发光器件、显示基板及显示装置制造方法及图纸

一种发光器件，包括：依次层叠设置的第一电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层和第二电极；其中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中，至少所述第二发光层包括敏化材料；所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度X1之间满足：X2≥X1，X1≥0；所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度X3之间满足：X2≥X3，X3≥0。X3≥0。X3≥0。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、显示基板及显示装置


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种发光器件、显示基板及显示装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。

技术实现思路

[0003]一方面，提供一种发光器件。所述发光器件包括依次层叠的第一电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层和第二电极；其中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中，至少所述第二发光层包括敏化材料；所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度X1之间满足：X2≥X1，X1≥0；所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度X3之间满足：X2≥X3，X3≥0。
[0004]在一些实施例中，所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2满足：20％≤X2≤70％。
[0005]在一些实施例中，所述第二敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述第一敏化材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度X1之间还满足：0≤X2－X1≤15％。
[0006]在一些实施例中，所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述第三发光层所包括的敏化材料为第三敏化材料，所述第三敏化材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度X3，与所述第二敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2之间还满足：0≤X2－X3≤15％。
[0007]在一些实施例中，所述敏化材料在所述第一发光层中的质量浓度X1满足：3％≤X1≤50％；和/或，所述敏化材料在所述第三发光层中的质量浓度X3满足：3％≤X3≤50％。
[0008]在一些实施例中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中，至少所述第二发光层包括客体材料；所述客体材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度Y2，与所述客体材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度Y1之间满足：Y2≥Y1，Y1≥0；所述客体材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度Y2，与所述客体材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度Y3之间满足：Y2≥Y3，Y3≥0。
[0009]在一些实施例中，所述客体材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度Y2满足：0.1％≤Y2≤5％。
[0010]在一些实施例中，所述第二发光层所包括的敏化材料为第二敏化材料，所述第二发光层所包括的客体材料为第二客体材料；所述第二发光层还包括第二主体材料和第二稳
定材料；所述第二发光层所包括的客体材料为第二客体材料；所述第二发光层所包括的敏化材料为第二敏化材料；所述第二主体材料、所述第二敏化材料和所述第二客体材料中的至少一者的三重态，与所述第二稳定材料的三重态的差值小于或等于0.3eV；和/或，所述第二主体材料、所述第二敏化材料和所述第二客体材料中的至少一者的归一化发射光谱，与所述第二稳定材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二稳定材料的归一化吸收光谱的积分面积的30％。
[0011]在一些实施例中，所述第二稳定材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度小于或等于5％。
[0012]在一些实施例中，所述第二主体材料的光致发射光谱峰的波长小于所述第二敏化材料的光致发射光谱峰的波长，所述第二敏化材料的光致发射光谱峰的波长小于所述第二稳定材料的光致发射光谱峰的波长；所述第二客体材料的光致发射光谱峰的波长小于所述第二稳定材料的光致发射光谱峰的波长。
[0013]在一些实施例中，所述第三发光层所包括的敏化材料为第三敏化材料；所述第二发光层所包括的客体材料为第二客体材料；所述第一发光层所包括的敏化材料为第一敏化材料；所述第三敏化材料的归一化发射光谱与第二客体材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化吸收光谱的积分面积的60％；和/或，所述第一敏化材料的归一化发射光谱与所述第二客体材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化吸收光谱的积分面积的60％。
[0014]在一些实施例中，所述第二客体材料的归一化发射光谱与所述发光器件的归一化发射光谱的重合面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化发射光谱的积分面积的80％。
[0015]在一些实施例中，所述第二敏化材料的归一化发射光谱与所述第二客体材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化吸收光谱的积分面积的60％。
[0016]在一些实施例中，所述第一发光层所包括的敏化材料为第一敏化材料；所述第一发光层的材料还包括：第一主体材料、第一稳定材料和第一客体材料；所述第一主体材料、所述第一客体材料和所述第一敏化材料中的至少一者的三重态，与所述第一稳定材料的三重态的差值小于或等于0.3eV；和/或，所述第一主体材料、所述第一客体材料和所述第一敏化材料中的至少一者的归一化发射光谱，与所述第一稳定材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第一稳定材料的归一化吸收光谱的积分面积的30％。
[0017]在一些实施例中，所述第二发光层所包括的敏化材料为第二敏化材料；所述第二发光层的材料还包括第二主体材料；所述第三发光层所包括的敏化材料为第三敏化材料；所述第三发光层的材料还包括第三主体材料；所述第一主体材料的分子最高被占据轨道能级为HOMO(A)，所述第一敏化材料的最高分子被占据轨道能级为HOMO(B)，所述第二主体材料的最高分子被占据轨道能级为HOMO(E)，所述第二敏化材料的最高分子被占据轨道能级为HOMO(F)，所述第三主体材料的最高分子被占据轨道能级为HOMO(J)，所述第三敏化材料的最高分子被占据轨道能级为HOMO(K)，且满足：
