一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底和子像素；子像素包括第一电极，第一电极包括底部电极和透明电极；相邻子像素之间设置有像素限定结构，在像素限定结构上设置有分离结构，分离结构包括多层绝缘层；分离结构包括第一分离部和第二分离部；第一分离部和第二分离部分别包括远离像素限定结构一侧的第一端部及靠近像素限定结构一侧的第二端部；第一分离部的第二端部和第二分离部的第二端部之间存在间隙，间隙暴露部分像素限定结构；沿显示面板的厚度方向，多层绝缘层在第二端部形成内缩部和延伸部；显示面板还包括多层有机膜层以及设置于多层有机膜层上层的第二电极。通过调整分离结构的端部形状，提升显示面板的显示效果。示面板的显示效果。示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]现有的微型有机发光显示装置，如硅基微型有机发光显示装置，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。
[0003]微型硅基OLED显示装置，因其像素尺寸特别小，会造成相邻像素单元串扰的问题，如何减小相邻像素单元之间的的串扰问题成为研究热点。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过对分离结构进行调整，进而保证显示面板的显示效果。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个子像素；
[0006]所述子像素包括第一电极，所述第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极，所述透明电极位于所述底部电极远离所述衬底的一侧；
[0007]相邻所述子像素之间设置有像素限定结构，在所述像素限定结构上设置有分离结构，所述分离结构包括多层绝缘层；
[0008]所述分离结构包括第一分离部和第二分离部，所述第一分离部和所述第二分离部的形状不同；
[0009]所述第一分离部和所述第二分离部分别包括远离所述像素限定结构一侧的第一端部以及靠近所述像素限定结构一侧的第二端部；所述第一端部与所述透明电极存在交叠，所述第一分离部的所述第二端部和所述第二分离部的所述第二端部之间存在间隙，所述间隙暴露部分所述像素限定结构；
[0010]沿所述显示面板的厚度方向，多层所述绝缘层在所述第二端部形成至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和所述内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；
[0011]所述显示面板还包括多层有机膜层以及设置于多层所述有机膜层上层的第二电极，所述第二电极为公共电极，所述有机膜层包括多层公共有机膜层。
[0012]第二方面，本专利技术实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板，所述显示装置为近眼显示装置。
[0013]本专利技术实施例提供一种显示面板，显示面板中相邻子像素之间设置有像素限定结构，并且在像素限定结构上设置有分离结构。具体的，分离结构包括第一分离部和第二分离部，并且第一分离部和第二分离部的端部分别与透明电极和像素限定结构存在交叠，同时第一分离部和第二分离部靠近像素限定结构存在间隙。进一步的，在分离结构中，多层绝缘层在第二端部包括内缩部和延伸部，即对分离结构中绝缘层长短的调整，可以保证不同子
像素之间多层有机膜层中至少一层公共有机膜层在分离结构的第二端部处断开，通过断开的公共有机膜层阻断相邻两个子像素之间的漏电流，消除相邻两个子像素之间的串扰，保证显示面板的显示效果。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0016]图2是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0017]图3是图1中A区域的一种放大示意图；
[0018]图4是本专利技术实施例提供的一种分离结构的结构示意图；
[0019]图5是图2中B区域的一种放大示意图；
[0020]图6是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0021]图7是本专利技术实施例提供的一种子像素的放大示意图；
[0022]图8是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0023]图9是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0024]图10是本专利技术实施例提供的一种像素限定结构的结构示意图；
[0025]图11是本专利技术实施例提供的另一种像素限定结构的结构示意图；
[0026]图12是本专利技术实施例提供的另一种像素限定结构的结构示意图；
[0027]图13是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0028]图14是本专利技术实施例提供的一种第一分离结构的结构示意图；
[0029]图15是本专利技术实施例提供的一种第二分离结构的结构示意图；
[0030]图16是本专利技术实施例提供的一种第三分离结构的结构示意图；
[0031]图17是本专利技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0032]图18是本专利技术实施例提供的另一种第一分离结构的结构示意图；
[0033]图19是本专利技术实施例提供的另一种第二分离结构的结构示意图；
[0034]图20是本专利技术实施例提供的另一种第三分离结构的结构示意图；
[0035]图21是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0036]图22是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0037]图23是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0038]图24是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0039]图25是本专利技术实施例提供的一种有机膜层的结构示意图；
