气体传感器制造技术

技术编号:38281711 阅读:142 留言:0更新日期:2023-07-27 10:29
本发明专利技术公开了一种气体传感器,包括封装件和芯片组件,封装件上形成有第一电极组和在厚度方向贯穿封装件的槽孔;芯片组件包括基底、加热层和气敏层,基底具有在厚度方向相对设置第一表面和第二表面,加热层以及与加热层电连接的加热电极设置于第一表面上,气敏层以及与气敏层电连接的气敏电极设置于第二表面上,加热电极和/或气敏电极沿基底的厚度方向贯穿基底;芯片组件通过金属引线悬设于槽孔上,金属引线电连接于第一电极组和加热电极以及第一电极组和气敏电极之间;其中,所有金属引线均自基底的同一个表面上引出至封装件的第一电极组上。本发明专利技术的气体传感器,检测灵敏度高,响应时间快,且具有极低的工作能耗以及可采用简单的工艺制作。单的工艺制作。单的工艺制作。

【技术实现步骤摘要】
气体传感器


[0001]本专利技术是关于气体检测设备
,特别是关于一种应用于甲烷气体检测的气体传感器。

技术介绍

[0002]低功耗氧化物半导体甲烷传感器的工作原理是,在一定工作温度下,利用气体敏感材料的电阻值随甲烷浓度呈线性变化的原理测量甲烷浓度。但是现有陶瓷基底氧化物半导体甲烷传感器具有两个不足。
[0003]其一为传感芯片封装结构复杂、质量较大进而功耗较大。参考公开号为CN110865100A专利技术专利申请,披露了一种片式结构一体化催化燃烧式可燃气体传感器及其制备方法,其包含了上下两层陶瓷片结构、一个探测区和一个对比区。该结构设置导致陶瓷基底的厚度和面积都将显著增加,进而增加传感器的功耗。且该传感器的上下两层陶瓷片结构,每层陶瓷片的上下表面都印有电路,显著增加了产品制造的工艺步骤和难度。
[0004]其二为遇硫化氢气体发生中毒反应和对乙醇气体易产生误报。针对该问题,现有技术中已通过在活性炭颗粒载体上固载SnO2气敏层、Pt/Pd催化剂和Al2O3/SiO2分离层来实现抗干扰。例如参考公开号为CN105606656B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体传感器,其特征在于,包括:封装件,所述封装件上形成有贯穿其厚度方向的槽孔,所述封装件上形成有第一电极组;芯片组件,包括基底、加热层以及气敏层,所述基底具有在厚度方向相对设置第一表面和第二表面,所述加热层设置于所述第一表面上,所述第一表面上还设置有与加热层电连接的加热电极,所述气敏层设置于所述第二表面上,所述第二表面上还设置有与气敏层电连接的气敏电极,所述加热电极和/或所述气敏电极沿所述基底的厚度方向贯穿所述基底;所述芯片组件通过金属引线悬设于所述槽孔上,所述金属引线电连接于所述第一电极组和所述加热电极之间,以及所述第一电极组和所述气敏电极之间;其中,所有所述金属引线均自所述基底的同一个表面上引出至所述封装件的第一电极组上。2.如权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述基底的边缘与所述槽孔的边缘之间形成有间隙。3.如权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述基底的第一表面上形成有第一导线层,所述加热层通过所述第一导线层电连接所述加热电极;所述基底的第二表面上形成有第二导线层,所述气敏层通过所述第二导线层电连接所述气敏电极。4.如权利要求1所述的气体传感器,其特征在于,所述加热层包括加热电阻层和介质保护层,所述加热电阻层设于所述基底上,所述介质保护层覆盖所述加热电阻层设置;所述加热电阻层由铂金浆料或合金浆料制成,所述介质保护层由不导电氧化物制成;所述气敏层由金属氧化物半导体材料制成,所述金属氧化物半导体材料为掺杂的氧化锡和氧...

【专利技术属性】
技术研发人员:张小飞刘志康
申请(专利权)人:苏州博印芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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