电子装置的封装结构的制造方法制造方法及图纸

本揭露提供一种电子装置的封装结构的制造方法，包括以下步骤。首先，在载板上形成第一晶种层。接着，在第一晶种层上形成第一金属层。之后，在第一金属层上形成第一绝缘层，其中第一绝缘层暴露出部分的第一金属层。再来，对第一绝缘层与经暴露出的部分的第一金属层进行第一等离子体处理。然后，进行第一等离子体处理后，将形成有第一晶种层、第一金属层与第一绝缘层的载板放置于微环境控制箱中。而后，将载板从微环境控制箱中取出后，在第一绝缘层与经暴露出的部分的第一金属层上形成第二晶种层。本揭露实施例的电子装置的封装结构的制造方法制造出的封装结构应用于电子装置时，可使此电子装置具有经提升的可靠度和/或电性。此电子装置具有经提升的可靠度和/或电性。此电子装置具有经提升的可靠度和/或电性。

【技术实现步骤摘要】
电子装置的封装结构的制造方法


[0001]本揭露涉及一种封装结构的制造方法，尤其涉及一种电子装置的封装结构的制造方法。

技术介绍

[0002]在制造电子装置的封装结构的过程中，在已形成绝缘层与金属层的表面上形成用于使后续金属层成长的晶种层之前，会利用表面处理装置对所述已形成的绝缘层与金属层的表面进行表面处理，以去除所述表面上的残留物而提升晶种层与所述表面的附着性；然而，在对所述表面进行表面处理后，在等待进行下一工艺(例如利用镀膜装置形成晶种层时)而将其长期暴露至大气环境时，会例如使已形成的绝缘层与金属层的表面产生缺陷(例如经水气入侵)或生成氧化物(例如金属层氧化)，导致晶种层与所述表面的附着性下降，即，进行此表面处理的效果降低，进而使包括此封装结构的电子装置具有的可靠度和/或电性下降。

技术实现思路

[0003]本揭露提供一种电子装置的封装结构的制造方法，其制造出的封装结构应用电子装置中时，此电子装置可具有经提升的可靠度和/或电性。
[0004]根据本揭露的一些实施例提供的封装结构的制造方法，其包括以下步骤。首先，在载板上形成第一晶种层。接着，在第一晶种层上形成第一金属层。之后，在第一金属层上形成第一绝缘层，其中第一绝缘层暴露出部分的所述第一金属层。再来，对第一绝缘层与经暴露出的部分的第一金属层进行第一等离子体处理。然后，进行第一等离子体处理后，将形成有第一晶种层、第一金属层与第一绝缘层的载板放置于微环境控制箱中。而后，将载板从微环境控制箱中取出后，在第一绝缘层与经暴露出的部分的第一金属层上形成第二晶种层。
[0005]为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
[0006]包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
[0007]图1为本揭露一实施例的电子装置的封装结构的制造方法的流程图；
[0008]图2为本揭露一实施例的电子装置的封装结构的剖面示意图；
[0009]图3为依据图2的电子装置的封装结构的局部放大剖面示意图；
[0010]图4为本揭露一实施例的微环境控制装置的示意图。
具体实施方式
[0011]透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使
读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
[0012]本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
[0013]本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
[0014]当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
[0015]术语“大约”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
[0016]说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
[0017]须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背专利技术精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
[0018]本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。
[0019]在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
[0020]电子装置可具有本揭露实施例的复合层电路结构。本揭露的电子装置可包括显示、天线(例如液晶天线)、发光、感测、触控、拼接、其他适合的功能、或上述功能的组合，但不以此为限。电子装置包括可卷曲或可挠式电子装置，但不以此为限。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、微型发光二极管(micro
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LED、mini
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LED)或量子点发光二极管(QLED、QDLED)，但不以此为限。下文将以显示装置或拼接装置作为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容(capacitance)、电阻(resistor)、电感(inductance)、二极管(diodes本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置的封装结构的制造方法，其特征在于，包括：在载板上形成第一晶种层；在所述第一晶种层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层暴露出部分的所述第一金属层；对所述第一绝缘层与经暴露出的所述部分的所述第一金属层进行第一等离子体处理；进行所述第一等离子体处理后，将形成有所述第一晶种层、所述第一金属层与所述第一绝缘层的所述载板放置于微环境控制箱中；以及将所述载板从所述微环境控制箱中取出后，在所述第一绝缘层与经暴露出的所述部分的所述第一金属层上形成第二晶种层。2.根据权利要求1所述的电子装置的封装结构的制造方法，其特征在于，所述微环境控制箱中的氧气浓度小于1000ppm。3.根据权利要求1所述的电子装置的封装结构的制造方法，其特征在于，所述微环境控制箱中的相对湿度小于50％。4.根据权利要求1所述的电子装置的封装结构的制造方法，其特征在于，所述微环境控制箱中的温度大于或等于25℃且小于或等于30℃。5.根据权利要求1所述的电子装置的封装结构的制造方法，其特征在于，所述微环境控制箱中的气压大于1atm。6.根据权利要求1所述的电子装置的封装结构的制造方法，其特征在于，所述微...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈清炜，张又仁，邱姿嫣，曾弘毅，叶传铭，叶恒伸，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：