本发明专利技术公开了一种用于高热流密度芯片的强化散热装置，涉及高热流密度散热技术领域，包括有芯片；以及，设置于所述芯片A外壁散热箱体，所述散热箱体的内壁设置有散热腔、换热腔；以及，输入组件，包括有设置于所述换热腔的外壁的输入管和设置于所述输入管端部的并与其连通的输入箱体；以及，输出组件，包括有设置于所述换热腔外壁的输出管道和设置于所述换热腔内的输出箱体。本发明专利技术通过通过对散热箱内的水冷工质进行间歇性的添加和更换，提高整体装置的散热性能，提高了整体的使用效果。提高了整体的使用效果。提高了整体的使用效果。
【技术实现步骤摘要】
一种用于高热流密度芯片的强化散热装置
[0001]本专利技术涉及高热流密度散热
，尤其涉及一种用于高热流密度芯片的强化散热装置。
技术介绍
[0002]随着芯片集成化程度的提高，高/超高热流密度功率芯片的散热问题成为研究热点。如服务器、交换机内的芯片，但芯片功耗达400w，其封装体积却不断减小，由此则使得部分芯片热流密度已超过200w/cm2。根据现有公开资料可知，当热流密度超过100w/cm2时，微通道技术被公认为最具有前途的高热流密度散热技术，目前已公开采用圆形或矩直形微通道直接进行水冷散热，但是水冷工质在沿微通道进行流动时，工质温度逐渐增加，由此也使得靠近工质出口处的热换散热效果要明显差于靠近工质进口处的热换散热效果，一旦靠近工质出口处的热量无法被及时带走，则会导致芯片的局部温度过高，进而导致芯片损坏，由此可知，如何实现高/超高热流密度功率芯片的高效及均匀散热是亟待解决的重要问题。
技术实现思路
[0003]本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本专利技术专利的范围。
[0004]鉴于上述和/或现有的固定结构中存在的问题：现有的高热流密度芯片的强化散热装置散热效果并不高，靠近工质出口处的热量无法被及时带走，导致芯片的局部温度过高，进而导致芯片损坏的问题，使得整体装置的实际使用效果较差。提出了本专利技术的实施方案。
[0005]因此，本专利技术所要解决的问题在于如何提供一种实现高/超高热流密度功率芯片的高效及均匀散热的装置。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种用于高热流密度芯片的强化散热装置，包括有芯片；以及，设置于所述芯片A外壁散热箱体，所述散热箱体的内壁设置有散热腔、换热腔；以及，输入组件，包括有设置于所述换热腔的外壁的输入管和设置于所述输入管端部的并与其连通的输入箱体；以及，输出组件，包括有设置于所述换热腔外壁的输出管道和设置于所述换热腔内的输出箱体。
[0007]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述换热腔的内壁贯穿开设有散热孔，且所述换热箱的内端部设置有传动扇叶，所述散热箱体内设置有隔板。
[0008]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述换热腔内活动设置有空心柱，且空心柱的一端延伸至所述散热腔内，所述空心柱的外壁设置有第一齿条，所述空心柱外壁开设有通孔。
[0009]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述输入箱体内设置有第一引流阶梯，所述输出管道内设置有第二引流阶梯。
[0010]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述换热腔内活动设置有弧形储液腔，所述弧形储液腔的外壁设置有与所述第一齿条啮合的第二齿条。
[0011]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述弧形储液腔的外壁设置有滑动块，所述弧形储液腔的内壁设置有注入口，所述弧形储液腔的内部设置有引流板。
[0012]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述隔板内壁嵌入设置有流动管道，且流动管道的一端延伸至所述散热腔内，所述流动管道的一端设置有进口，所述进口设置于所述散热腔内。
[0013]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述隔板的外壁设置有固定框，所述固定框的内壁设置有滑动槽，且所述滑动块可在所述滑动槽内滑动。
[0014]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述散热箱体的内壁设置有传动组件，包括有设置于所述传动扇叶轴向上的第一连接臂、设置于所述第一连接臂外壁的第一锥齿轮、与所述第一锥齿轮啮合的第二锥齿轮和设置于所述第二锥齿轮外壁的第二连接臂，所述传动组件还包括有与所述散热箱体内壁固定连接的固定柱，所述第二连接臂的一端设置有第一偏心轮，所述第一偏心轮的外壁设置有第二偏心轮，所述第二偏心轮的外壁设置有圆环，所述圆环的外壁设置有推杆，所述推杆的外壁设置有限位架，且所述限位架固定连接在换热腔的内壁。
