一种能够快速检测温度的数字功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种能够快速检测温度的数字功率放大器，包括基板和散热器，所述散热器的导热端设置有晶圆；用于进行晶圆的散热；所述基板和晶圆之间电性连接，且所述基板和晶圆的连接处设置有温感组件，用于检测晶圆的实时温度，所述基板的连接端设置有连接焊盘；所述温感组件包括温感电阻，所述温感电阻的接收端和连接焊盘电性连接。本实用新型专利技术温感电阻的接收端和PCB板的连接焊盘连在一起，这样温度检测方式的热量传递的路径就为晶圆至基板至温感电阻，这样热传递阻抗降低，传递路径也变短，为此本实用达到了更高的检测精度和速度，能更加精准的控制MOS管的工作温度，进而更能保护MOS管不因为温度过高而损坏。更能保护MOS管不因为温度过高而损坏。更能保护MOS管不因为温度过高而损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种能够快速检测温度的数字功率放大器


[0001]本技术涉及电子器件领域，特别涉及一种能够快速检测温度的数字功率放大器。

技术介绍

[0002]数字功率放大器是将音频信号转换成一串PWM信号然后驱动末级MOS管进行功率放大，MOS管工作在高压和高电流的脉冲开关状态，因此必然产生热量而温度升高，一套高精度和高速度的过热保护系统是必需的，否则稍有不慎的损坏昂贵的后级MOS管。
[0003]传统的温度检测是在散热器上安装一个温感电阻，这样温度检测方式的热量传递的路径为晶圆至铜基板至绝缘垫至散热器最后到温感电阻，由于散热的过程是温度一级一级的变低，因此在热传递的过程各级的热阻抗，使得热量传递的路径长度影响了热传递的时效性，这就使得温感电阻感受到的温度速度变慢，且感测的温度数值不准确，造成MOS管因温度检测不及时而烧毁的情况发生。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种能够快速检测温度的数字功率放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种能够快速检测温度的数字功率放大器，包括：
[0006]基板和散热器，所述散热器的导热端设置有晶圆；用于进行晶圆的散热；
[0007]所述基板和晶圆之间电性连接，且所述基板和晶圆的连接处设置有温感组件，用于检测晶圆的实时温度，所述基板的连接端设置有连接焊盘；
[0008]所述温感组件包括温感电阻，所述温感电阻的接收端和连接焊盘电性连接。
[0009]优选的，所述晶圆包括MOS管，所述MOS管固定连接在散热器的导热端，所述MOS管的输出端设置有多个连接引脚，多个所述连接引脚分别和连接焊盘的连接端电性连接。
[0010]优选的，所述MOS管的外部设置有绝缘垫，且所述绝缘垫环绕设置在MOS管和散热器的连接处之间，用于MOS管和散热器之间的绝缘防护。
[0011]优选的，所述基板设置为PCB板，用于进行MOS管的导热和连接。
[0012]优选的，所述温感电阻的输出端设置有检测输出端，所述检测输出端用于监测温度的输出。
[0013]本技术的技术效果和优点：
[0014]本技术温感电阻的接收端和PCB板的连接焊盘连在一起，这样温度检测方式的热量传递的路径就为晶圆至基板至温感电阻，这样热传递阻抗降低，传递路径也变短，为此本实用达到了更高的检测精度和速度，能更加精准的控制MOS管的工作温度，进而更能保护MOS管不因为温度过高而损坏。
附图说明
[0015]图1为本技术功率放大器的结构示意图。
[0016]图2为本技术MOS管电路符号示意图。
[0017]图3为本技术MOS管内部结构示意图。
[0018]图中：1、散热器；2、MOS管；201、连接引脚；3、绝缘垫；4、PCB板；401、连接焊盘；5、温感电阻；501、检测输出端。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]本技术提供了如图1所示的一种能够快速检测温度的数字功率放大器，包括：