[0040]图26是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0041]图27是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0042]图28是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0043]图29是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0044]图30是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0045]图31是本专利技术实施例提供的另一种分离结构的结构示意图；
[0046]图32是本专利技术实施例提供的另一种子像素的结构大示意图；
[0047]图33是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0048]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0049]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个子像素；所述子像素包括第一电极，所述第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极，所述透明电极位于所述底部电极远离所述衬底的一侧；相邻所述子像素之间设置有像素限定结构，在所述像素限定结构上设置有分离结构，所述分离结构包括多层绝缘层；所述分离结构包括第一分离部和第二分离部，所述第一分离部和所述第二分离部的形状不同；所述第一分离部和所述第二分离部分别包括远离所述像素限定结构一侧的第一端部以及靠近所述像素限定结构一侧的第二端部；所述第一端部与所述透明电极存在交叠，所述第一分离部的所述第二端部和所述第二分离部的所述第二端部之间存在间隙，所述间隙暴露部分所述像素限定结构；沿所述显示面板的厚度方向，多层所述绝缘层在所述第二端部形成至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和所述内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；所述显示面板还包括多层有机膜层以及设置于多层所述有机膜层上层的第二电极，所述第二电极为公共电极，所述有机膜层包括多层公共有机膜层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述延伸部包括上表面和下表面，所述上表面的长度小于所述下表面的长度，所述上表面和所述下表面之间的侧面与所述下表面形成的夹角小于60度。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多层所述绝缘层包括依次叠层设置的至少四层绝缘层，任意相邻三层所述绝缘层包括依次叠层设置的第i绝缘层，第i+1绝缘层和第i+2绝缘层，其中，所述第i绝缘层和所述第i+2绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部均为所述延长部，所述第i+1绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述内缩部；或者，所述第i绝缘层和所述第i+2绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部均为所述内缩部，所述第i+1绝缘层朝向所述像素限定结构的端部为所述延长部；所述i为正整数。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，多层所述绝缘层包括依次叠层设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述内缩部，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述延长部。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的所述内缩部的长度大于所述第三绝缘层的所述内缩部的长度；所述第二绝缘层的所述延长部的长度大于所述第四绝缘层的所述延长部的长度。6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层为第一种材料，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层为第二种材料，并且所述第一种材料和所述第二种材料不同。7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的厚度为10～100nm，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的厚度为20～100nm。8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，多层所述绝缘层包括依次叠层设置的
第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层，所述第一绝缘层、所述第三绝缘层和所述第五绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述延长部，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述内缩部。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层的所述内缩部的长度大于所述第四绝缘层的所述内缩部的长度；所述第一绝缘层的所述延长部的长度大于所述第三绝缘层的所述延长部的长度，所述第三绝缘层的所述延长部的长度大于所述第五绝缘层的所述延长部的长度。10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第三绝缘层和所述第五绝缘层为第一种材料，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层为第二种材料，并且所述第一种材料和所述第二种材料不同。