高纯二氧化锗中硅含量的电感耦合等离子体光谱法测定方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯二氧化锗中硅含量的电感耦合等离子体光谱法测定方法，包括以下步骤：S1：试剂准备；S2：制备标准溶液；S201：称取1.0000g硅，置于300mL烧杯中，并加入20mL水；S202：然后再慢慢加入20mL S1中准备的盐酸，在低温的环境下溶解，然后取下冷却后，并移入到1000mL容量瓶中，再加入1000mL S1中准备的盐酸，再用水稀释，并混合均匀；S3：称取0.5g试样，且精确到0.0001g。本发明专利技术通过本方法进行测定高纯二氧化锗中硅含量，结果准确可靠，通过该方法可以得到其硅干粮与重量法测定结果相当，可以满足高纯二氧化锗中硅含量的需要。可以满足高纯二氧化锗中硅含量的需要。

【技术实现步骤摘要】
高纯二氧化锗中硅含量的电感耦合等离子体光谱法测定方法


[0001]本专利技术涉及高纯二氧化锗中硅含量测定
，具体为高纯二氧化锗中硅含量的电感耦合等离子体光谱法测定方法。

技术介绍

[0002]有机硅具有耐高低温。电绝缘、耐候(光、放射性、臭氧)、无毒、阻燃、抗氧化等优良特性，因此被广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、化工、纺织、食品、轻工、医疗等行业。有机硅产品包括：硅烷偶联剂(如有机硅化学试剂)、生物活性有机硅、硅油、硅乳液、硅表面活性剂、高温硫化硅橡胶、液体硅橡胶、硅树脂、复合物等等。
[0003]随着有机硅产品的数量和种类的持续增长及应用领域的不断拓宽，有机硅产品的纯度以及有机硅产品的添加量是有机硅产品质量的关键因素。因此准确测定有机硅产品中硅的含量是非常重要。
[0004]目前已知的能直接进行有机硅定量分析的方法有分光光度法、化学方法、X
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射线荧光法等，分光光度法和化学方法虽然仪器设备投入比较少，但是操作复杂，测量范围不广泛，而X
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射线荧光法的仪器设备价格昂贵不适用于普本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高纯二氧化锗中硅含量的电感耦合等离子体光谱法测定方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：试剂准备；S2：制备标准溶液S201：称取1.0000g硅，置于300mL烧杯中，并加入20mL水；S202：然后再慢慢加入20mL S1中准备的盐酸，在低温的环境下溶解，然后取下冷却后，并移入到1000mL容量瓶中，再加入1000mL S1中准备的盐酸，再用水稀释，并混合均匀；S3：称取0.5g试样，且精确到0.0001g；S4：测定；S401：将S3中称取的试样置于石英坩埚中，然后加入S1中准备的盐酸溶液6mL和1mL硝酸溶液，然后盖上表面皿；S402：再将其置于密闭蒸发装置中，然后用红外灯和电炉同时加热；S403：带坩埚中溶液清亮，将红外灯关闭，继续使用电炉加热回流，加热时间为0.5小时；S404：然后取下表面皿，再用红外灯和电炉同时加热，并控制其温度在110
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130℃，带溶液蒸发至近干，再将温度调节至98
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102℃，直至溶液蒸干；S405：然后取出坩埚，并趁热加入3滴硝酸溶解残渣，然后用水洗至10mL比色管，待测；S5：然后绘制工业曲线S501：在4支10mL比色管中加入0.1mL硝酸，然后再加0.5mL铑内标标准溶液，再分别添加S2中制备的混合标准溶液0、0.50、1.00、2.00mL，然后与待测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈思宇，刘欣，徐武婷，马骏，张笙，顾雯珺，
申请(专利权)人：扬州杰嘉工业固废处置有限公司，
类型：发明
国别省市：