中心晶粒获取方法及系统、可读存储介质技术方案

本发明专利技术提供一种中心晶粒获取方法及系统、可读存储介质，能够基于Mapping数据自动获取中心晶粒，减少了所需要的大量人力成本，提高效率；且能够基于相似度和满足设计要求的测试器件总数两种判断条件，能够提高获取中心晶粒的准确性。进一步地，还能通过调整误差临界值来更新相应晶粒的测试器件总数，灵活性高。灵活性高。灵活性高。

【技术实现步骤摘要】
中心晶粒获取方法及系统、可读存储介质


[0001]本专利技术涉及集成电路设计与制造
，特别涉及一种中心晶粒获取方法及系统、可读存储介质。

技术介绍

[0002]半导体器件模型是连接代工厂和集成电路(IC)设计公司之间的桥梁，只有精准的器件模型才可以保证精准的电路仿真结果。要建立半导体器件模型，工程师通常需要设计专门单独器件(例如MOS器件等)的测试器件，去流片并进行测试，以获取足够多的测试数据，这些测试数据包含足够多的尺寸、能够反应工艺条件的平均和边界的水平。由此可以根据测试数据拟合曲线获取参数列表并保存出去，即可得到可用于SPICE仿真的模型文件。
[0003]例如，在建立MOS器件的Spice模型时，需要在整片晶圆(Wafer)的各个晶粒(die)中均设计一系列不同尺寸的MOS器件，每种尺寸的MOS器件做为一种测试器件(testkey)，并去流片，之后，先进行晶圆地图(Mapping)数据相关的测试，并根据Mapping数据确定中心晶粒(Golden Die)，然后对中心晶粒进行曲线(Curve)数据相关的测试。其中Mapping数据通常是指整片晶圆(Wafer)上的各个测试器件的典型测试参数(如线性区的阈值电压VTLIN，饱和区的阈值电压VTSAT，线性区的开态电流IDLIN，饱和区的开态电流IDSAT，关态电流Idoff等)的测试值，而曲线(Curve)数据则是针对中心晶粒(Golden Die)中的各个测试器件的电流I
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电压V曲线数据和电容C
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电压V曲线数据。而且该方案中，之所以要在Curve数据相关的测试前确定Golden Die，就是为了保证Curve数据尽可能反映工艺和MOS器件的典型特性，即Curve数据尽量接近Mapping数据的中位数(Median)。
[0004]因此，如何基于Mapping数据来精准、快速地获取中心晶粒，是精准、快速建立半导体器件模型的关键之一。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种中心晶粒获取方法及系统、可读存储介质，其能够精准、快速地获取中心晶粒。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种中心晶粒获取方法，包括以下步骤：
[0007]S1，基于晶圆上多个不同的测试器件的Mapping数据，计算出每个测试器件相应的测试参数相对于所有晶粒的中位数；
[0008]S2，将所述晶圆上每个晶粒处的所有所述测试器件的所述测试参数的测试值作为一个测试数组，将每个晶粒的所有所述测试器件的所述测试参数的中位数作为一个中位数组，计算每个晶粒的所述测试参数的测试数组与中位数组的相似度，以得到各个晶粒的相似度；
[0009]S3，计算所述晶圆上每个晶粒处的每个所测试器件的所述测试参数与对应的中位数之间的误差，并基于为所述测试参数设置的误差临界值，统计出各个所述晶粒中满足要求的测试器件总数；
[0010]S4，比较所有晶粒的所述相似度的计算结果和所述测试器件总数的统计结果，当相似度最高的晶粒和所述测试器件总数最大的晶粒一致时，将该晶粒确定为中心晶粒。
[0011]可选地，在步骤S1中为每个测试器件计算得到多个测试参数的中位数；在步骤S2中计算每个晶粒的每个所述测试参数的测试数组与对应的中位数组的相似度，综合每个晶粒的所有所述测试参数的相似度计算结果，得到各个晶粒的相似度。
[0012]可选地，在步骤S1中为每个测试器件计算得到多个测试参数的中位数；在步骤S3中，为不同的所述测试参数设置不同的误差临界值，基于所设置不同的误差临界值综合评估每个晶粒处的各个所述测试器件是否满足要求。
[0013]可选地，当在所述步骤S4中判定所述相似度最高的晶粒与所述测试器件总数最大的晶粒不一致时，重新回到步骤S3，并设置至少一个所述测试参数所对应的误差临界值，以更新相应所述晶粒的所述测试器件总数，直至所述相似度最高的晶粒与所述测试器件总数最大的晶粒一致。
[0014]可选地，通过收紧重要的所述测试参数对应的误差临界值，更新相应所述晶粒的所述测试器件总数。
[0015]可选地，在步骤S2中，按照相似度从高到低的顺序排列所有所述晶粒，以得到第一排名表；在步骤S3中，按照所述测试器件总数从大到小的顺序排列所有所述晶粒，以得到第二排名表；在步骤S4中比较所述第一排名表和所述第二排名表中的第一名是否相同。
