一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料合成技术领域，包括将金刚石颗粒用去离子水反复清洗直至水质电导率为000uS/cm，于200℃烘干1h～3h；将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度为0.15g/mL～0.3g/mL的NaOH溶液中于70℃～90℃进行水浴加热持续搅拌1h～2h，将碱处理后的金刚石颗粒用去离子水清洗至水质中性；取碱处理后的金刚石颗粒以及硅粉加入进配好的硅烷偶联剂醇溶液中，60℃～70℃水浴加热，反应1h～2h；反应结束后表面经处理的金刚石颗粒用无水乙醇清洗2～3次，用鼓风干燥箱进行烘干处理，使得金刚石表面涂层硅物质对金刚石表面改性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法


[0001]本专利技术属于金刚石/碳化硅复合材料合成
，具体涉及一种在低温条件下使得金刚石表面涂层硅物质对金刚石表面改性的工艺方法。

技术介绍

[0002]鉴于金刚石拥有优良的力热光电学性能，被人们认定为最有潜力的第四代半导体材料。sp3型C
‑
C非极性共价键赋予金刚石高硬度高耐磨性的同时也使金刚石表面有极高的表面能、亲油性；且具备极强的化学惰性，耐强酸强碱，不与王水反应。因其独特的力学热学性能，不仅可以用于合成PCD聚晶片作为地质勘探的钻头；还广泛用作增强相与陶瓷、金属、树脂结合剂等材料加工合成耐磨耐高温的金刚石磨具并用于工业切削、磨削和研磨工作。其中金刚石/碳化硅复合材料具有高热导和低热膨胀性能较好的特性，可以作为综合性能优秀第三代电子封装材料、电子芯片加工基板的使用。
[0003]目前制备金刚石/碳化硅复合材料大多采用无压液相渗硅法、气相硅渗透法、先驱体转化法、无压烧结、热压烧结、脉冲电流烧结、放电等离子火花烧结(SPS)、高温高压法(HPHT)、反应渗透法等方法，目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将金刚石颗粒用去离子水反复清洗且加以搅拌，直至水质电导率为000uS/cm，将金刚石颗粒放入鼓风烘干箱200℃烘干1h～3h；(2)将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度为0.15g/mL～0.3g/mL的NaOH溶液中70℃～90℃温度下进行水浴加热持续搅拌1h～2h，将碱处理后的金刚石颗粒用去离子水清洗至水质中性；(3)取碱处理后的金刚石颗粒以及粒径1μm硅粉加入进配好的硅烷偶联剂醇溶液中60℃～70℃水浴加热，水浴加热反应1h～2h；(5)反应结束后表面经处理的金刚石颗粒用无水乙醇清洗2～3次，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启亮，刘正帅，吕宪义，李柳暗，许洪新，邹广田，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：