[0015]作为本专利技术所述高热流密度芯片的强化散热装置的一种优选方案，其中：所述隔板内壁设置有开口槽，所述输出箱体的一端设置有围板。
[0016]本专利技术有益效果为：通过对散热箱内的水冷工质进行间歇性的添加和更换，使得靠近工质出口处的热量可以被及时带走，由此也使得靠近工质出口处的热换散热效果与靠近工质进口处的热换散热效果相同，提高散热的效果，防止芯片温度过高，提高了整体的使用效果。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的整体结构示意图；图2为本专利技术散热箱体内部结构示意图；图3为本专利技术输入组件的结构示意图；图4为本专利技术输出组件结构示意图；图5为本专利技术弧形储液腔的正视结构示意图；图6位本专利技术流动管道结构示意图；图7位本专利技术传动组件结构示意图。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，底部结合说明书附图对
本专利技术的具体实施方式做详细的说明。
[0019]在底部的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受底部公开的具体实施例的限制。
[0020]其次，此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本专利技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
[0021]实施例1参照图1~2，为本专利技术第一个实施例，该实施例提供了一种用于高热流密度芯片的强化散热装置，通过对散热箱内的水冷工质进行间歇性的添加和更换，使得靠近工质出口处的热量可以被及时带走，由此也使得靠近工质出口处的热换散热效果与靠近工质进口处的热换散热效果相同，防止芯片温度过高，提高了整体的使用效果，有效解决现有技术中存在的问题。
[0022]具体的，一种用于高热流密度芯片的强化散热装置，包括有，芯片A；以及，设置于芯片A外壁散热箱体100，散热箱体100的内壁设置有散热腔200和换热腔300；以及，输入组件301，包括有设置于散热腔300的外壁的输入管301a和设置于所述输入管301a端部并与其连通的输入箱体301b；以及，输出组件302，包括有设置于换热腔300外壁的输出管道302a和设置于换热腔300内的输出箱体302b。
[0023]其中，芯片A放置在散热箱体100的底部，通过散热箱体100的内部结构防止芯片A温度过高，散热箱体100内通过隔板103将箱体分隔成散热腔200（在箱体下部分）和换热腔300（在箱体上部分），散热腔200内被间断性的投入冷却工质本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于高热流密度芯片的强化散热装置，其特征在于：包括有，芯片(A)；以及，散热箱体(100)，设置于所述芯片(A)的外壁，所述散热箱体(100)的内壁设置有散热腔(200)和换热腔(300)；以及，输入组件(301)，包括有设置于所述换热腔(300)的外壁的输入管(301a)和设置于所述输入管(301a)端部并与其连通的输入箱体(301b)；以及，输出组件(302)，包括有设置于所述换热腔(300)外壁的输出管道(302a)和设置于所述换热腔(300)内的输出箱体(302b)。2.如权利要求1所述的用于高热流密度芯片的强化散热装置，其特征在于：所述换热腔(300)的内壁贯穿开设有散热孔(101)，且所述换热腔(300)的内端部设置有传动扇叶(102)，所述散热箱体(100)内设置有隔板(103)。3.如权利要求2所述的用于高热流密度芯片的强化散热装置，其特征在于：所述换热腔(300)内活动设置有空心柱(201)，且空心柱(201)的一端延伸至所述散热腔(200)内，所述空心柱(201)的外壁设置有第一齿条(201a)，所述空心柱(201)外壁开设有通孔(201b)。4.如权利要求1所述的用于高热流密度芯片的强化散热装置，其特征在于：所述输入箱体(301b)内设置有第一引流阶梯(301c)，所述输出管道(302a)内设置有第二引流阶梯(302c)。5.如权利要求3所述的用于高热流密度芯片的强化散热装置，其特征在于：所述换热腔(300)内活动设置有弧形储液腔(303)，所述弧形储液腔(303)的外壁设置有与所述第一齿条(201a)啮合的第二齿条(303a)。6.如权利要求5所述的用于高热流密度芯片的强化散热装置，其特征在于：所述弧形储液腔(303)的外壁设置有滑动块(303b)，所述弧形储液腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：周年勇，邹有鑫，鲍庆国，赵英杰，唐光华，吕文宇，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：
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