电流偏置电路、芯片及相应的电子装置制造方法及图纸

本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置，所述电路包括：P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第三端连接于P型快速启动模块，P型快速启动模块包括多个电容和多个开关；N型MOSFET电流镜模块，N型MOSFET电流镜模块的第三端连接于N型快速启动模块，N型快速启动模块包括多个电容和多个开关。该电路通过在包括共源共栅电流镜的电流偏置电路中加入多个电容，从而可以基于该多个电容之间的电荷分享的作用，将关键节点迅速建立到目标值附近，在加快了启动速度的同时也减小了电流过冲，并可以减小电路中的电阻。可以减小电路中的电阻。可以减小电路中的电阻。

【技术实现步骤摘要】
电流偏置电路、芯片及相应的电子装置


[0001]本公开涉及集成电路
，具体涉及一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置。

技术介绍

[0002]在比较器、放大器等一些模拟电路中都需要多路电流偏置，通过偏置电路为比较器、放大器等一些常用的模拟电路模块提供偏置电流。而在面对电池供电芯片、多级数模转换器等对功耗要求较高的实际应用场景时，需要偏置电路能够在很短的时间内启动完成。
[0003]针对相关技术中提供的传统的电流偏置电路，由于该电路中的金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
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Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)存在较大的寄生电容，使得该电路在启动过程中电流增长会较为缓慢，因此拖慢了后续被偏置电路的启动速度。

