本实用新型专利技术公开一种电梯储能装置及电梯级联储能系统，属于电梯控制技术领域，电梯储能装置包括：储能介质，用于存储电能；储能控制单元，分别与储能介质和至少两个电梯变频器连接，用于级联至少两个电梯变频器对应的直流母线并根据直流母线电压控制储能介质充电或放电。本实用新型专利技术解决了电梯使用的储能装置内储能介质存在资源浪费以及寿命缩短的问题，达到了降低电梯耗电、充分利用储能装置资源，提高寿命的效果。寿命的效果。寿命的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种电梯储能装置及电梯级联储能系统
[0001]本技术涉及电梯控制
，特别涉及一种电梯储能装置及电梯级联储能系统。
技术介绍
[0002]目前，电梯已经成为人们生活中不可或缺的一部分，同时也是现代社会城镇化建设中必不可少的重要建筑设备之一。电梯在运行中有发电和电动两种模式。相关技术中，电梯发电模式时产生的电能通过储能装置进行存储，但当前的储能装置仅限于单台电梯使用，造成储能装置中储能介质的资源浪费以及寿命缩短，无法满足电梯行业要求的十年寿命。
技术实现思路
[0003]本技术的主要目的在于：提供一种电梯储能装置及电梯级联储能系统，旨在解决现有技术中电梯使用的储能装置内的储能介质，存在资源浪费以及寿命缩短的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]第一方面，本技术提出一种电梯储能装置，包括：
[0006]储能介质，用于存储电能；
[0007]储能控制单元，分别与所述储能介质和至少两个电梯变频器连接，用于级联所述至少两个电梯变频器对应的直流母线并根据直流母线电压控制所述储能介质充电或放电。
[0008]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能控制单元用于在所述直流母线电压低于阈值电压时控制所述储能介质放电，在所述直流母线电压高于阈值电压时控制所述储能介质充电。
[0009]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能控制单元还用于根据发电状态的电梯变频器所产生的电能，对电动状态的电梯变频器供电。
[0010]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能控制单元为储能变换器，采用双向DC
‑
DC变换器。
[0011]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能控制单元为多端口的储能拓扑电路。
[0012]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能拓扑电路包括变压器T1、MOS管Q1、MOS管Q2、IGBT管Q3、IGBT管Q4、IGBT管Q5和IGBT管Q6；
[0013]所述变压器T1的第一端与所述MOS管Q1的漏极连接，所述变压器T1的第二端分别与所述储能介质的正极和电容C1的正极连接，所述变压器T1的第三端与所述MOS管Q2的漏极连接，所述MOS管Q1的源极、所述MOS管Q2的源极和所述电容C1的负极均与所述储能介质的负极连接；
[0014]所述变压器T1的第四端与电感L1的一端连接，所述变压器T1的第五端与电容C2的一端连接，所述电感L1的另一端分别与电容C3的负极和电容C4的正极连接，所述电容C2的
另一端分别与所述IGBT管Q3的发射极和所述IGBT管Q4的集电极连接，所述IGBT管Q3的集电极和所述电容C3的正极均与第一直流母线的正极连接，所述IGBT管Q4的发射极和所述电容C4的负极均与所述第一直流母线的负极连接；
[0015]所述变压器T1的第六端与电感L2的一端连接，所述变压器T1的第七端与电容C5的一端连接，所述电感L2的另一端分别与电容C6的负极和电容C7的正极连接，所述电容C5的另一端分别与所述IGBT管Q5的发射极和所述IGBT管Q6的集电极连接，所述IGBT管Q5的集电极和所述电容C6的正极均与第二直流母线的正极连接，所述IGBT管Q6的发射极和所述电容C7的负极均与所述第二直流母线的负极连接。
[0016]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能拓扑电路包括变压器T2、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、IGBT管Q15、IGBT管Q16、IGBT管Q17、IGBT管Q18、IGBT管Q19、IGBT管Q20、IGBT管Q21和IGBT管Q22；
[0017]所述变压器T2的第一端分别与所述MOS管Q11的源极和所述MOS管Q12的漏极连接，所述变压器T2的第二端分别与所述MOS管Q13的源极和所述MOS管Q14的漏极连接，所述MOS管Q11的漏极和所述MOS管Q13的漏极以及电容C11的正极均与所述储能介质的正极连接，所述MOS管Q12的源极和所述MOS管Q14的源极以及所述电容C11的负极均与所述储能介质的负极连接；
[0018]所述变压器T2的第三端与电感L11的一端连接，所述变压器T2的第四端与电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端分别与所述IGBT管Q15的发射极和所述IGBT管Q16的集电极连接，所述电感L11的另一端分别与所述IGBT管Q17的发射极和所述IGBT管Q18的集电极连接，所述IGBT管Q15的集电极和所述IGBT管Q17的集电极以及电容C13的正极均与第一直流母线的正极连接，所述IGBT管Q16的发射极和所述IGBT管Q18的发射极以及所述电容C13的负极均与所述第一直流母线的负极连接；
