发光装置和包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置可包括第一电极，面向第一电极的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层包括主体和掺杂剂，主体包括第一化合物和第二化合物，掺杂剂包括第三化合物和第四化合物，第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物彼此不同，第三化合物为含铂有机金属化合物，含铂有机金属化合物包括铂和与铂键合的第一配体，第一配体包括碳烯基，碳烯基的碳和铂键合在一起，并且满足在说明书中解释的表达式1。并且满足在说明书中解释的表达式1。并且满足在说明书中解释的表达式1。

【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年1月20日提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0008523号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施方式涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]与相关领域的装置相比，发光装置为自发射装置，其具有宽视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性，并且产生全色图像。
[0005]发光装置可具有这样的结构，其中第一电极布置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在这样的发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。
[0006]应理解该
技术介绍
章节部分旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，该
技术介绍
章节还可以包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是相关
的技术人员已知或领会的部分的想法、概念或认识。

技术实现思路

[0007]提供了具有高效率和长寿命的发光装置以及包括发光装置的电子设备。
[0008]另外的方面将在随后的描述中部分陈述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的实施方式的实践而了解到。
[0009]根据实施方式，提供了发光装置，其可包括第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，
[0010]其中发射层可包括主体和掺杂剂；主体可包括第一化合物和第二化合物；掺杂剂可包括第三化合物和第四化合物；第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物可彼此不同；第三化合物可为含铂有机金属化合物；含铂有机金属化合物可包括铂和与铂键合的第一配体；第一配体可包括碳烯基；碳烯基的碳和铂可键合在一起；并且可满足表达式1：
[0011][表达式1][0012]|HOMO(H1)|
‑
|HOMO(D1)|≤0.3eV
[0013]在表达式1中，
[0014]HOMO(D1)为第三化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级(eV)，
[0015]HOMO(H1)为第一化合物的HOMO能级(eV)，并且
[0016]HOMO(D1)和HOMO(H1)各自为由密度泛函理论(DFT)方法评估的负值。
[0017]在实施方式中，HOMO(D1)可小于或等于约
‑
5.0eV。
[0018]在实施方式中，发光装置可满足下面解释的表达式2。
[0019]在实施方式中，发光装置可满足下面解释的表达式4。
[0020]在实施方式中，第一化合物可为空穴传输主体，并且第二化合物可为电子传输主体或双极性主体。
[0021]在实施方式中，第一化合物可包括由式3
‑
1至式3
‑
3表示的基团中的至少一个，并且第二化合物可包括至少一个缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团，其中式3
‑
1至式3
‑
3在下面解释。
[0022]在实施方式中，第一化合物可为包括至少一个Si原子的化合物。
[0023]在实施方式中，第二化合物可为由下面解释的式4表示的化合物。
[0024]在实施方式中，第三化合物可为由式1表示的有机金属化合物，并且第四化合物为由式2表示的有机金属化合物，其中式1和式2在下面解释。
[0025]在实施方式中，在式1中，n11可为1，并且n12可为0。
[0026]在实施方式中，在式1D中，a4可为0，并且由表示的基团可为由下面解释的式CY11
‑
1至式CY11
‑
8中的一个表示的基团。
[0027]在实施方式中，第三化合物可为由式1
‑
1或式1
‑
2表示的化合物，并且第四化合物可为由式2
‑
1或式2
‑
2表示的化合物，其中式1
‑
1、式1
‑
2、式2
‑
1和式2
‑
2在下面解释。
[0028]在实施方式中，在式1
‑
1和式1
‑
2中，R
14a
至R
14d
中的至少一个和R
11a
可各自独立地为供电子基团；在式2
‑
1和式2
‑
2中，R
23a
、R
23b
、R
24a
至R
24d
和R
25a
至R
25d
中的至少一个和R
21a
可各自独立地为供电子基团；并且供电子基团可为异丙基、叔丁基或由下面解释的式10
‑
1至式10
‑
124中的一个表示的基团。
[0029]在实施方式中，发光装置可进一步包括在第二电极上的封盖层，其中封盖层相对于约589nm的波长可具有等于或大于约1.6的折射率。
[0030]在实施方式中，发射层可包括第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物的混合物。
[0031]在实施方式中，发射层包括第一发射层和第二发射层；第一发射层可在第一电极和第二发射层之间；第一发射层可包括第一化合物、第二化合物和第一掺杂剂；第二发射层可包括第一化合物、第二化合物和第二掺杂剂；第一掺杂剂可为第三化合物和第四化合物中的一种；并且第二掺杂剂可为第三化合物和第四化合物中的另一种。