11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的厚度为10～100nm，所述第一绝缘层、所述第三绝缘层和所述第五绝缘层的厚度为20～100nm。12.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定结构的材料为氧化硅或氮化硅。13.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述子像素包括显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述透明电极包括设置于所述第一子像素的底部电极上的第一透明电极，设置于所述第二子像素的底部电极上的第二透明电极，设置于所述第三子像素的底部电极上的第三透明电极；所述第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极的厚度不同。14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述第一分离部的第二端部与所述像素限定结构交叠且具备第一交叠面积，所述第二分离部的第二端部与所述像素限定结构交叠且具备第二交叠面积；所述第一交叠面积与所述第二交叠面积相同。15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述第一分离部的第二端部与所述透明电极交叠且具备第三交叠面积，所述第二分离部的第二端部与所述透明电极交叠且具备第四交叠面积；存在所述第三交叠面积和所述第四交叠面积不同。16.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述透明电极包括远离所述衬底一侧顶面，沿所述显示面板的厚度方向，所述第一分离部的第一端部与所述顶面交叠且具备第五交叠面积，所述第二分离部的所述的第一端部与顶面交叠且具备第六交叠面积；所述第五交叠面积与所述第六交叠面积相同。17.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一电极中，厚度最小的所述第一电极的厚度为D1；任意两个所述像素限定结构的厚度相同，且所述像素限定结构的厚度为d1；其中，0≤D1－d1≤50nm。18.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一电极中，厚度较小的所述第一电极的厚度为D2；该相邻两个所述第一电极之间的所述像素限定结构的厚度为d2；
其中，0≤D2－d2≤50nm。19.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一电极中，厚度较大的所述第一电极的厚度为D3；该相邻两个所述第一电极之间的所述像素限定结构的厚度为d3；其中，0≤D3－d3≤50nm。20.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极的厚度小于所述第二透明电极的厚度，所述第二透明电极的厚度小于所述第三透明电极的厚度；在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中，所述像素限定结构的厚度和所述第一子像素的第一电极的厚度差最小。21.如权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素和所述第二子像素之间的分离结构为第一分离结构，所述第二子像素和所述第三子像素之间的分离结构为第二分离结构，所述第一子像素和所述第三子像素之间的分离结构为第三分离结构；所述第一分离结构、所述第二分离结构和所述第三分离结构的形状不同。22.如权利要求21所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明电极包括高于所述第一透明电极的上部，所述第三透明电极包括和高于所述第一透明电极的上部；在所述第一分离结构中，所述第一分离部与所述像素限定结构的顶面平行；所述第二分离部为与所述像素限定结构的顶面平行的第一部分、倾斜设置的第二部分、与所述第二透明电极顶面平行的第三部分，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分依次连接，所述第二部分覆盖所述第二透明电极上部的一个侧面；在所述第二分离结构中，所述第一分离部为与所述第二透明电极顶面平行的第四部分、倾斜设置的第五部分、与所述像素限定结构的顶面平行的第六部分，所述第四部分、所述第五部分、所述第六部分依次连接，所述第六部分覆盖所述第二透明电极上部的另一个侧面；所述第二分离部为与所述像素限定结构的顶面平行的第七部分、倾斜设置的第八部分、与所述第三透明电极顶面平行的第九部分，所述第七部分、所述第八部分、所述第九部分依次连接，所述第八部分覆盖所述第三透明电极上部的一个侧面；在所述第三分离结构中，所述第一分离部为与所述第三透明电极顶面平行的第十部分、倾斜设置的第十一部分、与所述像素限定结构的顶面平行的第十二部分，所述第十部分、所述第十一部分、所述第十二部分依次连接，倾斜设置的所述第十一部分覆盖所述第三透明电极上部的另一个侧面；所述第二分离部与所述像素限定结构的顶面平行。23.如权利要求22所述的显示面板，其特征在于，所述第二部分和所述第五部分分别向所述第二透明电极一侧倾斜并且和所述衬底之间具有小于等于60度的倾斜度；所述第八部分和所述第十一部分分别向所述第三透明电极一侧倾斜并且和所述衬底之间具有小于等于60度的倾斜度。24.如权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素的第一电极的厚度为D1，所述像素限定结构的厚度为d1，并且0≤D1－d1≤50nm。25.如权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定结构的厚度等于所述底部电极与所述第一透明电极的厚度和。26.如权利要求13...

【专利技术属性】
技术研发人员：高志扬，曾章和，居宇涵，王超，
申请(专利权)人：视涯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：