[0018]|HOMO(A)|≤|HOMO(B)|，|HOMO(E)|≤|HOMO(F)|，
[0019]|HOMO(J)|≤|HOMO(K)|，|HOMO(A)|≤|HOMO(F)|，
[0020]|HOMO(E)|≤|HOMO(K)|，|HOMO(A)
‑
HOMO(E)|≤0.25eV，
[0021]|HOMO(E)
‑
HOMO(J)|≤0.25eV，|HOMO(A)
‑
HOMO(B)|≤0.25eV，
[0022]|HOMO(E)
‑
HOMO(F)|≤0.25eV，|HOMO(J)
‑
HOMO(K)|≤0.25eV，
[0023]|HOMO(A)
‑
HOMO(F)|≤0.25eV，|HOMO(E)
‑
HOMO(K)|≤0.25eV。
[0024]在一些实施例中，所述第一主体材料的三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：依次层叠设置的第一电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层和第二电极；其中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中，至少所述第二发光层包括敏化材料；所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度X1之间满足：X2≥X1，X1≥0；所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度X3之间满足：X2≥X3，X3≥0。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2满足：20％≤X2≤70％。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度X1之间满足：0≤X2－X1≤15％。4.根据权利要求2或3所述的发光器件，其特征在于，所述敏化材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度X2，与所述敏化材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度X3之间满足：0≤X2－X3≤15％。5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述敏化材料在所述第一发光层中的质量浓度X1满足：3％≤X1≤50％；和/或，所述敏化材料在所述第三发光层中的质量浓度X3满足：3％≤X3≤50％。6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中，至少所述第二发光层包括客体材料；所述客体材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度Y2，与所述客体材料在所述第一发光层的材料中的质量浓度Y1之间满足：Y2≥Y1，Y1≥0；所述客体材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度Y2，与所述客体材料在所述第三发光层的材料中的质量浓度Y3之间满足：Y2≥Y3，Y3≥0。7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述客体材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度Y2满足：0.1％≤Y2≤5％。8.根据权利要求6或7所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光层所包括的敏化材料为第二敏化材料，所述第二发光层所包括的客体材料为第二客体材料；所述第二发光层还包括第二主体材料和第二稳定材料；所述第二主体材料、所述第二敏化材料和所述第二客体材料中的至少一者的三重态，与所述第二稳定材料的三重态的差值小于或等于0.3eV；和/或，所述第二主体材料、所述第二敏化材料和所述第二客体材料中的至少一者的归一化发射光谱，与所述第二稳定材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二稳定材料的归一化吸收光谱的积分面积的30％。9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述第二稳定材料在所述第二发光层的材料中的质量浓度小于或等于5％。10.根据权利要求8或9所述的发光器件，其特征在于，所述第二主体材料的光致发射光谱峰的波长小于所述第二敏化材料的光致发射光谱峰的波长，所述第二敏化材料的光致发
射光谱峰的波长小于所述第二稳定材料的光致发射光谱峰的波长；所述第二客体材料的光致发射光谱峰的波长小于所述第二稳定材料的光致发射光谱峰的波长。11.根据权利要求6～10中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第三发光层所包括的敏化材料为第三敏化材料；所述第二发光层所包括的客体材料为第二客体材料；所述第一发光层所包括的敏化材料为第一敏化材料；所述第三敏化材料的归一化发射光谱与第二客体材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化吸收光谱的积分面积的60％；和/或，所述第一敏化材料的归一化发射光谱与所述第二客体材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化吸收光谱的积分面积的60％。12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述第二客体材料的归一化发射光谱与所述发光器件的归一化发射光谱的重合面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化发射光谱的积分面积的80％。13.根据权利要求11或12所述的发光器件，其特征在于，所述第二敏化材料的归一化发射光谱与所述第二客体材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第二客体材料的归一化吸收光谱的积分面积的60％。14.根据权利要求1～13中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光层所包括的敏化材料为第一敏化材料；所述第一发光层的材料还包括：第一主体材料、第一稳定材料和第一客体材料；所述第一主体材料、所述第一客体材料和所述第一敏化材料中的至少一者的三重态，与所述第一稳定材料的三重态的差值小于或等于0.3eV；和/或，所述第一主体材料、所述第一客体材料和所述第一敏化材料中的至少一者的归一化发射光谱，与所述第一稳定材料的归一化吸收光谱的重叠面积，大于或等于所述第一稳定材料的归一化吸收光谱的积分面积的30％。15.根据权利要求14所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光层所包括的敏化材料为第二敏化材料；所述第二发光层的材料还包括第二主...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓晋，孙海雁，刘兴华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：