【技术实现步骤摘要】
一种防漏气的单晶硅片真空加热装置
[0001]本技术涉及单晶硅片生产
,尤其涉及一种防漏气的单晶硅片真空加热装置。
技术介绍
[0002]真空加热箱的使用广泛,单晶硅片在真空镀膜时,就需要通过真空加热箱进行加热。现有技术中,真空加热箱中通常安装一排电加热管,通过电加热管进行真空加热箱的加热。
[0003]为了确保真空加热箱的真空效果,在电加热管安装时,需要通过密封圈进行电加热管与真空加热箱连接处的密封,避免漏气的问题。由于真空加热箱的温度较高,密封圈在高温下的使用稳定性差,容易产生漏气问题,需要经常进行密封圈的更换,费工费时,而且影响单晶硅片的生产,需要进行改进。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种防漏气的单晶硅片真空加热装置,进行单晶硅片的加热,避免漏气问题,提升维护便利性。
[0005]为达此目的,本技术采用以下技术方案:
[0006]一种防漏气的单晶硅片真空加热装置,包括:真空加热箱、电加热管、密封圈和接头,所述真空加热箱顶部设置有密封板,所述密封板上间隔设置有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防漏气的单晶硅片真空加热装置,其特征在于,包括:真空加热箱、电加热管、密封圈和接头,所述真空加热箱顶部设置有密封板,所述密封板上间隔设置有与电加热管一一对应的安装孔,所述安装孔上方设置有安装座,所述安装座顶面内凹设置有与安装孔连通的锥形孔,所述接头设置在安装座上,所述接头顶部外圆上设置有一圈环形的压圈,所述接头外壁设置有与锥形孔对应的圆锥面,所述电加热管设置在接头的下方并向下延伸至真空加热箱中,所述密封圈设置在压圈的底面与安装座的顶面之间。2.根据权利要求1所述的防漏气的单...
【专利技术属性】
技术研发人员:周兵兵,周炳,
申请(专利权)人:德兴市意发功率半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。