[0021]基板和散热器1，散热器1的导热端设置有晶圆；用于进行晶圆的散热；
[0022]基板和晶圆之间电性连接，且基板和晶圆的连接处设置有温感组件，用于检测晶圆的实时温度，基板的连接端设置有连接焊盘401；
[0023]晶圆包括MOS管2，MOS管2固定连接在散热器1的导热端，MOS管2的输出端设置有多个连接引脚201，多个连接引脚201分别和连接焊盘401的连接端电性连接。
[0024]MOS管2的外部设置有绝缘垫3，且绝缘垫3环绕设置在MOS管2和散热器1的连接处之间，用于MOS管2和散热器1之间的绝缘防护。
[0025]基板设置为PCB板4，用于进行MOS管2的导热和连接。
[0026]实施例一，如图2和图3所示，为MOS管2内部结构，晶圆的D极(MOS管2的D极并且铜基板和焊接到PCB板4的D极引脚是同一个块铜基板)是连接着MOS管2外散热铜基板，铜基板传递MOS管2工作时产生的热量到绝缘垫3(有些应用或许不需要绝缘垫3)，因此可以说一个MOS管2的铜基板的温度是最接近晶圆的温度(也就是MOS管2参数表里的结温JC)。
[0027]实施例二，热量的传导有一个重要的参数是热阻，就是阻挡热量传递的阻力，比如我们常见的锅柄都是用木头或者塑料制造，因为木头或者塑料的热传导系数低也就是热阻大的原因，为此我们在安装MOS管2的时候尽量会给足够的铝材质的散热器，关于热传导有如下几个定义：
[0028]℃/W热量传递的阻抗单位，意思为每传递1W的功率所产生的温差；
[0029]R
th(j
‑
c)
＝热量从晶圆(j)传递到铜基板(c)的阻抗；
[0030]R
th(c
‑
i)
＝热量从铜基板(c)阻抗传递到绝缘垫3(i)的阻抗；
[0031]R
th(c
‑
i
)＝热量从绝缘垫3(i)传递到散热器1(h)的阻抗；
[0032]R
th(h
‑
n)
＝热量从散热器1(h)传递到检测NTC(n)的阻抗；
[0033]R
th(c
‑
n)
＝热量从铜基板(c)传递到检测NTC(n)的阻抗。
[0034]其中NTC为温感电阻5，由上的分析我们不难得出热量传递的路径并且我们要把此路径的阻力尽量降到最低这样才可以保证MOS管2工作在最低的温度，极为有效地提升MOS管2的安全系数。
[0035]温感组件包括温感电阻5，温感电阻5的接收端和连接焊盘401电性连接；
[0036]温感电阻5的输出端设置有检测输出端501，检测输出端501用于监测温度的输出。
[0037]实施例三，本方案的温度检测方式的热量传递的路径如下：
[0038]晶圆
→
铜基板
→
NTC；
[0039]因此同样方式我们得到此传递路径的中热阻抗：
[0040]R
th(实用)
＝R
th(j
‑
c)
+R
th(c
‑
n)
；
[0041]散热的过程是温度一级一级的变低，在传递的过程热阻抗是不可能为负数，另外热阻抗R
th(c
‑
n)
是一个极低极低的阻抗，参考图1的结构可以明显发现本方案的温感电阻5焊盘和铜基板的焊盘几乎是连在一起，为此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够快速检测温度的数字功率放大器，包括：基板和散热器(1)，所述散热器(1)的导热端设置有晶圆；用于进行晶圆的散热；其特征在于，所述基板和晶圆之间电性连接，且所述基板和晶圆的连接处设置有温感组件，用于检测晶圆的实时温度，所述基板的连接端设置有连接焊盘(401)；所述温感组件包括温感电阻(5)，所述温感电阻(5)的接收端和连接焊盘(401)电性连接。2.根据权利要求1所述的一种能够快速检测温度的数字功率放大器，其特征在于，所述晶圆包括MOS管(2)，所述MOS管(2)固定连接在散热器(1)的导热端，所述MOS管(2)的输出端设置有多个连接引脚(201)，多个所述连接引脚(201)分别和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志能，
申请(专利权)人：佛山市宁紫电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：