一种掺杂结构的制备方法和半导体结构技术

本申请实施例提供了一种掺杂结构的制备方法和半导体结构，该方法包括：提供一包含材料层的衬底，并对材料层进行掺杂处理，得到掺杂材料层；在掺杂材料层上生成第一阻挡层；对掺杂材料层进行退火处理，并控制在掺杂材料层与第一阻挡层之间生成第二阻挡层；去除第一阻挡层和第二阻挡层，得到掺杂结构。这样，通过第一阻挡层和第二阻挡层，能够改善掺杂结构的电学性能。学性能。学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂结构的制备方法和半导体结构


[0001]本申请涉及半导体制作
，尤其涉及一种掺杂结构的制备方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体器件的生产制造过程中，需要涉及掺杂结构。目前，在对半导体材料层进行掺杂后，还需要通过快速热制程(Rapid Thermal Processing，RTP)来激活掺杂离子或修复晶格损伤，但是RTP对离子存在分散作用(diffusion)，导致掺杂结构出现缺陷，影响器件的电学性能。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种掺杂结构的制备方法和半导体结构，能够改善掺杂结构在退火过程产生的凸起缺陷，提高半导体结构的电学性能。
[0004]本申请的技术方案是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种掺杂结构的制备方法，该方法包括：
[0006]提供一包含材料层的衬底，并对材料层进行掺杂处理，得到掺杂材料层；
[0007]在掺杂材料层上生成第一阻挡层；
[0008]对掺杂材料层进行退火处理，并控制在掺杂材料层与第一阻挡层之间生成第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一包含材料层的衬底，并对所述材料层进行掺杂处理，得到掺杂材料层；在所述掺杂材料层上生成第一阻挡层；对所述掺杂材料层进行退火处理，并控制在所述掺杂材料层与所述第一阻挡层之间生成第二阻挡层；去除所述第一阻挡层和所述第二阻挡层，得到掺杂结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供一包含材料层的衬底，包括：提供所述衬底；在所述衬底上进行多晶硅沉积处理，得到所述材料层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述材料层进行掺杂处理，得到掺杂材料层，包括：对所述材料层进行离子注入处理，得到所述掺杂材料层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述掺杂材料层上生成第一阻挡层，包括：在所述掺杂材料层上进行原子层沉积处理，得到所述第一阻挡层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层为氮化硅和/或碳化硅。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述掺杂材料层上进行原子层沉积处理，得到所述第一阻挡层，包括：将所述衬底置于反应腔室中，并控制所述反应腔室处于预设温度和预设压力下；向所述反应腔室中通入二氯二氢硅和氨气，得到所述第一阻挡层。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述预设温度为500～700摄氏度，所述预设压力为500～5000毫...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：