电镀磁体和电镀磁体的制备方法技术

本发明专利技术提供了电镀磁体和电镀磁体的制备方法，电镀磁体的制备方法包括：S100、将磁体原料加工成黑片；S200、将黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；S300、将热处理黑片进行电镀得到电镀片；S400、将电镀片进行预处理后进行热处理得到电镀磁体。后进行热处理得到电镀磁体。后进行热处理得到电镀磁体。

【技术实现步骤摘要】
电镀磁体和电镀磁体的制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性材料电镀领域，具体而言，涉及一种电镀磁体和电镀磁体的制备方法。

技术介绍

[0002]稀土类永磁体由于具有较高的磁特性，因此在电动机、音圈马达、手机配件等各种各样的领域中被使用。但是由于稀土类永磁体的生产工艺特殊性，永磁体不可能直接加工成电动机、音圈马达、手机配件中的形状，而需对黑体毛坯进行加工。但在加工过程各个工序会对磁体表面进行破坏，损伤基体的性能同时也不利于电镀工序的顺利进行。若在加工后对磁体进行再处理，磁体的合格率也会降低。磁体包含反应性高的稀土类元素R，在大气中容易被氧化腐蚀，不经过任何表面处理进行使用的情况下，易腐蚀生锈导致磁性能下降。因此，目前常采用在稀土类永磁体表面形成防护性镀层的方法来提高永磁体的耐腐蚀性能，防护性镀层可以阻碍腐蚀相与基体之间相互接触从而减缓磁体的腐蚀。形成防护性镀层的方法主要有电镀、化学镀等。其中，电镀因其技术门槛低、工艺成熟、价格低廉而被广泛地应用于钕铁硼永磁体的防护，最终成品的小磁钢在组装各种器件时，受限于磁钢组件的条件，磁钢并不是饱和充磁使用，所以如何在适当的电压下使磁钢尽可能达到很高的磁场也是本领域技术人员一直面临的挑战。
[0003]在3C领域，黑体毛坯加工成各种形状的小黑片磁钢，对基体表面的破坏尤其严重，黑片磁体的抗衰减能力和充磁特性大幅度降低，其高温减磁率通常为2～15％，将已经电镀后的钕铁硼材料测完磁通后，在100℃放置2.5小时后降温到常温，再次测钕铁硼永磁材料的磁通值，两次磁通值变化的百分比就是高温减磁率。同样对黑片磁体进行电镀过程中，对磁体再一次损伤，其高温件减磁率通常为2％
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20％。目前，业内提高电镀后磁体的高温减磁率的方法主要集中在对电镀液和镀层的改进。
[0004]专利CN104213164A公开了一种电镀方法，改善了电镀液成分，采用无氰的镀铜液形成无氰型铜层，从而达到降低材料高温减磁率的效果。专利CN101728042B公开了一种表面处理方法，先用钾盐镀锌液电镀锌层，再电镀中性镍层，使磁体的高温减磁率较低。而如何能在不改变加工条件、电镀液和电镀层的情况下，寻找出提高磁体抗磁衰减能力和充磁特性不良方法，是本领域技术人员一直面临的挑战。本专利技术人发现通过对黑片和电镀片进行行业内适用热处理方式能有效改善黑片、电镀片的高温减磁、黑片的表面粗糙度以及镀层的结合力，可由于进行一般的热处理，由于加工和电镀后的成品都很小，常规的热处理方式对小产品在整个过程中内应力产生和释放的速率很大，极易造成产品产生断裂，影响产品的合格率。因此，如何既能在热处理的条件下改善磁体的高温减磁数据，又能降低磁钢热处理过程中内应力的产生和释放速率而改善磁体的断裂一直是需要解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在解决上述技术问题的至少之一。
[0006]为此，本专利技术的第一目的在于提供一种电镀磁体的制备方法。
[0007]本专利技术的第二目的在于提供一种电镀磁体。
[0008]为实现本专利技术的第一目的，本专利技术实施例提供一种电镀磁体的制备方法，包括：
[0009]S100、将磁体原料加工成黑片；
[0010]S200、将黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；
[0011]S300、将热处理黑片进行电镀得到电镀片；
[0012]S400、将电镀片进行预处理后进行热处理得到电镀磁体。
[0013]本专利技术通过在电镀前对黑片预处理后进行热处理以及在电镀后对电镀片预处理后进行热处理，加工成黑片热处理后可以修复主相的磁畴以及和晶界相的结合力，降低电镀对基体的损伤影响，而电镀后的热处理可以重新修复与镀层接触部分的基体的磁畴和缺陷，使基体与镀层接触部分的组织更加致密。且能恢复预处理时对基体内晶粒的损伤，降低技术磁化过程中的杂散场，达到修复基体性能的效果，提高电镀后磁体的高温减磁和充磁特性，最终达到使黑片磁体受热冷却均匀，改善热处理过程中因温度产生的内应力的变化速率、磁体的力学性能以及磁体的热减磁不良和充磁不良的问题，利于进一步加工和电镀，通过改善黑片表面的粗糙度，增强了磁体与镀层的结合力，该方法适用于生产小规格的电镀磁体，尤其是用于3C行业产品的电镀磁体，该方法不仅改善了小规格电镀磁体的稳定性，也提高了电镀后磁体利用的利用率。