技术实现思路

[0004]为了解决相关技术中的问题，本公开实施例提供一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置。
[0005]第一方面，本公开实施例中提供了一种电流偏置电路，包括：
[0006]P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第一端连接于电源电压，第二端连接于第一偏置电压，第三端连接于P型快速启动模块，第四端经第一开关组输出P型偏置电流；
[0007]所述P型快速启动模块经第一控制开关连接于所述P型快速启动模块的第五端，包括多个电容和多个开关，所述P型快速启动模块用于通过所述多个电容和所述多个开关加速所述P型MOSFET电流镜模块的启动速度；
[0008]N型MOSFET电流镜模块，所述N型MOSFET电流镜模块的第一端连接于所述接地端，第二端连接于第二偏置电压，第三端连接于N型快速启动模块，第四端经第二开关组输出N型偏置电流，第五端经第二控制开关连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第六端；
[0009]所述N型快速启动模块经所述第二控制开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端，包括多个电容和多个开关，所述N型快速启动模块用于通过所述多个电容和所述多个开关加速所述N型MOSFET电流镜模块的启动速度。
[0010]本公开一可能的实现方式中，所述P型MOSFET电流镜模块的第五端还经所述第一控制开关和第一电阻连接于接地端。
[0011]本公开一可能的实现方式中，所述P型快速启动模块包括：第一电容、第二电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和第六开关，其中：
[0012]所述第一电容的第一端经第三开关连接于电源电压，经第二开关连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端，经第一开关连接于接地端；
[0013]所述第一电容的第二端经第四开关连接于接地端，经第五开关和第六开关连接于
接地端，经第五开关连接于所述第二电容的第一端，经第五开关和第一控制开关连接于所述P型快速启动模块的第五端；
[0014]所述第二电容的第二端连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端。
[0015]本公开一可能的实现方式中，所述N型快速启动模块包括：第三电容、第四电容、第七开关、第八开关、第九开关、第十开关、第十一开关和第十二开关，其中：
[0016]所述第三电容的第一端经第九开关连接于电源电压，经第八开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端，经第七开关连接于电源电压；
[0017]所述第三电容的第二端经第十开关连接于接地端，经第十一开关和第十二开关连接于电源电压，经第十一开关连接于所述第四电容的第一端和所述N型MOSFET电流镜模块的第三端；
[0018]所述第四电容的第二端经所述第二控制开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端。
[0019]本公开一可能的实现方式中，在所述电流偏置电路启动时，所述第一开关、所述第三开关、所述第七开关和所述第九开关从闭合状态切换为断开状态，并在延迟第一预设时长之后，所述第四开关、所述第六开关、所述第十开关和所述第十二开关从闭合状态切换为断开状态，同时所述第一控制开关、所述第二控制开关、所述第一开关组和所述第二开关组从断开状态切换为闭合状态，以及在延迟第二预设时长之后所述第二开关、第五开关、所述第八开关和所述第十一开关从断开状态切换为闭合状态。
[0020]本公开一可能的实现方式中，所述P型MOSFET电流镜模块包括：
[0021]第一组P型MOSFET，所述第一组P型MOSFET的源极均连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第一端，栅极均经第一寄生电容连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第一端，所述第一组P型MOSFET中第一P型MOSFET的栅极连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端；
[0022]第二组P型MOSFET，所述第二组P型MOSFET的栅极均连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第二端，且所述第二组P型MOSFET中每个P型MOSFET的源极均连接于所述第一组P型MOSFET中对应的一个P型MOSFET的漏极，所述第二组P型MOSFET中第一P型MOSFET的漏极连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第五端，所述第二组P型MOSFET中第二P型MOSFET的漏极连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第六端；
[0023]其中，所述第二组P型MOSFET中除第一P型MOSFET和第二P型MOSFET之外的其他P型MOSFET的漏极分别连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第四端，且经所述第一开关组中对应的一个开关输出不同的P型偏置电流。
[0024]本公开一可能的实现方式中，所述N型MOSFET电流镜模块包括：
[0025]第一组N型MOSFET，所述第一组N型MOSFET的源极均连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第一端，栅极均经第二寄生电容连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第一端，所述第一组N型MOSFET中第一N型MOSFET的栅极连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第三端；
[0026]第二组N型MOSFET，所述第二组N型MOSFET的栅极均连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第二端，且所述第二组N型MOSFET中每个N型MOSFET的源极均连接于所述第一组N型MOSFET中对应的一个N型MOSFET的漏极，所述第二组N型MOSFET中第一N型MOSFET的漏极连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端；
[0027]其中，所述第二组N型MOSFET中除第一N型MOSFET之外的其他N型MOSFET的漏极分
别连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第四端，且经所述第二开关组中对应的一个开关输出不同的N型偏置电流。
[0028]第二方面，本公开实施例中提供了一种电流偏置电路，包括：
[0029]P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第一端连接于电源电压，第二端连接于第三偏置电压，第三端经第一目标开关连接于接地端，第四端经第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流偏置电路，其特征在于，所述电流偏置电路包括：P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第一端连接于电源电压，第二端连接于第一偏置电压，第三端连接于P型快速启动模块，第四端经第一开关组输出P型偏置电流；所述P型快速启动模块经第一控制开关连接于所述P型快速启动模块的第五端，包括多个电容和多个开关，所述P型快速启动模块用于通过所述多个电容和所述多个开关加速所述P型MOSFET电流镜模块的启动速度；N型MOSFET电流镜模块，所述N型MOSFET电流镜模块的第一端连接于所述接地端，第二端连接于第二偏置电压，第三端连接于N型快速启动模块，第四端经第二开关组输出N型偏置电流，第五端经第二控制开关连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第六端；所述N型快速启动模块经所述第二控制开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端，包括多个电容和多个开关，所述N型快速启动模块用于通过所述多个电容和所述多个开关加速所述N型MOSFET电流镜模块的启动速度。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述P型MOSFET电流镜模块的第五端还经所述第一控制开关和第一电阻连接于接地端。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述P型快速启动模块包括：第一电容、第二电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和第六开关，其中：所述第一电容的第一端经第三开关连接于电源电压，经第二开关连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端，经第一开关连接于接地端；所述第一电容的第二端经第四开关连接于接地端，经第五开关和第六开关连接于接地端，经第五开关连接于所述第二电容的第一端，经第五开关和第一控制开关连接于所述P型快速启动模块的第五端；所述第二电容的第二端连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述N型快速启动模块包括：第三电容、第四电容、第七开关、第八开关、第九开关、第十开关、第十一开关和第十二开关，其中：所述第三电容的第一端经第九开关连接于电源电压，经第八开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端，经第七开关连接于电源电压；所述第三电容的第二端经第十开关连接于接地端，经第十一开关和第十二开关连接于电源电压，经第十一开关连接于所述第四电容的第一端和所述N型MOSFET电流镜模块的第三端；所述第四电容的第二端经所述第二控制开关连接于所述N型MOSFET电流镜模块的第五端。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，在所述电流偏置电路启动时，所述第一开关、所述第三开关、所述第七开关和所述第九开关从闭合状态切换为断开状态，并在延迟第一预设时长之后，所述第四开关、所述第六开关、所述第十开关和所述第十二开关从闭合状态切换为断开状态，同时所述第一控制开关、所述第二控制开关、所述第一开关组和所述第二开关组从断开状态切换为闭合状态，以及在延迟第二预设时长之后所述第二开关、第五开关、所述第八开关和所述第十一开关从断开状态切换为闭合状态。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的电路，其特征在于，所述P型MOSFET电流镜模块包
括：第一组P型MOSFET，所述第一组P型MOSFET的源极均连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第一端，栅极均经第一寄生电容连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第一端，所述第一组P型MOSFET中第一P型MOSFET的栅极连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第三端；第二组P型MOSFET，所述第二组P型MOSFET的栅极均连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第二端，且所述第二组P型MOSFET中每个P型MOSFET的源极均连接于所述第一组P型MOSFET中对应的一个P型MOSFET的漏极，所述第二组P型MOSFET中第一P型MOSFET的漏极连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第五端，所述第二组P型MOSFET中第二P型MOSFET的漏极连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第六端；其中，所述第二组P型MOSFET中除第一P型MOSFET和第二P型MOSFET之外的其他P型MOSFET的漏极分别连接于所述P型MOSFET电流镜模块的第四端，且经所述第一开关组中对应的一个开关输出不同的P型偏置电流。7.根据权利要求1
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5中任一项所述的电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯佳力，原义栋，胡毅，赵天挺，李振国，王亚彬，苏萌，苏伟，宋海飞，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：