具有磁场补偿的写入驱动器制造技术

一种用于补偿存储器器件中的外部磁场的方法，包括将至少一个外部磁场感测元件定位成邻近至少一个存储器单元阵列，其中写入驱动器与至少一个外部磁场感测元件和至少一个存储器单元阵列电通信。对至少一个外部磁场感测元件监测指示外部磁场存在的信号。可以通过在补偿外部磁场的同时修整写入驱动器以操作存储器器件来调整对至少一个存储器单元阵列的写入电流。入电流。入电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有磁场补偿的写入驱动器

技术介绍

[0001]本专利技术总体上涉及存储器器件，并且更具体地涉及包括写入驱动器的磁性随机存取存储器(MRAM)及其布局结构。
[0002]磁性随机存取存储器(MRAM)利用与磁性物质的极性变化相关的电阻变化来存储数字信息。在一些实例中，对外部磁场的敏感性可负面地影响MRAM性能，这可导致不可恢复的故障。
[0003]已经提出了昂贵和复杂的屏蔽解决方案以允许MRAM产品在存在外部场的情况下操作。已提出其他解决方案以在检测到将改变数据或存储器操作的外部磁场的存在时关闭芯片操作。例如，已经提出包括磁场传感器的设计。另外，监视单元(watch cell)可与MRAM合并，其中监视单元为具有比MRAM位低的切换场的磁性隧道结元件。在这些设计中，系统周期性地读取监视单元的状态以确定外部场的存在，并相应地调整MRAM的性能。此类解决方案对于高性能应用可能是不可接受的。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的实施例，提供了一种用于补偿存储器器件中的外部磁场的方法，包括将至少一个外部磁场感测元件定位成邻近至少一个存储器单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于补偿存储器器件中的外部磁场的方法，包括：将至少一个外部磁场感测元件定位成邻近至少一个存储器单元阵列，其中写入驱动器与所述至少一个外部磁场感测元件和所述至少一个存储器单元阵列电通信；监测所述至少一个外部磁场感测元件的指示外部磁场存在的信号；以及通过修整所述写入驱动器来调整对所述至少一个存储器单元阵列的写入电流。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器单元阵列包括具有位单元磁性隧道结(MTJ)的位单元。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个外部磁场感测元件是监视单元。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述监视单元包括具有比所述位单元磁性隧道结(MTJ)更大的直径的监视单元磁性隧道结(MTJ)结构。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述监视单元包括监视单元磁性隧道结，所述监视单元磁性隧道结具有与所述位单元磁性隧道结(MTJ)的磁各向异性场(Hk)特性不同的磁各向异性场(Hk)特性。6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述监视单元包括到监视单元磁性隧道结的监视单元存取晶体管，所述到监视单元磁性隧道结的监视单元存取晶体管具有与到位单元磁性隧道结的位单元存取晶体管不同的尺寸。7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述监视单元包括到监视单元磁性隧道结的监视单元存取晶体管，所述到监视单元磁性隧道结的监视单元存取晶体管具有与到位单元磁性隧道结的位单元存取晶体管不同的偏置条件。8.根据权利要求3所述的方法，其中，监测所述至少一个外部磁场感测元件的指示外部磁场存在的信号包括当位单元没有在基本上相同的时间被对应编程时，测量监视单元的编程。9.根据权利要求3所述的方法，其中，监测所述至少一个外部磁场感测元件的指示外部磁场存在的信号包括测量所述监视单元的写入错误率(WER)的变化。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部磁场感测元件是磁场传感器。11.根据权利要求3所述的方法，其中，所述监视单元定位在位单元阵列块的外围中。12.一种用于补偿存储器器件中的外部磁场的方法，包括：将至少一个监视单元定位成邻近至少一个存储器单元阵列，其中写入驱动器与所述至少一个外部磁场感测元件和所述至少一个存储器单元阵列电通信；监控所述至少一个监视单元的写入错误率(WER)相对于基线写入错误率的变化，其中所述变化表示外部磁场的存在；以及通过修整所述写入驱动器来调整对所述至少一个存储器单元阵列的写入电流，以补偿通过监测所述至少一个监视单元测量的外部磁场。13.一种存储器器件，包括：至少一个位单元块，包括多个存储器单元以及在所述存储器阵列的外围中的至少一个监视单元补充组，其中所述至少一个监视单元补充组测量邻近所述多个存储器单元的外部磁场；写入驱动器电路，与至少所述多个存储器单元电通信；以及计数器，用于当所述至少一个监视单元补充组测量所述外部磁场时进行记录...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：