[0014]另外，本专利技术上述实施例提供的技术方案还可以具有如下技术特征：
[0015]上述技术方案中，磁体原料的成分包括：29wt％至32wt％的R，0wt％至2wt％的Dy和/或Tb，1.2wt％至1.8wt％的M，0.2wt％至0.3wt％的Ga，0.93wt％至1.0wt％的B，其余为Fe及不可避免的杂质元素；其中，R为包括Pr和/或Nd，且不包含Dy和Tb的稀土元素，Pr和/或Nd在R中的占比为98wt％至100wt％；M为Al、Cu、Nb、Zr、Ti、Co、Sn中的至少一种。
[0016]采用的磁体原料的组成与镀层的结合力强，制成的电镀磁体的电镀层的表面致密均匀，具有优异的防腐性能。
[0017]上述任一技术方案中，S200中预处理为将黑片掩埋在埋料中。
[0018]对黑片采用掩埋的方式进行热处理，使黑片受热冷却均匀，改善热处理过程中因温度产生的内应力的变化速率和磁体的力学性能，利于进一步加工和电镀。
[0019]上述任一技术方案中，S200中热处理包括：第一段热处理，第一段热处理为真空热处理，温度为850℃至950℃，时间为2h至3h；第二段热处理，第二段热处理为真空热处理，温度为450℃至550℃，时间为5h至6h。
[0020]采用热处理可以修复黑片表面的缺陷，同时改善表面的粗糙度，以提高后续电镀时与镀层的结合力；采用上述温度和时间的两段热处理可以达到较好的处理效果。
[0021]上述任一技术方案中，S400中预处理为将电镀片掩埋在埋料中。
[0022]对电镀片采取掩埋的方式，使得电镀片在热处理过程中内应力的变化温和，杜绝断裂的风险。
[0023]上述任一技术方案中，S400中热处理为真空环境，温度450℃至550℃，时间5h至6h。
[0024]对电镀后的热处理可以重新修复与镀层接触部分的基体的磁畴和缺陷，使基体与镀层接触部分的组织更加致密。且能恢复预处理时对基体内晶粒的损伤，降低技术磁化过
程中的杂散场，达到修复基体性能的效果，提高电镀后磁体的高温减磁和充磁特性。
[0025]上述任一技术方案中，埋料为导热材料。
[0026]导热材料可以将热处理时的热量较好地传递给掩埋在其中的黑片或电镀片，使其受热冷却均匀，降低磁体热处理过程中内应力改变的速率，改善制成的电镀磁体的稳定性。
[0027]上述任一技术方案中，导热材料为石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆中的一种或几种。
[0028]石墨、石英砂、氧化铝和氧化锆均为导热性能良好的材料，将黑片或电镀片掩埋在上述材料中，可以达到使黑片或电镀片受热冷群均匀得到效果。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电镀磁体的制备方法，其特征在于，包括：S100、将磁体原料加工成黑片；S200、将所述黑片进行预处理后进行热处理得到热处理黑片；S300、将所述热处理黑片进行电镀得到电镀片；S400、将所述电镀片进行预处理后进行热处理得到所述电镀磁体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁体原料的成分包括：29wt％至32wt％的R，0wt％至2wt％的Dy和/或Tb，1.2wt％至1.8wt％的M，0.2wt％至0.3wt％的Ga，0.93wt％至1.0wt％的B，其余为Fe及不可避免的杂质元素；其中，R为包括Pr和/或Nd，且不包含Dy和Tb的稀土元素，Pr和/或Nd在R中的占比为98wt％至100wt％；M为Al、Cu、Nb、Zr、Ti、Co、Sn中的至少一种。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S200中所述预处理为将所述黑片掩埋在埋料中。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S200中热处理包括：第一段热处理，所述第一段热处理为真空热处理，温度为850℃至950℃，时间为2h至3h；第二段热处理，所述第二段热处理为真空热处理，温度为450℃至550℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏方允，王登兴，丁立军，刘晨晨，姚丽红，余磊宁，
申请(专利权)人：宁波科宁达和丰新材料有限公司宁波科宁达日丰磁材有限公司宁波科宁达鑫丰精密制造有限公司北京中科三环高技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：