一种铋锑碲合金靶材及其制备方法技术

本发明专利技术属于靶材制备领域，具体公开一种铋锑碲合金靶材及其制备方法。本发明专利技术的铋锑碲合金靶材化学成分为Bi

【技术实现步骤摘要】
一种铋锑碲合金靶材及其制备方法


[0001]本专利技术属于靶材制备领域，具体涉及一种铋锑碲合金靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]热电材料是一种能够实现电能和热能之间相互转换的功能材料，而碲化铋基合金是目前商业化应用，并且在室温温度附近的应用性最好的热电材料之一，具有无污染、无损耗、可靠性高等优异特点，有望能够大幅提高能源利用率、缓解环境污染问题。
[0003]由于无法有效降低块体热电材料的热导率，其性能研究进展缓慢。自上世纪90年代初Hicks等提出了一种材料低维化能显著提高热电材料性能的理论后，薄膜热电材料开始受到广泛关注。磁控溅射法是利用加速运动的离子轰击靶原子并沉积成膜，相比其它制备方法，采用磁控溅射法制备的碲化铋基薄膜具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜与靶材的成分一致性好、厚度控制准确等工艺优点，适于制备各种材料的多层结构薄膜，且易于实现工业化生产，是一种比较常用的薄膜制备方法。由于薄膜材料的性能与溅射靶材的性能密切相关，因此靶材的制备非常关键。
[0004]靶材一般为多晶结构，晶粒越细小则晶界面积越大，对性能的影本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铋锑碲合金靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将碲、铋、锑原料按Bi
x
Sb2‑
x
Te3，x＝0.4～0.7进行配料，再进行熔炼，经冷却后得到合金化后的晶棒；(2)将所述合金化后的晶棒依次进行熔炼、气雾化后得到合金粉体；所述合金粉体的粒度D50小于45μm；(3)将所述合金粉体进行第一次热压烧结成型，得到块体合金；所述第一次热压烧结的温度为180～360℃，所述第一次热压烧结的压力为15～20MPa，所述第一次热压烧结的时间为40～100min；(4)将所述块体合金进行第二次热压烧结，得到铋锑碲合金靶材；所述第二次热压烧结的温度为320～360℃，所述第二次热压烧结的压力为12～15MPa，所述第二次热压烧结的时间为60～80min。2.如权利要求1所述的铋锑碲合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第一次热压烧结的时间为60～80min。3.如权利要求1所述的铋锑碲合金靶材的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述气雾化的温度为680
‑
700℃；气雾化喷嘴加热的温度为400
‑
450℃，气雾化压力为1.8
‑
2.0MPa，气雾化喷嘴的直径为1.0
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：苏紫珊，蔡新志，熊平尚，童培云，朱刘，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：