一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法技术

本发明专利技术公开一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，工艺流程为：取样—预处理—贴膜—制版—蚀刻—退膜—翘曲高度测量—评价；本发明专利技术公开的一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法通过预处理除去铜带表面的润滑油、乳化液及汗渍等，避免因清洗不完全导致贴膜后铜带表面的感光胶脱落，而在蚀刻过程中造成样品的损伤；本发明专利技术解决了蚀刻用引线框架铜带应力测试的难题，操作简便，能够根据测试结果判断是否满足使用需求。是否满足使用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法


[0001]本专利技术涉及有色金属冶炼以及加工
，尤其涉及一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法。

技术介绍

[0002]引线框架是集成电路(IC)中支撑芯片、连接外部电路、散走热量的关键部件。随着电路集成度的提高，引线框架向高精密化、节距微细化、多脚化方向发展。由于冲压法的加工精度较差，无法满足日益增高的应用要求，蚀刻法正在或者已经成为制造极大规模集成电路引线框架的主流方法。
[0003]在实际生产中由于铜带存在着应力不均的问题，蚀刻过程中会对应力不均的材料产生应力释放，导致引线框架引脚很容易发生变形，造成产品不良，所以需要有一种简便的蚀刻测试方法，判断铜材料是否满足使用需求。
[0004]因此，对上述技术问题做进一步探索与实践很有必要。

