新型换能器结构的声光器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种新型换能器结构的声光器件及其制作方法，其特征在于：其中新型换能器结构的声光器件，其特征在于：包括上表面为平面的声光介质主体和设在声光介质主体上表面上的上膜层，所述上膜层上表面连接有预先制作成形的压电薄膜层和连接在压电薄膜层上表面的顶电极层，在声光介质主体上的上膜层与压电薄膜层连接固定后，上膜层即成为换能器的底电极，顶电极层即成为换能器的顶电极，压电薄膜层作为声光器件的换能器；本发明专利技术可以大大简化工序，缩短声光器件的制作时间，以及降低了不良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
新型换能器结构的声光器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种新型换能器结构的声光器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]声光器件是基于光弹(弹光)效应原理制作的器件，基本结构包括换能器和声光介质；根据光弹(弹光)效应，超声信号通过换能器注入声光介质上，由于换能器的振动引起声光介质发生应变，产生压缩和稀薄的区域，形成移动相位光栅；当光束通过声光介质时，光会发生偏转或频率偏移，可将入射光的一部分衍射成一个或多个光斑，这种现象被称为声光衍射。
[0003]声光器件常用于激光调Q，激光选脉冲，光束强度控制、频率改变、波长滤波及改变光束方向等。
[0004]目前声光器件的制作方法主要是首先制作声光介质，接着在声光介质上表面镀膜一层底电极层，再接着在底电极层上键合由晶体材料制成的换能器，然后根据使用需要对换能器上表面进行研磨减薄以达到要求厚度，最后在换能器上表面镀膜一层顶电极层，在成品后再进行测试换能器、声光器件是否合格。
[0005]由于换能器由晶体材料制成，晶体材料的形成需要一定的生成时间，从而造成现有声光器件制作成本较高、工艺周期长；由于换能器的厚度直接影响声光器件是否合格，而换能器的厚度通常在6
‑
80微米，厚度的公差在正负2微米，换能器要在上述尺寸公差内的研磨减薄难度较大，成品合格率也就较低。

技术实现思路

[0006]鉴于现有技术的上述不足，本专利技术的目的在于提供一种新型换能器结构的声光器件及其制作方法，该新型换能器结构的声光器件及其制作方法设计合理，有利于提高声光器件的制作效率和成品率。
[0007]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0008]本专利技术新型换能器结构的声光器件，其特征在于：包括上表面为平面的声光介质主体和设在声光介质主体上表面上的上膜层，所述上膜层上表面连接有预先制作成形的压电薄膜层和连接在压电薄膜层上表面的顶电极层，在声光介质主体上的上膜层与压电薄膜层连接固定后，上膜层即成为换能器的底电极，顶电极层即成为换能器的顶电极，压电薄膜层作为声光器件的换能器。
[0009]进一步的，上述压电薄膜层是PZT压电薄膜或PVDF压电薄膜。
[0010]进一步的，上述顶电极层和上膜层均为导电层。
[0011]进一步的，上述预先制作成形的压电薄膜层的厚度等于换能器内超声波波长的一半，或者也等于超声波速度除以两倍的超声波频率。
[0012]进一步的，上述声光介质主体的材料为TeO2、石英晶体、熔融石英、α
‑
BBO晶体、Ge晶体或DKDP晶体。
[0013]进一步的，上述上膜层以粘接、键合或镀膜的方式连接在压电薄膜层的上表面，顶电极层以粘接、键合或镀膜的方式连接在压电薄膜层上，压电薄膜层以粘接或键合方式连接在上膜层上。
[0014]进一步的，上述压电薄膜层、顶电极层覆盖和上膜层覆盖声光介质主体的整个上表面区域。
[0015]进一步的，上述声光介质主体的形状为方柱形，压电薄膜层的形状为方形。
[0016]进一步的，上述上膜层的上表面具有两组或三组由压电薄膜层和顶电极层组成的独立组块，各独立组块的厚度不同。
[0017]本专利技术新型换能器结构的声光器件的制作方法，其特征在于：所述新型换能器结构的声光器件包括上表面为平面的声光介质主体和设在声光介质主体上表面上的上膜层，所述上膜层上表面连接有预先制作成形的压电薄膜层和连接在压电薄膜层上表面的顶电极层，在声光介质主体上的上膜层与压电薄膜层连接固定后，上膜层即成为换能器的底电极，顶电极层即成为换能器的顶电极；
[0018]制作时，分别按照相应厚度要求预先制作声光介质主体和压电薄膜层，在声光介质主体上表面以粘接或镀膜的方式连接上膜层，在压电薄膜层的上表面分别以粘接或镀膜的方式连接顶电极层，将压电薄膜层以粘接或键合的方式连接在上膜层上。
