用于化学气相沉积多晶硅的电极以及制造晶体硅材料的方法技术

提供了用于化学气相沉积多晶硅的电极以及制造晶体硅材料的方法。本发明专利技术公开了用于制造可用作生长晶体硅材料直接原料的高通量、低成本管状多晶硅棒料的工艺和系统。在一个实例中，化学气相沉积(CVD)工艺包括在管状电极上沉积多晶硅以形成管状多晶硅棒料。所述管状多晶硅棒料可在浮区工艺中熔化以生长单晶硅材料。料。料。

【技术实现步骤摘要】
用于化学气相沉积多晶硅的电极以及制造晶体硅材料的方法
[0001]本申请是申请日为2016年5月4日、国际申请号为PCT/US2016/030856、专利技术名称为“高通量化学气相沉积电极”、进入中国国家阶段的申请号为201680026810.1的中国专利申请的分案申请。
[0002]本专利申请要求于2016年5月2日提交的先前共同未决的美国非临时专利申请序列号15/144,469的优先权，该申请要求享有于2015年5月8日提交的先前共同未决的美国临时专利申请序列号62/159,159的优先权，其全部公开内容以引用方式并入本文。

技术介绍

[0003]光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p
‑
n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积多晶硅的电极，包括：芯管，其具有围绕腔的导电壁，其中所述腔在所述芯管的第一端和第二端之间延伸以运载液体冷却剂通过所述电极；以及围绕所述导电壁的多层阻挡膜，其中所述多层阻挡膜包括金属扩散阻挡材料，其中所述多层阻挡膜中最靠近所述芯管的阻挡膜的热膨胀系数与所述芯管的热膨胀系数之间的差异在20％以内，所述多层阻挡膜中的相邻阻挡膜的热膨胀系数之间的差异小于20％，并且在所述多层阻挡膜包括三层或更多层阻挡膜的情况下，最外侧阻挡膜层的热膨胀系数与最内侧阻挡膜层的热膨胀系数之间的差异大于20％。2.根据权利要求1所述的电极，其中所述阻挡膜包括覆盖所述导电壁的内阻挡膜层和覆盖所述内阻挡膜层的外阻挡膜层。3.根据权利要求2所述的电极，其中所述内阻挡膜层包括所述金属扩散阻挡材料，并且其中所述外阻挡膜层包括第二金属扩散阻挡材料。4.根据权利要求3所述的电极，其中所述金属扩散阻挡材料具有第一热膨胀系数，所述第二金属扩散阻挡材料具有第二热膨胀系数，并且其中所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数之间的差异小于20％。5.根据权利要求3所述的电极，还包括在所述内阻挡膜层和所述外阻挡膜层之间的中间阻挡膜层，其中所述金属扩散阻挡材料具有第一热膨胀系数，其中所述第二金属扩散阻挡材料具有第二热膨胀系数，并且其中所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数之间的差异大于20％。6.一种用于化学气相沉积多晶硅的电极，包括：芯管，其具有围绕腔的导电壁，其中所述腔在所述芯管的第一端和第二端之间延伸以运载液体冷却剂通过所述电极；以及围绕所述导电壁的多层阻挡膜，其中所述多层阻挡膜包括起伏外表面，其中所述多层阻挡膜中最靠近所述芯管的阻挡膜的热膨胀系数与所述芯管的热膨胀系数之间的差异在20％以内，所述多层阻挡膜中的相邻阻挡膜的热膨胀系数之间的差异小于20％，并且在所述多层阻挡膜包括三层或更多层阻挡膜的情况下，最外侧阻挡膜层的热膨胀系数与最内侧阻挡膜层的热膨胀系数之间的差异大于20％，所述芯管包括从所述腔的中心轴线径向向外延伸的翅片，并且其中所述翅片包含多个谷之间的峰，所述峰相对于所述中心轴线的径向间隔大于相应的所述谷与所述中心轴线的径向间隔。7.根据权利要求6所述的电极，其中所述起伏外表面围绕所述中心轴线沿周向延伸覆盖所...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆恩，
申请(专利权)人：迈可晟太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：