[0019]所述变压器T2的第五端与电感L12的一端连接，所述变压器T2的第六端与电容C14的一端连接，所述电容C14的另一端分别与所述IGBT管Q19的发射极和所述IGBT管Q20的集电极连接，所述电感L12的另一端分别与所述IGBT管Q21的发射极和所述IGBT管Q22的集电极连接，所述IGBT管Q19的集电极和所述IGBT管Q21的集电极以及电容C15的正极均与第二直流母线的正极连接，所述IGBT管Q20的发射极和所述IGBT管Q22的发射极以及所述电容C15的负极均与所述第二直流母线的负极连接。
[0020]可选地，上述电梯储能装置中，所述储能介质包括铅酸电池、锂电池、超级电容中的任意一种或多种。
[0021]第二方面，本技术提出一种电梯级联储能系统，包括：
[0022]如上述的电梯储能装置；
[0023]至少两个电梯变频器，所述至少两个电梯变频器分别对应控制至少两台电梯；
[0024]所述电梯储能装置级联所述至少两个电梯变频器对应的直流母线，并根据直流母线电压进行充电或放电。
[0025]可选地，上述电梯级联储能系统中，所述电梯变频器包括：
[0026]整流电路，与外部电网连接，用于将所述外部电网提供的交流电转换为直流电；
[0027]逆变电路，通过所述直流母线与所述整流电路连接，用于将所述直流电转换为电梯曳引机工作所需的工作电压，并输出所述工作电压给所述曳引机。
[0028]本技术提供的上述一个或多个技术方案，可以具有如下优点或至少实现了如下技术效果：
[0029]本技术提出的一种电梯储能装置及电梯级联储能系统，通过采用一个电梯储能装置连接多台电梯的电梯变频器，将电梯变频器的直流母线级联起来，通过电梯储能装置中储能控制单元在检测到的直流母线电压高时控制储能介质充电，将电梯发电模式下产生的电能存储下来，避免浪费电能，同时通过储能控制单元在检测到的直流母线电压低时控制储能介质放电，对存储的电能再利用，可以大幅降低电梯耗电。相比现有仅限于单台电梯使用的储能装置，本技术通过级联多台电梯中电梯变频器的直流母线，可以大幅提高电梯储能装置的使用效率，保证充分利用储能介质的资源；同时，电梯级联储能本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电梯储能装置，其特征在于，包括：储能介质，用于存储电能；储能控制单元，分别与所述储能介质和至少两个电梯变频器连接，用于级联所述至少两个电梯变频器对应的直流母线，并根据直流母线电压控制所述储能介质充电或放电。2.如权利要求1所述的电梯储能装置，其特征在于，所述储能控制单元用于在所述直流母线电压低于阈值电压时控制所述储能介质放电，在所述直流母线电压高于阈值电压时控制所述储能介质充电。3.如权利要求1所述的电梯储能装置，其特征在于，所述储能控制单元还用于根据发电状态的电梯变频器所产生的电能，对电动状态的电梯变频器供电。4.如权利要求1所述的电梯储能装置，其特征在于，所述储能控制单元为储能变换器，采用双向DC
‑
DC变换器。5.如权利要求1所述的电梯储能装置，其特征在于，所述储能控制单元为多端口的储能拓扑电路。6.如权利要求5所述的电梯储能装置，其特征在于，所述储能拓扑电路包括变压器T1、MOS管Q1、MOS管Q2、IGBT管Q3、IGBT管Q4、IGBT管Q5和IGBT管Q6；所述变压器T1的第一端与所述MOS管Q1的漏极连接，所述变压器T1的第二端分别与所述储能介质的正极和电容C1的正极连接，所述变压器T1的第三端与所述MOS管Q2的漏极连接，所述MOS管Q1的源极、所述MOS管Q2的源极和所述电容C1的负极均与所述储能介质的负极连接；所述变压器T1的第四端与电感L1的一端连接，所述变压器T1的第五端与电容C2的一端连接，所述电感L1的另一端分别与电容C3的负极和电容C4的正极连接，所述电容C2的另一端分别与所述IGBT管Q3的发射极和所述IGBT管Q4的集电极连接，所述IGBT管Q3的集电极和所述电容C3的正极均与第一直流母线的正极连接，所述IGBT管Q4的发射极和所述电容C4的负极均与所述第一直流母线的负极连接；所述变压器T1的第六端与电感L2的一端连接，所述变压器T1的第七端与电容C5的一端连接，所述电感L2的另一端分别与电容C6的负极和电容C7的正极连接，所述电容C5的另一端分别与所述IGBT管Q5的发射极和所述IGBT管Q6的集电极连接，所述IGBT管Q5的集电极和所述电容C6的正极均与第二直流母线的正极连接，所述IGBT管Q6的发射极和所述电容C7的负极均与所述第二直流母线的负极连接。7.如权利要求5所述的电梯储能装置，其特征在于，所述储能拓扑电路包括变压器T2、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14、IGBT管Q15、IGBT管Q...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹晨晨，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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