[0019]本专利技术新型换能器结构的声光器件及其制作方法的优点：由于采用压电薄膜层作为声光器件的换能器，而压电薄膜层可以预先制成，该压电薄膜层的材料可以是PZT压电薄膜、PVDF压电薄膜或其它具有压电性能的材料，该些材料均可以如塑料薄膜那样按照预定的厚度要求一次性大批量的制成，无需如晶体制成的换能器那样需要晶体较长时间的生成，以及后续的减薄处理，从而可以大大简化工序，缩短声光器件的制作时间，以及降低了不良率。
附图说明
[0020]图1是本专利技术一种实施例声光器件的构造示意图；图2是本专利技术另一种实施例声光器件的构造示意图；图3是声光器件内完成布拉格衍射的机理图；图4是本专利技术一种实施例声光器件内完成布拉格衍射的机理图；图5是本专利技术一种实施例声光器件的主视尺寸图；图6是图5的侧视图。
[0021][0022][0023]具体实施方式
[0024]下面结合附图及实施例对本专利技术做进一步说明。
[0025]应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0026]本专利技术新型换能器结构的声光器件包括上表面为平面的声光介质主体1和设在声光介质主体上表面上的上膜层2，声光介质主体的材料可以为TeO2、石英晶体、熔融石英、α
‑
BBO晶体、Ge晶体或DKDP晶体等；上膜层2为导电层，其具体可以是铜质膜、铝质膜或银质膜等，该上膜层2作为连接声光介质主体1与换能器的连接层，也作为声光器件的底电极。
[0027]上膜层2上表面连接有预先制作成形的压电薄膜层3和连接在压电薄膜层上表面的顶电极层4，压电薄膜层3的制作工艺为现有技术(如中国专利专利技术名称：一种压电薄膜及其制备方法，公开号CN112592502A)在此不做累述，在压电薄膜层上表面上连接顶电极层4，可以采用镀膜的方式，或者粘接等的方式；同样顶电极层4为导电层，其具体可以是铜质膜、铝质膜或银质膜等。
[0028]在声光介质主体上的上膜层与压电薄膜层连接固定后，上膜层即成为换能器的底电极，顶电极层即成为换能器的顶电极，压电薄膜层作为声光器件的换能器。
[0029]具体的，上述预先制作成形的压电薄膜层的厚度等于换能器内超声波波长的一半，或者也等于超声波速度除以两倍的超声波频率，当然该厚度还可以根据具体设计需要进行制作，该种以压电薄膜层3作为换能器，较现有的晶体质的换能器具有显著缩短制作周期、提高良品率的优点。
[0030]具体的，上述上膜层以粘接、键合或镀膜的方式连接在压电薄膜层的上表面，顶电极层以粘接、键合或镀膜的方式连接在压电薄膜层上，压电薄膜层以粘接或键合方式连接在上膜层上。
[0031]其中一种实施例是(单个换能器结构，如图1所示)，上述压电薄膜层、顶电极层覆盖和上膜层覆盖声光介质主体的整个上表面区域，也即压电薄膜层、顶电极层、上膜层的形状、尺寸与声光介质主体上表面的形状、尺寸相同；如上述声光介质主体的形状为方柱形，压电薄膜层的形状为方形，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型换能器结构的声光器件，其特征在于：包括上表面为平面的声光介质主体和设在声光介质主体上表面上的上膜层，所述上膜层上表面连接有预先制作成形的压电薄膜层和连接在压电薄膜层上表面的顶电极层，在声光介质主体上的上膜层与压电薄膜层连接固定后，上膜层即成为换能器的底电极，顶电极层即成为换能器的顶电极，压电薄膜层作为声光器件的换能器。2.根据权利要求1所述的新型换能器结构的声光器件，其特征在于：所述压电薄膜层是PZT压电薄膜或PVDF压电薄膜。3.根据权利要求1所述的新型换能器结构的声光器件，其特征在于：所述顶电极层和上膜层均为导电层。4.根据权利要求1所述的新型换能器结构的声光器件，其特征在于：所述预先制作成形的压电薄膜层的厚度等于换能器内超声波波长的一半，或者也等于超声波速度除以两倍的超声波频率。5.根据权利要求1所述的新型换能器结构的声光器件，其特征在于：所述声光介质主体的材料为TeO2、石英晶体、熔融石英、α
‑
BBO晶体、Ge晶体或DKDP晶体。6.根据权利要求1所述的新型换能器结构的声光器件，其特征在于：所述上膜层以粘接、键合或镀膜的方式连接在压电薄膜层的上表面，顶电极层以粘接、键合或镀膜的方式连接在压电薄膜层上，压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁玉发，王梓，郭杭涛，彭继峰，
申请(专利权)人：合肥脉博光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：