像素电路制造技术

本发明专利技术涉及像素电路。该像素电路包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，接收写入栅信号和数据电压并且连接到驱动晶体管的第一电极；第一补偿晶体管，接收补偿栅信号并且连接到驱动晶体管的第二电极和第二补偿晶体管的第一电极；第二补偿晶体管，接收补偿栅信号并且连接到第一补偿晶体管的第二电极和驱动晶体管的控制电极；存储电容器，接收第一电源电压并且连接到驱动晶体管的控制电极；以及节点控制晶体管，接收写入栅信号并且连接到第一补偿晶体管的第二电极。栅信号并且连接到第一补偿晶体管的第二电极。栅信号并且连接到第一补偿晶体管的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
像素电路


[0001]本专利技术的实施例涉及显示装置中的像素电路。更具体地，本专利技术的实施例涉及包括驱动晶体管、写入晶体管、补偿晶体管和栅晶体管等的像素电路。

技术介绍

[0002]通常，显示装置可以包括显示面板、驱动控制器、栅驱动器和数据驱动器。显示面板可以包括多条栅线、多条数据线以及电连接到栅线和数据线的多个像素。栅驱动器可以将栅信号提供到栅线。数据驱动器可以将数据电压提供到数据线。驱动控制器可以控制栅驱动器和数据驱动器。
[0003]总体而言，被包括在显示装置中的像素电路可以包括发光元件、存储电容器、驱动晶体管、写入晶体管、补偿晶体管和栅初始化晶体管等。在像素电路中，在像素电路中的晶体管是低温多晶硅(LTPS)晶体管的情况下，当显示装置被以低于预定驱动频率(例如，低于30Hz)驱动时，闪烁可能发生。换句话说，由于即使当晶体管关断时泄漏电流也流过晶体管，因此存储在存储电容器中的电压(即，驱动晶体管的控制电极的电压)可能因泄漏电流而变化，并且相应地，用户可能识别到亮度的改变。具体地，当像素电路包括像素电路顺序地执行栅初始化操作、数据写入操作和发光操作的结构(例如，驱动晶体管的控制电极、存储电容器的一个电极、栅初始化晶体管的一个电极和补偿晶体管的一个电极连接到预定节点)时，尽管补偿晶体管处于关断状态，但是泄漏电流可能流过补偿晶体管并且存储在存储电容器中的电压(即，驱动晶体管的控制电极的电压)可能变化。

技术实现思路

[0004]传统的像素电路可以通过将补偿晶体管配置为双晶体管来减少流过补偿晶体管的泄漏电流。然而，当显示装置以低于预定驱动频率操作时，存在减少泄漏电流的效果不显著的限制。
[0005]本专利技术的实施例提供了使由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变最小化的像素电路。
[0006]本专利技术的实施例还提供了通过包括使由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变最小化的像素电路来防止用户感知到闪烁的显示装置。
[0007]根据本专利技术的实施例，像素电路包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极、以及第二电
极。
[0008]在实施例中，第一初始化电压可以被施加到节点控制晶体管的第二电极。
[0009]在实施例中，像素电路可以进一步包括：栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极，并且节点控制晶体管的第二电极可以连接到栅初始化晶体管的第一电极。
[0010]在实施例中，当栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，写入晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
[0011]在实施例中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的第一数据写入时段中，节点控制晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以处于导通状态，并且在非发射时段的在第一数据写入时段之后的第二数据写入时段中，节点控制晶体管可以处于关断状态，并且第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以处于导通状态。
[0012]在实施例中，像素电路可以进一步包括：阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极；第二发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到发光元件的阳极电极的第二电极；以及偏置晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极。
[0013]在实施例中，栅初始化晶体管可以被配置为双晶体管。
[0014]在实施例中，偏置信号的频率可以大于写入栅信号的频率。
[0015]根据实施例，像素电路可以包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和连接到第一补偿晶体管的第二电极的第二电极。
[0016]在实施例中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中，在执行栅初始化操作和数据写入操作之后，节点控制晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
[0017]在实施例中，像素电路可以进一步包括：写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极；第二发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到发光元件的
阳极电极的第二电极；以及偏置晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极。
[0018]在实施例中，当栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，写入晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
[0019]在实施例中，栅初始化晶体管可以被配置为双晶体管。
[0020]在实施例中，偏置信号的频率可以大于写入栅信号的频率。
[0021]根据实施例，像素电路可以包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收写入栅信号的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括：发光元件；将驱动电流施加到所述发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；所述第二补偿晶体管，包括接收所述补偿栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的所述第一电极和连接到所述驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收所述写入栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的第一电极、以及第二电极。2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，第一初始化电压被施加到所述节点控制晶体管的所述第二电极。3.根据权利要求1所述的像素电路，进一步包括：栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极，并且其中，所述节点控制晶体管的所述第二电极连接到所述栅初始化晶体管的所述第一电极。4.根据权利要求3所述的像素电路，其中，当所述栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，所述写入晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管从关断状态导通到所述导通状态。5.根据权利要求1或2所述的像素电路，其中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的第一数据写入时段中，所述节点控制晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管处于导通状态，并且其中，在所述非发射时段的在所述第一数据写入时段之后的第二数据写入时段中，所述节点控制晶体管处于关断状态，并且所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管处于所述导通状态。6.根据权利要求1所述的像素电路，进一步包括：阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到所述发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极；第二发射晶体管，包括接收所述发射信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到所述发光元件的所述阳极电极的第二电极；以及偏置晶体管，包括接收所述偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到
所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极。7.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述栅初始化晶体管被配置为双晶体管。8.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述偏置信号的频率大于所述写入栅信号的频率。9.一种像素电路，包括：发光元件；将驱动电流施加到所述发光元件的驱动晶体管；阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到所述发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；所述第二补偿晶体管，包括接收所述补偿栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的所述第一电极和连接到所述驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收所述偏置信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的第二电极。10.根据权利要求9所述的像素电路，其中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
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