用于提高功率放大器可靠性的偏置结构制造技术

本发明专利技术公开了一种用于提高功率放大器可靠性的偏置结构，涉及毫米波功率放大器芯片技术领域。所述结构包括位于衬底上的分压电路，通过分压电路给功率放大器的栅极提供可控栅压。所述分压电路包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的一端接外部栅压源VGG，所述电阻R1的另一端分为两路，第一路与所述电阻R2的一端连接，第二路与所述功率放大器的栅极连接，所述电阻R2的另一端接地。所述结构能够在片内实现，在不影响功率放大器静态工作点和工作性能的前提下，降低功率放大器过饱和时的栅极电流，从而提高芯片可靠性。从而提高芯片可靠性。从而提高芯片可靠性。

【技术实现步骤摘要】
用于提高功率放大器可靠性的偏置结构


[0001]本专利技术涉及毫米波功率放大器芯片
，尤其涉及一种用于提高功率放大器可靠性的偏置结构。

技术介绍

[0002]毫米波是指频率在26.5GHz
‑
300GHz范围内的电磁波，其波长在1mm~10mm之间。毫米波较微波有更短的波长和更高的频率，可以实现更宽的绝对带宽和传输速度，因此在无线通信、雷达、测试测量等领域有更加广阔的应用前景。其中，毫米波功率放大器是上述无线通信、雷达等系统的核心电子器件。其承担了系统中放大射频信号的作用，决定了射频信号的传输质量和抗干扰能力，是收发系统中至关重要的一环。除此之外，功率放大器也是系统功耗主要来源。由于长时间工作在饱和或过饱和的状态下，功率放大器的可靠性在很大程度上决定了系统的工作寿命，因此功率放大器的可靠性就显得尤为重要。在某些特性的应用场景中，芯片需要工作在严苛的高低温环境下。通常，为了保证高温的系统性能，常温和低温情况下功率放大器就不得不工作在过饱和的状态，此时栅极电流会大幅度提高，不仅增加了系统的功耗同时也在一定程度上降低了芯片的可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高功率放大器可靠性的偏置结构，其特征在于：包括位于衬底（1）上的分压电路，通过分压电路给功率放大器的栅极提供可控栅压。2.如权利要求1所述的用于提高功率放大器可靠性的偏置结构，其特征在于：所述分压电路包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的一端接外部栅压源VGG，所述电阻R1的另一端分为两路，第一路与所述电阻R2的一端连接，第二路与所述功率放大器的栅极连接，所述电阻R2的另一端接地。3.如权利要求2所述的用于提高功率放大器可靠性的偏置结构，其特征在于：电路外部栅压源VGG通过两个电阻分压，提供给功率放大器的栅压为电阻R2的分压，电阻R1和电阻R2根据实际的静态栅压和想要控制的栅极电流限额计算得到；在功率放大器未达到饱和或者刚刚饱和时，栅极没有电流，即栅极电流Ig=0；此时，I1=I2=VGG/(R1+R2)，功率放大器的饱和栅极电压与静态栅极电压一致；而在功率放大器工作在过饱和的状态时，栅极会有一定的电流，通常在毫安量级，此时，I2=Ig+I1，即在功率放大器工作在过饱和状态下时，通过电阻R2的电流I2比静态时通过电阻R2的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：何美林，胡志富，王亚冰，何锐聪，刘亚男，
申请(专利权)人：河北雄安太芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：