【技术实现步骤摘要】
一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络
[0001]本申请涉及放大器
，更具体地说，是涉及一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络。
技术介绍
[0002]在太赫兹频段的射频放大器，其工作频率高，晶体管的性能急剧下降，寄生效应严重，给设计过程带来了很大的困难。二端口网络的单向化功率增益U（unilateral gain）又称为Mason不变量，在无损耗、线性、互易嵌入下不会发生改变，可以作为比较任何两个两端口有源器件（包括作为两端口使用的三端口器件）的优劣的基准，即品质因数（Figure of Merit）。因此，放大器的增益和设计方法都与单向化功率增益U密切相关，如何提高U具有重要的实际意义。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本申请提供了一种二端口放大器网络，以提升单向化功率增益U。
[0004]为实现上述目的，本申请提供的可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，包括：依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元；所述输入端直流偏置单元和所述输出端直流偏置单元...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，其特征在于，包括：依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元；所述输入端直流偏置单元和所述输出端直流偏置单元分别在输入端和输出端为所述放大器单元提供直流偏置电压；所述放大器单元包括依次级联的第一有源反馈网络、次级放大网络以及第二有源反馈网络；所述第一有源反馈网络、所述次级放大网络以及所述第二有源反馈网络均为差分结构的二端口网络；所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络均构成负阻产生网络，使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数。2.根据权利要求1所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述次级放大网络包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述输入端直流偏置单元包括第一直流电源、第一电感和第二电感；所述输出端直流偏置单元包括第二直流电源、第三电感和第四电感；所述第一NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至所述二端口放大器网络的第一输入端以及通过第一电感连接至所述第一直流电源，漏极连接至所述二端口放大器网络的第一输出端以及通过第三电感连接至所述第二直流电源；所述第二NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至所述二端口放大器网络的第二输入端以及通过第二电感连接至所述第一直流电源，漏极连接至所述二端口放大器网络的第二输出端以及通过第四电感连接至所述第二直流电源。3.根据权利要求2所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一有源反馈网络包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管的源极均接地；所述第三NMOS晶体管的第二极连接至所述第四NMOS晶体管的第一极；所述第四NMOS晶体管的第二极连接至所述第三NMOS晶体管的第一极；所述第三NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第一输入端；所述第四NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第二输入端；所述第二有源反馈网络包括第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管；所述第五NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的源极均接地；所述第五NMOS晶体管的第二极连接至所述第六NMOS晶体管的第一极；所述第六NMOS晶体管的第二极连接至所述第五NMOS晶体管的第一极；所述第五NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第一输出端；所述第六NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第二输出端；所述第一极和所述第二极分别为栅极和漏极，或者，所述第一极和所述第二极分别为漏极和栅极。4.根据权利要求3所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一极为栅极，所述第二极为漏极；所述第一有源反馈网络还包括第一电容、第二电容、第五电感、第六电感以及第一阻抗；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过第一电容连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；所述第四NMOS晶体管的漏极通过第二电容连接至所述第三NMOS晶体管的栅极；所述第三NMOS晶体管的漏极通过所述第一阻抗连...
【专利技术属性】
技术研发人员：董锐冰，宋易恒，邢阳，
申请(专利权)人：广东大湾区空天信息研究院，
类型：发明
国别省市：
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