功率放大器的散热器制造技术

本发明专利技术的功率放大器的散热器，包括热管模组，热管模组包括设置于基板上的第一热管以及第二热管，第一热管由基板边缘的第一热耗区延伸至基板中部的第二热耗区，第二热管由基板边缘的第三热耗区延伸至基板中部的第二热耗区，第一热管与第二热管在第二热耗区交汇。本发明专利技术的功率放大器的散热器具有以下有益效果：比传统的热传导散热导热率提高了110倍；比传统的水冷散热器体积小3倍；比传统热传导散热器成本大幅降低，与传统水冷散热器相比，成本降低至原来的10％；和传统散热器相比具有体积小、重量轻的特点，可以适应多样的结构形式。可以适应多样的结构形式。可以适应多样的结构形式。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器的散热器


[0001]本专利技术涉及散热
，特别是涉及一种功率放大器的散热器。

技术介绍

[0002]微波毫米波功率放大器目前已经广泛的应用于雷达、卫星、公路交通、民航系统、电子对抗、通信系统等多种尖端科技中，是目前研究的热点领域。
[0003]在微波毫米波功率放大器领域，固态功放的芯片的散热十分重要。在芯片的工作过程中，无效的能量会转换成热能释放，超额的热量会加速芯片的老化，同时过高的温度也会影响芯片的性能，甚至引起芯片的损坏。所以有效的散热结构不仅可以使产品更加可靠，同时也能大大加长产品的使用寿命。
[0004]随着微波通信产品的集成度越来越高以及产品结构要求越来越多样化，传统的散热器也不能满足散热需求，需要根据产品的结构开发新的、效率更高的功率放大器的散热器。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种散热效率更高、体积更小的功率放大器的散热器。
[0006]本专利技术的功率放大器的散热器，包括热管模组，所述热管模组包括设置于基板上的第一热管以及第二热管，所述第一热管由基板边缘的第一热耗区延伸至基板中部的第二热耗区，第二热管由基板边缘的第三热耗区延伸至基板中部的第二热耗区，所述第一热管与第二热管在所述第二热耗区交汇。
[0007]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述第一热管、所述第二热管分别为三根。
[0008]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述热管模组还包括设置于外壳上的外壳热管，所述外壳热管竖直设置，由外壳的下部由上延伸至基板的下方，所述外壳热管的一部分与基板中部的第二热耗区内的第一热管或第二热管接触。
[0009]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述外壳热管包括竖直段以及横向段，所述横向延伸的横向段与基板中部的第二热耗区内的第一热管或第二热管接触。
[0010]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述横向段与第一热管或第二热管之间设置有导热介质。
[0011]本专利技术的功率放大器的散热器具有以下有益效果：比传统的热传导散热导热率提高了110倍；比传统的水冷散热器体积小3倍；比传统热传导散热器成本大幅降低，与传统水冷散热器相比，成本降低至原来的10％；和传统散热器相比具有体积小、重量轻的特点，可以适应多样的结构形式。
附图说明
[0012]图1为功率放大器的结构示意图的主视图；
[0013]图2为功率放大器的结构示意图的仰视图；
[0014]图3为本专利技术的功率放大器的散热器的第一热管以及第二热管的布置图；
[0015]图4为外壳热管的结构示意图；
[0016]图5为去除外壳后的功率放大器的结构示意图的仰视图。
具体实施方式
[0017]如图1、图2、图3、图4、图5所示，本专利技术的功率放大器的散热器，包括热管模组1，所述热管模组包括设置于基板10上的第一热管11以及第二热管12，所述第一热管由基板边缘的第一热耗区21延伸至基板中部的第二热耗区22，第二热管由基板边缘的第三热耗区23延伸至基板中部的第二热耗区22，所述第一热管与第二热管在所述第二热耗区交汇。
[0018]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述第一热管、所述第二热管分别为三根。
[0019]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述热管模组还包括设置于外壳20上的外壳热管3，所述外壳热管竖直设置，由外壳的下部由上延伸至基板的下方，所述外壳热管的一部分与基板中部的第二热耗区内的第一热管或第二热管接触。
[0020]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述外壳热管3包括竖直段31以及横向段32，所述横向延伸的横向段与基板中部的第二热耗区内的第一热管或第二热管接触。
[0021]本专利技术的功率放大器的散热器，其中，所述横向段与第一热管或第二热管之间设置有导热介质100。导热介质100可以是导热硅脂层。
[0022]由于功率放大器下方是悬空的，造成功率放大器局部温度很高，超过功率放大器芯片结温指标要求。
[0023]传统的散热不能满足散热要求，本专利技术的技术方案根据微波通信系统功率放大器的实际结构以及散热需求单独研发设计。
[0024]本专利技术的功率放大器的散热器采用热管对功率放大器进行散热。
[0025]热管散热的优点有：热管导热系数高达20000W/MK(传统铝导热系数：180W/MK)，通过热管可以将功率放大器芯片的热量快速的传到到结构件上，来降低芯片的热量。
[0026]根据数据推算以及实验结果展示，基板10上的第一热耗区21、第二热耗区22、第三热耗区23都是功率放大器工作时升温较快的区域，本专利技术的功率放大器的散热器在上述区域内布置第一热管、第二热管，以更好地提升散热效率。
[0027]本专利技术的功率放大器的散热器具有以下有益效果：
[0028]1、比传统的热传导散热导热率提高了110倍；
[0029]2、比传统的水冷散热器体积小3倍；
[0030]3、比传统热传导散热器成本大幅降低，与传统水冷散热器相比，成本降低至原来的10％；
[0031]4、和传统散热器相比具有体积小、重量轻的特点，可以适应多样的结构形式。
[0032]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器的散热器，其特征在于，包括热管模组，所述热管模组包括设置于基板上的第一热管以及第二热管，所述第一热管由基板边缘的第一热耗区延伸至基板中部的第二热耗区，第二热管由基板边缘的第三热耗区延伸至基板中部的第二热耗区，所述第一热管与第二热管在所述第二热耗区交汇。2.根据权利要求1所述的功率放大器的散热器，其特征在于，所述第一热管、所述第二热管分别为三根。3.根据权利要求2所述的功率放大器的散热器，其特征在于，所述热管模组还...

【专利技术属性】
技术研发人员：何利益，欧阳存，范云，张戈，孙锦海，刘洋，王宇，王磊，
申请(专利权)人：中国人民解放军九六八一三部队保障处，
类型：发明
国别省市：