一种化学机械抛光系统的故障诊断方法技术方案

技术编号:38339644 阅读:12 留言:0更新日期:2023-08-02 09:20
本发明专利技术公开了一种化学机械抛光系统的故障诊断方法,应用于气液箱的故障管理,其包括:获取检测数据;根据所述检测数据确定所述气液箱的运行状态;所述检测数据包括气液箱处于打开状态的持续时间,若气液箱打开的持续时间大于或等于预设阈值时间,则所述气液箱处于故障状态;若气液箱打开的持续时间小于预设阈值时间,则所述气液箱未发生故障。则所述气液箱未发生故障。则所述气液箱未发生故障。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光系统的故障诊断方法


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
,具体而言,涉及一种化学机械抛光系统的故障诊断方法。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体,芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中,化学机械抛光属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面,晶圆具有沉积层的一面抵接抛光垫上表面,承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷;抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间,使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
[0004]化学机械抛光系统包括抛光单元和清洗单元等,为了保证抛光单元和清洗单元的正常运行,一般需要为其配置多个气液箱。
[0005]现有技术中,气液箱以抽拉的方式设置在机台的下部。若某个气液箱发生故障,则需要将气液箱抽拉外露,以便于维护人员开展检查和维修。
[0006]由于气液箱的数量较多,现有的纸质文件无法准确记录气液箱的故障位置、故障时间等信息。这不利于自动汇总CMP系统的故障信息,不利于综合判定CMP系统的运行情况。

技术实现思路

[0007]本专利技术实施例提供了一种化学机械抛光系统的故障诊断方法,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0008]本专利技术实施例的第一方面提供了一种化学机械抛光系统的故障诊断方法,其包括:
[0009]获取检测数据;
[0010]根据所述检测数据确定所述气液箱的运行状态;
[0011]所述检测数据包括气液箱处于打开状态的持续时间;若气液箱打开的持续时间大于或等于预设阈值时间,则所述气液箱处于故障状态;若气液箱打开的持续时间小于预设阈值时间,则所述气液箱未发生故障。
[0012]在一些实施例中,所述检测数据包括气液箱的故障次数,其使用计数器获取;若所述气液箱发生故障,则累加所述计数器的计数值。
[0013]在一些实施例中,所述检测数据还包括气液箱的故障时间,其使用计时器获取。
[0014]在一些实施例中,所述气液箱的故障时间由第一计时器和第二计时器检测获取。
[0015]在一些实施例中,若所述气液箱发生故障,则由第一计时器记录所述气液箱故障
时间的累加值,由第二计时器记录所述气液箱故障时间的最大值。
[0016]在一些实施例中,若第二计时器记录的故障时间大于所述第二计时器中的保存时间,则更新第二计时器中的保存时间。
[0017]在一些实施例中,若气液箱的平均故障时间大于所述预设阈值时间的1.5倍,则更新预设阈值时间。
[0018]在一些实施例中,所述检测数据还包括气液箱的故障位置和最长故障时间。
[0019]本专利技术实施例的第二方面提供了一种控制设备,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的应用程序,所述处理器执行所述应用程序时实现如上面所述化学机械抛光系统的故障诊断方法的步骤。
[0020]本专利技术实施例的第三方面提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有应用程序,所述应用程序被处理器执行时实现如上面所述化学机械抛光系统的故障诊断方法的步骤。
[0021]本专利技术的有益效果包括:
[0022]a.使用计数器获取气液箱的故障位置及故障次数,以全面掌握CMP系统气液路的运行情况;
[0023]b.使用计时器获取气液箱的故障时间并比对获得最长故障时间,视需更新预设阈值时间,以优化气液箱故障状态的判定。
附图说明
[0024]通过结合以下附图所作的详细描述,本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解,这些附图只是示意性的,并不限制本专利技术的保护范围,其中:
[0025]图1是本专利技术一实施例提供的化学机械抛光系统故障诊断方法的流程图;
[0026]图2是本专利技术一实施例提供的化学机械抛光系统的示意图;
[0027]图3是本专利技术一实施例提供的化学机械抛光系统对应气液箱的示意图;
[0028]图4是本专利技术另一实施例提供的化学机械抛光系统故障诊断方法的流程图;
[0029]图5是本专利技术一实施例提供的气液箱的示意图;
[0030]图6是本专利技术一实施例提供的限位机构处于打开状态的示意图;
[0031]图7是本专利技术一实施例提供的支撑杆的示意图;
[0032]图8是本专利技术一实施例提供的防护套的示意图;
[0033]图9是本专利技术一实施例提供的气液箱位于CMP机台外侧的示意图;
[0034]图10是本专利技术一实施例提供的控制设备的示意图。
具体实施方式
[0035]下面结合具体实施例及其附图,对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式,用于说明本专利技术的构思;这些说明均是解释性和示例性的,不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
[0036]本说明书的附图为示意图,辅助说明本专利技术的构思,示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是,为了便于清楚地表现出本专利技术实施例的各部件的结构,各附图之间并未按照相同的比例绘制,相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
[0037]在本专利技术中,“化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)”也称为“化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)”,晶圆(Wafer,W)也称基板(Substrate),其含义和实际作用等同。
[0038]本专利技术一实施例提供的一种化学机械抛光系统的故障诊断方法的流程图,如图1所示,一种化学机械抛光系统的故障诊断方法,包括:
[0039]获取检测数据;
[0040]根据所述检测数据确定所述气液箱的运行状态。
[0041]其中,所述检测数据包括气液箱处于打开状态的持续时间。
[0042]若气液箱打开的持续时间大于或等于预设阈值时间,则所述气液箱处于故障状态;
[0043]若气液箱打开的持续时间小于预设阈值时间,则所述气液箱未发生故障。
[0044]图2是本专利技术一实施例提供的化学机械抛光系统的示意图,化学机械抛光系统的配置有多个抽拉的气液箱,所述气液箱设置于CMP系统的下方,以保障抛光单元和清洗单元的正常运行。可以理解的是,图2中仅示意性地示出了4套气液箱,气液箱也可以为其他数量,即设计人员可根据本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光系统的故障诊断方法,应用于气液箱的故障管理,其特征在于,包括:获取检测数据;根据所述检测数据确定所述气液箱的运行状态;所述检测数据包括气液箱处于打开状态的持续时间;若气液箱打开的持续时间大于或等于预设阈值时间,则所述气液箱处于故障状态;若气液箱打开的持续时间小于预设阈值时间,则所述气液箱未发生故障。2.如权利要求1所述的化学机械抛光系统的故障诊断方法,其特征在于,所述检测数据包括气液箱的故障次数,其使用计数器获取;若所述气液箱发生故障,则累加所述计数器的计数值。3.如权利要求1所述的化学机械抛光系统的故障诊断方法,其特征在于,所述检测数据还包括气液箱的故障时间,其使用计时器获取。4.如权利要求3所述的化学机械抛光系统的故障诊断方法,其特征在于,所述气液箱的故障时间由第一计时器和第二计时器检测获取。5.如权利要求4所述的化学机械抛光系统的故障诊断方法,其特征在于,若所述气液箱发生故障,则由第一计时器记录所述气液箱故障时间的...

【专利技术属性】
技术研发人员:岳智伟张云飞王振高周斌
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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