接引出芯片G极、D极和S极，省略电极管脚、缩短芯片与外界互联距离，且电极裸露在产品外表面，有利于实现产品小型化，提高产品的散热能力和可靠性。该封装方法相比于传统封装结构的方法省去传统压焊工艺，避免由于压焊工艺引起的产品失效问题，节约成本，极大的提高生产力。极大的提高生产力。极大的提高生产力。

【技术实现步骤摘要】
功率器件封装结构及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种功率器件封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]近年来，各类半导体器件逐渐朝向高密度，高性能以及轻、薄、小的趋势发展，对功率半导体器件的导通电阻、散热能力、可靠性的要求不断提高。传统半导体功率器件封装采用不同方式连接芯片电极和管脚，通过管脚引出电极，不利于产品小型化的实现，此外传统半导体功率器件多为单面散热结构，已不能满足高功率密度发展的要求，且封装结构和工艺复杂。
[0003]现有半导体功率器件通过键合线或clip连接芯片和管脚，通过管脚引出电极，焊线包括金线、铜线、铝线，金线传导性好但是成本较高；铜线容易氧化，会产生弹坑等失效问题；铝线线径较大，工艺不好控制，且导电性和导热性较差；全clip结构相比键合线可靠性和电性能有所提高，但成本增加，且也是通过连接芯片和管脚从而引出电极，产品内阻大，最终影响产品的电流承载能力。

技术实现思路

[0004]本专利技术第一个目的是提供一种功率器件封装结构，通过导体直接引出芯片G极、D极和S极，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括：塑封体，以及直接从所述塑封体中引出的G极、S极以及D极；所述塑封体中封装有至少一个芯片以及金属载体，所述芯片的D极与所述金属载体正面连接，所述芯片以及所述金属载体均被封装在所述塑封体内部，所述金属载体背面裸露在所述塑封体背面；所述芯片的S极与G极分别设置有S极导电柱与G极导电柱，所述S极导电柱与所述G极导电柱均被封装在所述塑封体内部，且所述S极导电柱顶面与所述G极导电柱顶面从所述塑封体正面裸露出来。2.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于：若所述芯片为一个时，所述S极导电柱、所述G极导电柱均与所述芯片连接；若所述芯片为2个或两个以上堆叠芯片时，所述S极导电柱、所述G极导电柱均分别与同一芯片或不同芯片连接。3.根据权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于：所述金属载体背面与所述塑封体背面处于同一平面内；所述S极导电柱顶面与所述G极导电柱顶面均与所述塑封体正面处于同一平面内。4.根据权利要求1
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3任一所述的功率器件封装结构，其特征在于：所述芯片通过第一粘片材料粘接在所述金属载体正面；所述S极导电柱通过第二粘片材料粘接在所述芯片表面；所述G极导电柱通过第三粘片材料粘接在所述芯片表面；所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，张毛，万强强，翁艳薇，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：