晶片承载装置及修复方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，公开了一种晶片承载装置及修复方法。该该晶片承载装置包括托盘和盖板，托盘用于承载晶片，托盘包括主体和耐刻蚀功能体，耐刻蚀功能体紧密嵌套在主体的外周侧上；盖板盖设于托盘上并压紧晶片的周缘，晶片的外周壁与盖板的内壁之间具有间隙，间隙的投影位于耐刻蚀功能体上。本发明专利技术提供的修复方法，用于对上述的晶片承载装置进行修复。本发明专利技术提供的晶片承载装置，通过设置耐刻蚀功能体，在对晶片进行刻蚀处理时，等离子体穿过间隙作用于耐刻蚀功能体，因耐刻蚀功能体具有较好的抗刻蚀性能，其有效减缓了纵向的等离子轰击和横向等离子化学腐蚀，因此延长了托盘的使用时间，进而提高了托盘的使用寿命。进而提高了托盘的使用寿命。进而提高了托盘的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
晶片承载装置及修复方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶片承载装置及修复方法。

技术介绍

[0002]对半导体基片或衬底的微加工技术可以用来制造平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等半导体器件。微加工制造中的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤。
[0003]图形化衬底的制造由两次图形化环节构成：(1)黄光环节，即在晶片正表面制备周期性排列的掩膜体胶柱；(2)刻蚀环节，即通过等离子体轰击带有掩膜体胶柱的晶面，“雕刻”获得巨量、规整的设计图形。其中，刻蚀环节尤为关键，与成品品质直接相关。刻蚀时，需使用铝制夹具对多片晶片进行装载，夹具载着晶片送入等离子体工艺腔室中，以对晶片进行等离子刻蚀，即“雕刻”。
[0004]如图1
‑
图3所示，铝制夹具通常由托盘100＇、盖板300＇和密封圈400＇组成，托盘100＇承托晶片200＇，盖板300＇的压爪310＇压紧晶片200＇，托盘100＇还能与刻蚀机降温系统相连以降温，起到辅助定向刻蚀的作用。晶片200＇在被刻蚀图形化的同时，夹具也在被刻蚀消耗。等离子体穿过晶片200＇和盖板300＇之间的间隙，对托盘100＇进行刻蚀，使托盘100＇表面形成凹坑500＇，长期刻蚀导致凹坑500＇横向扩展，穿透密封圈400＇所在的凹槽，使密封圈400＇外移、丧失密封功能，此时需对夹具做报废处理，因此需经常对夹具进行更换，增加了制作成本。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种晶片承载装置及修复方法，旨在提高晶片承载装置的使用可靠性，减少托盘的更换次数，进而降低制作成本。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种晶片承载装置，包括：
[0008]托盘，用于承载晶片，所述托盘包括主体和耐刻蚀功能体，所述耐刻蚀功能体紧密嵌套在所述主体的外周侧上；
[0009]盖板，盖设于所述托盘上并压紧所述晶片的周缘，所述晶片的外周壁与所述盖板的内壁之间具有间隙，所述间隙的投影位于所述耐刻蚀功能体上。
[0010]可选地，所述耐刻蚀功能体的内侧设有缺口，所述耐刻蚀功能体套设于所述主体后，所述缺口与所述主体的外壁形成容置槽，所述容置槽用于容纳密封圈，所述晶片能置于所述密封圈上。
[0011]可选地，所述主体的顶面和所述耐刻蚀功能体的顶面齐平设置，所述容置槽的纵截面为等边梯形，所述容置槽的槽口的宽度小于或等于所述容置槽的槽底的宽度。
[0012]可选地，所述槽口的宽度W1与所述槽底的宽度W2的比例为：0.8～1。
[0013]可选地，所述容置槽的深度H1为0.75mm～0.95mm。
[0014]可选地，所述耐刻蚀功能体的材质为高分子基复合材料，且所述高分子基复合材
料内设有增强体。
[0015]可选地，所述增强体为导电碳纤维或导电玻璃纤维。
[0016]可选地，所述盖板的内壁凸设有多个压爪，多个所述压爪沿周向均匀分布，所述压爪压紧于所述晶片上。
[0017]可选地，所述主体上设有环形凹槽，所述耐刻蚀功能体为环形L型结构，所述环形L型结构紧密嵌入所述环形凹槽内。