技术实现思路

[0005](一)要解决的技术问题
[0006]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，解决了蚀刻用引线框架铜带应力测试的难题，操作简便，能够根据测试结果判断是否满足使用需求。
[0007](二)技术方案
[0008]本专利技术解决上述问题所采用的技术方案是：
[0009]一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，工艺流程为：取样—预处理—贴膜—制版—蚀刻—退膜—翘曲高度测量—评价。
[0010]进一步，贴膜之后需要进行烘干处理，制版完成后还需要进行曝光和显影，具体步骤如下；
[0011]步骤一，取样：取长度为100～200mm、宽度为30～100mm的铜带；
[0012]步骤二，预处理：对样品表面做除油、除锈、除膜、抛光处理；
[0013]步骤三，贴膜：在样品的表面喷涂感光胶；
[0014]步骤四，烘干：将涂有感光胶的样品放入焗炉中进行烘干，烘干温度为30～120℃；
[0015]步骤五，制版：绘制图案，并将所绘制的图案打印到胶片纸上；
[0016]步骤六，曝光：将带有图案的胶片纸与样品的两面对齐后放入曝光机进行曝光，曝光时间为3～8分钟；
[0017]步骤七，显影：将曝光后的样品放入显影机，用显影溶液将未曝光部分的感光胶溶解。
[0018]步骤八，蚀刻：取浓度为20％～40％的硝酸溶液倒入测试容器，将显影后的样品放入硝酸溶液中进行蚀刻，蚀刻程度为10％～100％，蚀刻完成后取出，并用清水冲洗干净；
[0019]步骤九，退膜：将蚀刻后的样品放入1％～4％浓度的氢氧化钠溶液中并加热至40～60℃，将样品表面的感光材料剥离；
[0020]步骤十，翘曲高度测量：将蚀刻后的样品放置到标准平台上，用游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；
[0021]步骤十一，评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行评价。
[0022]上述技术方案中，预处理的目的在于除去铜带表面的润滑油、乳化液及汗渍等，清洗不完全会导致贴膜后铜带表面的感光胶脱落，在蚀刻过程中会造成样品的损伤；曝光在紫外光的照射下，光引发剂吸收光能分解成游离基，游离基再引发不聚合单体进行聚合交联反应，反应后形成不溶于稀碱溶液的体型大分子结构，光源的选择，曝光时间的控制，照相底版的质量等，都是影响曝光成像质量的重要因素；退膜步骤中，氢氧化钠具有强腐蚀性，其与样品表面的感光材料发生化学反应，从而将样品表面的感光材料剥离。
[0023]进一步，在取样、制版和蚀刻完成后均进行一次厚度测量，本技术方案用于半蚀刻应力测试，具体步骤如下；
[0024]步骤一，取样：取长度为100～200mm、宽度为30～100mm的铜带；
[0025]步骤二，预处理：对样品表面做除油、除锈、除膜、抛光处理；
[0026]步骤三，一次厚度测量：用数显千分尺测量样品的厚度，记录为a；
[0027]步骤四，覆膜：在样品的表面贴上耐酸胶带；
[0028]步骤五，制版：在耐酸胶带上绘制10mm
×
100mm的长方形图案，并沿着所绘制的图案进行裁剪，将多余的样品裁去；
[0029]步骤六，二次厚度测量：用数显千分尺测量贴有耐酸胶带的样品厚度，记录为b，耐酸胶带的厚度c＝b
‑
a；
[0030]步骤七，蚀刻：取500ml浓度为20％～40％的硝酸溶液倒入测试容器，将制版后的样品放入硝酸溶液中进行蚀刻，一段时间后取出并用清水冲洗干净；
[0031]步骤八，三次厚度测量：用数显千分尺测量蚀刻后的样品厚度，记录为d，蚀刻程度e＝(b
‑
d)/a
×
100％；若e≥10％，则进行下一步；否则，重复步骤七；
[0032]步骤九，退膜：将蚀刻后的样品表面的耐酸胶带剥离；
[0033]步骤十，翘曲高度测量：将蚀刻后的样品放置到标准平台上，用游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；
[0034]步骤十一，评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行评价。
[0035]进一步，硝酸溶液温度为25～35℃。
[0036]进一步，所述清洗液的成分包括氢氧化钠、碳酸钠和二烷基苯磺酸钠。
[0037]进一步，所述步骤七中的显影溶液为5
‰
～12
‰
浓度的碳酸钠溶液，温度为30～40℃。
[0038]上述技术方案中，显影时活性基团羧基
‑
COOH与碳酸钠反应，生成亲水性基团
‑
COONa，从而把未曝光的部分溶解下来，曝光的部分不被溶解。
[0039]进一步，蚀刻流程采用蚀刻机按2～15米/分的速度进行蚀刻。
[0040]本专利技术所述“浓度”均为质量浓度。
[0041](三)有益效果
[0042]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
[0043](1)本专利技术所提供的一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，通过预处理除去铜带表面的润滑油、乳化液及汗渍等，避免因清洗不完全导致贴膜后铜带表面的感光胶脱落，而在蚀刻过程中造成样品的损伤；
[0044](2)本专利技术所提供的一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，解决了蚀刻用引线框架铜带应力测试的难题，操作简便，能够根据测试结果判断是否满足使用需求。
具体实施方式
[0045]下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0046]实施例1
[0047]牌号：C19400
[0048]厚度：0.20mm
[0049]状态：H04
[0050]翘曲高度要求：≤0.75mm
[0051]测试流程如下；
[0052]步骤一，取样：取长度为120mm、宽度为40mm的铜带；
[0053]步骤二，预处理：对样品表面做除油、除锈、除膜、抛光处理；
[0054]步骤三，贴膜：在样品的表面喷涂感光胶；
[0055]步骤四，烘干：将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，其特征在于，工艺流程为：取样—预处理—贴膜—制版—蚀刻—退膜—翘曲高度测量—评价。2.根据权利要求1所述的蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，其特征在于，贴膜之后需要进行烘干处理，制版完成后还需要进行曝光和显影，具体步骤如下；步骤一，取样：取长度为100～200mm、宽度为30～100mm的铜带；步骤二，预处理：对样品表面做除油、除锈、除膜、抛光处理；步骤三，贴膜：在样品的表面喷涂感光胶；步骤四，烘干：将涂有感光胶的样品放入焗炉中进行烘干，烘干温度为30～120℃；步骤五，制版：绘制图案，并将所绘制的图案打印到胶片纸上；步骤六，曝光：将带有图案的胶片纸与样品的两面对齐后放入曝光机进行曝光，曝光时间为3～8分钟；步骤七，显影：将曝光后的样品放入显影机，用显影溶液将未曝光部分的感光胶溶解；步骤八，蚀刻：取浓度为20％～40％的硝酸溶液倒入测试容器，将显影后的样品放入硝酸溶液中进行蚀刻，蚀刻程度为10％～100％，蚀刻完成后取出，并用清水冲洗干净；步骤九，退膜：将蚀刻后的样品放入1％～4％浓度的氢氧化钠溶液中并加热至40～60℃，将样品表面的感光材料剥离；步骤十，翘曲高度测量：将蚀刻后的样品放置到标准平台上，用游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；步骤十一，评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行评价。3.根据权利要求1所述的蚀刻用引线框架铜带应力的测试方法，其特征在于，在取样、制版和蚀刻完成后均进行一次厚度测量，具体步骤如下；步骤一，取样：取长度为100～200mm、宽度为30～100mm的铜带；步骤二，预处理：通过用清洗液对样品表面做除油、除锈、除膜、抛光处理；步骤三，一次厚度测量：用数显千分...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建伟，陈科尹，苑和锋，
申请(专利权)人：宁波兴业鑫泰新型电子材料有限公司宁波鑫悦合金材料有限公司，
类型：发明
国别省市：