一种检测GaN微波材料的表面势检测设备制造技术

本发明专利技术提供一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，涉及检测设备技术领域。该检测GaN微波材料的表面势检测设备，包括扫描模块，所述扫描模块包括检测模块、数值定义模块、区域模块、警示模块和通知模块，所述扫描模块与检测模块相连接，所述数值定义模块与警示模块相连接，所述检测模块可以根据使用者的需要进行选择不同的检测设备，所述数值定义模块与区域模块相连接，所述警示模块与通知模块相连接。通过检测模块内部的设备选择单元进行选择不同的检测设备，同时也可以根据不同的检测需要进行选择检测面积和检测精度的效果，并且也可以将不同的检测设备进行自定义，通过以上的设计从而达到不同的需求进行更换的不同的检测设备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
一种检测GaN微波材料的表面势检测设备


[0001]本专利技术涉及检测设备
，具体为一种检测GaN微波材料的表面势检测设备。

技术介绍

[0002]GaN微波材料是一种新型的微波材料，同时微波材料是具有可调整的介电常数，满足低介质损耗角，最小表面硬度要求的介质材料，通常为陶瓷类。主要应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段，300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，超材料指的是一类具有特殊性质的人造材料，这些材料是自然界没有的。它们拥有一些特别的性质，比如让光、电磁波改变它们的通常性质，而这样的效果是传统材料无法实现的。超材料的成分没有什么特别之处，它们的奇特性质源于其精密的几何结构以及尺寸大小。超材料中的微结构，大小尺度通常小于它作用的波长，因此得以对波施加影响，是国内外对微波介质材料研究领域的一个热点方向。这主要是适应微波移动通讯的发展需求，所以会使用到对GaN微波材料的表面进行检测，所以会使用用于表面势的检测设备。
[0003]传统的检测设备只能通过一种检测方式进行对GaN微波材料进行检测，并且也不能根据检测的需求进行更换不同的检测装置，并且也不能根据不同的检测需要进行不同区域进行检测的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，解决了不能根据检测的需求进行更换不同的检测装置，并且也不能根据不同的检测需要进行不同区域进行检测的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，包括扫描模块，所述扫描模块包括检测模块、数值定义模块、区域模块、警示模块和通知模块，所述扫描模块与检测模块相连接，所述检测模块与数值定义模块相连接，所述数值定义模块与警示模块相连接，所述检测模块可以根据使用者的需要进行选择不同的检测设备。
[0006]优选的，所述数值定义模块与区域模块相连接，所述警示模块与通知模块相连接，所述扫描模块包括数值输入单元和设备控制的单元，所述扫描模块与数值输入单元相连接，所述数值输入单元与设备控制单元相连接，所述数值输入单元将需要检测的材料的数值进行自定义。
[0007]优选的，所述区域模块包括检测区域划分单元、接触检测区域单元和进入放大检测单元，所述区域模块与检测区域划分单元相连接，所述检测区域划分单元与接触检测区域单元相连接，所述接触检测区域单元与进入放检测单元相连接。
[0008]优选的，所述检测模块包括设备选择单元，所述检测模块与设备选择单元相连接，所述设备选择单元包括激光检测单元、拍照检测单元、检测范围设定单元、照片上传单元和提取数值单元，所述设备选择单元与激光检测单元与拍照检测单元相连接，所述激光检测
单元与检测范围设定单元相连接，所述拍照检测单元与照片上传单元相连接，所述照片上传单元与提取数值单元相连接，所述检测范围设定单元与提取数值单元相连接。
[0009]优选的，所述设备选择单元与设定检测单元相连接，所述设定检测单元包括检测面积单元、检测精度单元和检测选择单元，所述设定检测单元与检测面积单元与检测精度单元相连接，所述检测面积和检测精度单元与检测选择单元相连接，所述设定检测单元用以根据设定的检测范围进行检测不同的设备进程检测。
[0010]优选的，所述数值定义模块包括数值输入单元、检测数值上传单元和数值对比单元，所述数值定义模块与数值输入单元相连接，所述数值输入单元与检测数值上传单元相连接，所述检测数值上传单元与数值对比单元相连接，所述数值输入单元与载入合格数值单元相连接。
[0011]优选的，所述警示模块包括数值统计单元、数据异常单元和启动响铃单元相连接，所述警示模块与数值统计单元相连接，所述数值统计单元与数据异常单元相连接，所述数据异常单元与启动响铃单元相连接，所述警示模块用以将数值不匹配的GaN微波材料进行删选并发起通知。
[0012]优选的，所述启动响铃单元包括设定单元、检测设备追踪单元和开启灯光照射单元，所述启动响铃单元与锁定单元相连接，所述锁定单元与检测设备追踪单元相连接，所述检测设备追踪单元与开启灯光照射单元相连接，所述锁定单元用以将数据不合格的GaN微波材料进行锁定与定位。