[0018]一种修复方法，用于对如上述任一方案所述的晶片承载装置进行修复，所述晶片承载装置的所述耐刻蚀功能体上形成有凹坑，所述凹坑与所述间隙正对设置，该修复方法的步骤包括：
[0019]使用高压氮气枪对所述凹坑进行吹扫，以清除灰尘；
[0020]对所述托盘进行超声处理和烘烤处理；
[0021]制备填充液；
[0022]将所述填充液注入所述凹坑内，并填满所述凹坑；
[0023]对所述托盘进行抽真空处理。
[0024]本专利技术的有益效果：本专利技术提供的晶片承载装置，设置有耐刻蚀功能体，耐刻蚀功能体紧密嵌套在主体的外周侧，晶片置于托盘后，晶片的外周壁和盖板之间的间隙投影于耐刻蚀功能体上，在对晶片进行刻蚀处理时，等离子体穿过间隙作用于耐刻蚀功能体，因耐刻蚀功能体具有较好的抗刻蚀性能，其有效减缓了纵向的等离子轰击和横向等离子化学腐蚀，因此延长了托盘的使用时间，进而提高了托盘的使用寿命。
[0025]本专利技术还提供了一种修复方法，用于对上述晶片承载装置进行修复，经长时间刻蚀之后，耐刻蚀功能体上形成与间隙正对的凹坑，通过制备填充液，将填充液填入凹坑内，避免托盘的报废，实现托盘的二次使用，有效降低了晶片承载装置的加工制作成本。
附图说明
[0026]图1是现有技术中的晶片承载装置的纵截面图；
[0027]图2是现有技术中的托盘被刻蚀后形成凹坑后的结构示意图；
[0028]图3是现有技术中的晶片承载装置的俯视图；
[0029]图4是本专利技术实施例提供的晶片承载装置的纵截面图；
[0030]图5是本专利技术实施例提供的晶片承载装置的俯视图；
[0031]图6是本专利技术实施例提供的晶片承载装置的局部剖视图。
[0032]图中：
[0033]100＇、托盘；200＇、晶片；300＇、盖板；310＇、压爪；400＇、密封圈；500＇、凹坑；
[0034]100、托盘；110、主体；120、耐刻蚀功能体；200、晶片；300、盖板；310、压爪；400、间隙；500、容置槽；600、密封圈。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0036]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0037]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0038]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0039]本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶片承载装置，其特征在于，包括：托盘(100)，用于承载晶片(200)，所述托盘(100)包括主体(110)和耐刻蚀功能体(120)，所述耐刻蚀功能体(120)紧密嵌套在所述主体(110)的外周侧上；盖板(300)，盖设于所述托盘(100)上并压紧所述晶片(200)的周缘，所述晶片(200)的外周壁与所述盖板(300)的内壁之间具有间隙(400)，所述间隙(400)的投影位于所述耐刻蚀功能体(120)上。2.根据权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，所述耐刻蚀功能体(120)的内侧设有缺口，所述耐刻蚀功能体(120)套设于所述主体(110)后，所述缺口与所述主体(110)的外壁形成容置槽(500)，所述容置槽(500)用于容纳密封圈(600)，所述晶片(200)能置于所述密封圈(600)上。3.根据权利要求2所述的晶片承载装置，其特征在于，所述主体(110)的顶面和所述耐刻蚀功能体(120)的顶面齐平设置，所述容置槽(500)的纵截面为等边梯形，所述容置槽(500)的槽口的宽度小于或等于所述容置槽(500)的槽底的宽度。4.根据权利要求3所述的晶片承载装置，其特征在于，所述槽口的宽度W1与所述槽底的宽度W2的比例为：0.8～1。5.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑桥，康凯，陈术文，陆前军，
申请(专利权)人：广东中图半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：