[0032]在实施方式中，发射层可包括第一发射层、第二发射层和第三发射层；第一发射层可在第一电极和第二发射层之间；第二发射层可在第一电极和第三发射层之间；第一发射层可包括第一化合物、第二化合物和第一掺杂剂；第二发射层可包括第一化合物、第二化合物和第二掺杂剂；第三发射层可包括第一化合物、第二化合物和第三掺杂剂；第一掺杂剂和第三掺杂剂可各自独立地为第三化合物或第四化合物；并且第二掺杂剂可为第三化合物或第四化合物并且可不同于第一掺杂剂。
[0033]在实施方式中，第三化合物和第四化合物中的至少一种可非均匀地掺杂在发射层
中。
[0034]根据实施方式，提供了发光装置，其可包括第一电极，面向第一电极的第二电极，以及布置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，
[0035]其中发射层可包括主体和掺杂剂；主体可包括第一化合物和第二化合物；掺杂剂可包括第三化合物和第四化合物；第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物可彼此不同；第三化合物可为含铂有机金属化合物；含铂有机金属化合物可包括铂和与铂键合的第一配体；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述主体包括第一化合物和第二化合物，所述掺杂剂包括第三化合物和第四化合物，所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同，所述第三化合物为含铂有机金属化合物，所述含铂有机金属化合物包括铂和与所述铂键合的第一配体，所述第一配体包括碳烯基，所述碳烯基的碳和所述铂键合在一起，并且满足表达式1：[表达式1]|HOMO(H1)|
‑
|HOMO(D1)|≤0.3eV其中在表达式1中，HOMO(D1)为所述第三化合物的HOMO能级，HOMO(H1)为所述第一化合物的HOMO能级，并且HOMO(D1)和HOMO(H1)各自为由密度泛函理论方法评估的负值。2.如权利要求1所述的发光装置，其中满足表达式4：[表达式4]0.05eV≤|HOMO(D1)
‑
HOMO(D2)|≤0.15eV其中在表达式4中，HOMO(D1)为所述第三化合物的HOMO能级，HOMO(D2)为所述第四化合物的HOMO能级，并且HOMO(D1)和HOMO(D2)各自为由密度泛函理论方法评估的负值。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物包括由式3
‑
1至式3
‑
3表示的基团中的至少一个，并且所述第二化合物包括至少一个缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团：其中，在式3
‑
1至式3
‑
3中，环CY
21
和环CY
22
各自独立地为富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基，X
21
为单键或者包括O、S、N、B、C、Si或其任意组合的连接基团，X
22
为包括O、S、N、B、C、Si或其任意组合的连接基团，
式3
‑
3中的指示单键或双键，并且*、*'和*"各自指示与所述第一化合物中的相邻原子的结合位点。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第三化合物为由式1表示的有机金属化合物，并且所述第四化合物为由式2表示的有机金属化合物：[式1]M1(L
11
)
n11
(L
12
)
n12
[式2]M2(L
21
)
n21
(L
22
)
n22
其中在式1、式2和式1A至式1D中，M1为铂，M2为铂、钯、铜、银、金、铑、铱、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，L
11
为由式1D表示的配体，L
12
、L
21
和L
22
各自独立地为由式1A至式1D中的一个表示的配体，n11和n21各自独立地为1、2或3，n12和n22各自独立地为0、1、2、3或4，X1至X4各自独立地为氮或碳，X
11
为碳，环CY1至环CY4和环CY
11
各自独立地为C5‑
C
30
碳环基或C1‑
C
30
杂环基，T
51
至T
54
各自独立地为单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
C(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝C(R6)
‑
*'、*
‑
C(R5)＝*'、*＝C＝*'、*
‑
Si(R5)(R6)
‑
*'、*
‑
B(R5)
‑
*'、*
‑
N(R5)
‑
*'或*
‑
P(R5)
‑
*'，a1至a3各自独立地为1、2或3，
a4为0、1、2或3，当式1C中的a4为0时，环CY1和环CY4不连接在一起，当式1D中的a4为0时，环CY
11
和环CY4不连接在一起，T1至T4各自独立地为化学键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(R7)
‑
*'、*
‑
B(R7)
‑
*'、*
‑
P(R7)
‑
*'、*
‑
C(R7)(R8)
‑
*'、*
‑
Si(R7)(R8)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'或*
‑
C(＝S)
‑
*'，T
11
为配位键，*1、*2、*3和*4各自指示与M1或M2的结合位点，R1至R8各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b1至b4各自独立地为选自0至10的整数，R1至R8和T
51
至T
54
中的两个或更多个相邻基团任选地键合在一起以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合；各自未取代的或被下述取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基或C2‑
C
60
杂芳基烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳基烷基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高熙周，秋昌雄，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：