[0013]优选的，所述通知模块包括页面提示单元、排除单元和筛选单元，所述通知模块与页面提示单元相连接，所述页面提示单元与排除单元相连接，所述排除单元与筛选单元相连接，所述排除单元用以将数据检测不合格的GaN微波材料进行排除。
[0014]一种检测GaN微波材料的表面势检测设备的使用方法，包括以下步骤：
[0015]步骤一、首先对需要进行检测的GaN微波材料进行区域划分，在划分内部的进行将检测，当GaN微波材料进入到检测到区域的内部，对GaN微波材料进行放大进行检测，当需要进行检测的时候可以根据不同的需求进行选择不同的检测设备进行检测；
[0016]步骤二、设备选择单元可以根据检测的面积和检测的精度进行定义和选择检测的设备，激光检测单元和拍照检测单元用以将选择不同的检测范围，同时对选择的范围进行进一步精度检测；
[0017]步骤三、将合格的数值进行输入到数值输入单元内部进行存储，在两种检测得到的数据进行数值的上传，并且将上传的数据进行对比，将对比的数据进行统计，当发生异常时启动响铃单元，将检测得异常的GaN微波材料，用排除单元进行筛选，防止出现不能进行下一步的工作。
[0018]本专利技术提供了一种检测GaN微波材料的表面势检测设备。具备以下有益效果：
[0019]1、本专利技术通过检测模块内部的设备选择单元进行选择不同的检测设备，同时也可以根据不同的检测需要进行选择检测面积和检测精度的效果，并且也可以将不同的检测设备进行自定义，通过以上的设计从而达到不同的需求进行更换的不同的检测设备。
[0020]2、本专利技术通过警示模块内部的数值进行统计，并且通过数据异常内部的锁定单元进行将检测异常的GaN微波材料进行定位，并且将定位到异常的GaN微波材料进行排除，从而达到快速将异常进行排除的效果。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的主框架图；
[0022]图2为本专利技术的扫描模块流程示意图；
[0023]图3为本专利技术的区域模块流程示意图；
[0024]图4为本专利技术的检测模块流程示意图；
[0025]图5为本专利技术的设备选择单元流程示意图；
[0026]图6为本专利技术的数值定义模块流程示意图；
[0027]图7为本专利技术的警示模块流程示意图；
[0028]图8为本专利技术的启动响铃单元流程示意图；
[0029]图9为本专利技术的通知模块流程示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，包括扫描模块，其特征在于，所述扫描模块包括检测模块、数值定义模块、区域模块、警示模块和通知模块，所述扫描模块与检测模块相连接，所述检测模块与数值定义模块相连接，所述数值定义模块与警示模块相连接，所述检测模块可以根据使用者的需要进行选择不同的检测设备。2.根据权利要求1所述的一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，其特征在于，所述数值定义模块与区域模块相连接，所述警示模块与通知模块相连接，所述扫描模块包括数值输入单元和设备控制的单元，所述扫描模块与数值输入单元相连接，所述数值输入单元与设备控制单元相连接，所述数值输入单元将需要检测的材料的数值进行自定义。3.根据权利要求2所述的一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，其特征在于，所述区域模块包括检测区域划分单元、接触检测区域单元和进入放大检测单元，所述区域模块与检测区域划分单元相连接，所述检测区域划分单元与接触检测区域单元相连接，所述接触检测区域单元与进入放检测单元相连接。4.根据权利要求1所述的一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，其特征在于，所述检测模块包括设备选择单元，所述检测模块与设备选择单元相连接，所述设备选择单元包括激光检测单元、拍照检测单元、检测范围设定单元、照片上传单元和提取数值单元，所述设备选择单元与激光检测单元与拍照检测单元相连接，所述激光检测单元与检测范围设定单元相连接，所述拍照检测单元与照片上传单元相连接，所述照片上传单元与提取数值单元相连接，所述检测范围设定单元与提取数值单元相连接。5.根据权利要求4所述的一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，其特征在于，所述设备选择单元与设定检测单元相连接，所述设定检测单元包括检测面积单元、检测精度单元和检测选择单元，所述设定检测单元与检测面积单元与检测精度单元相连接，所述检测面积和检测精度单元与检测选择单元相连接，所述设定检测单元用以根据设定的检测范围进行检测不同的设备进程检测。6.根据权利要求1所述的一种检测GaN微波材料的表面势检测设备，其特征在于，所述数值定义模块包括数值输入单元、检测数值上传单元和数值对比单元，所述数值定义模块与数值输入单元相连接，所述数值输入单元与检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岩锋，李艳明，付嘉骏，郑国景，刘辉，
申请(专利权)人：北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：