[0016]可选地，在步骤S2中，当两个所述晶粒的相似度的差值在第一预设范围内时，认为两个所述晶粒在所述第一排名表中的排名相同；和/或，在步骤S3中，当两个所述晶粒的所述测试器件总数的差值在第二预设范围内时，认为两个所述晶粒在所述第二排名表中的排名相同。
[0017]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种中心晶粒获取系统，包括：
[0018]中位数计算模块，被配置为基于晶圆上多种不同的测试器件的Mapping数据，计算出每种测试器件的每个测试参数相对于所有晶粒的中位数；
[0019]相似度计算模块，被配置为将所述晶圆上每个晶粒处的所有所述测试器件的所述测试参数的测试值作为一个测试数组，将每个晶粒的所有所述测试器件的所述测试参数的中位数作为一个中位数组，计算每个晶粒的所述测试参数的测试数组与中位数组的相似度；
[0020]误差判断模块，被配置为计算所述晶圆上每个晶粒处的每个所测试器件的所述测试参数与对应的中位数之间的误差，并基于为所述测试参数设置的误差临界值，统计出各个所述晶粒中满足要求的测试器件总数；
[0021]中心晶粒确定模块，被配置为比较所有晶粒的所述相似度的计算结果和所述测试器件总数的统计结果，当相似度最高的晶粒和所述测试器件总数最大的晶粒一致时，将该晶粒确定为中心晶粒。
[0022]可选地，所述误差判断模块还被配置为当所述中心晶粒确定模块判定所述相似度最高的晶粒与所述测试器件总数最大的晶粒不一致时，调整至少一个所述测试参数所对应的误差临界值，以更新所述误差判断模块统计的相应所述晶粒的所述测试器件总数。
[0023]可选地，所述的中心晶粒获取系统还包括可视化界面，所述相似度计算模块还用于按照相似度从高到低的顺序排列所有所述晶粒，以得到第一排名表并显示在所述可视化
界面上；和/或，所述误差判断模块还用于按照所述测试器件总数从大到小的顺序排列所有所述晶粒，以得到第二排名表并显示在所述可视化界面上，以及将各个所述测试参数的误差临界值显示在所述可视化界面上。
[0024]基于同一专利技术构思，本专利技术提供一种可读存储介质，其上存储有程序，所述程序被一处理器执行时，用于实现本专利技术所述的中心晶粒获取方法。
[0025]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果之一：
[0026]1、能够自动获取中心晶粒，减少了所需要的大量人力成本，提高效率；
[0027]2、基于相似度和满足设计要求的测试器件总数两种判断条件，能够提高获取中心晶粒的准确性。
[0028]3、能通过调整误差临界值来更新相应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中心晶粒获取方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，基于晶圆上多个不同的测试器件的Mapping数据，计算出每个测试器件相应的测试参数相对于所有晶粒的中位数；S2，将所述晶圆上每个晶粒处的所有所述测试器件的所述测试参数的测试值作为一个测试数组，将每个晶粒的所有所述测试器件的所述测试参数的中位数作为一个中位数组，计算每个晶粒的所述测试参数的测试数组与中位数组的相似度，以得到各个晶粒的相似度；S3，计算所述晶圆上每个晶粒处的每个所测试器件的所述测试参数与对应的中位数之间的误差，统计出各个所述晶粒中满足要求的测试器件总数；S4，比较所有晶粒的所述相似度的计算结果和所述测试器件总数的统计结果，当相似度最高的晶粒和所述测试器件总数最大的晶粒一致时，将该晶粒确定为中心晶粒。2.如权利要求1所述的中心晶粒获取方法，其特征在于，在步骤S1中为每个测试器件计算得到多个测试参数的中位数；在步骤S2中计算每个晶粒的每个所述测试参数的测试数组与对应的中位数组的相似度，综合每个晶粒的所有所述测试参数的相似度计算结果，得到各个晶粒的相似度。3.如权利要求1所述的中心晶粒获取方法，其特征在于，在步骤S1中为每个测试器件计算得到多个测试参数的中位数；在步骤S3中，为不同的所述测试参数设置不同的误差临界值，基于所设置不同的误差临界值综合评估每个晶粒处的各个所述测试器件是否满足要求。4.如权利要求3所述的中心晶粒获取方法，其特征在于，当在所述步骤S4中判定所述相似度最高的晶粒与所述测试器件总数最大的晶粒不一致时，重新回到步骤S3，并设置至少一个所述测试参数所对应的误差临界值，以更新相应所述晶粒的所述测试器件总数，直至所述相似度最高的晶粒与所述测试器件总数最大的晶粒一致。5.如权利要求4所述的中心晶粒获取方法，其特征在于，通过收紧重要的所述测试参数对应的误差临界值，更新相应所述晶粒的所述测试器件总数。6.如权利要求1
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5中任一项所述的中心晶粒获取方法，其特征在于，在步骤S2中，按照相似度从高到低的顺序排列所有所述晶粒，以得到第一排名表；在步骤S3中，按照所述测试器件总数从大到小的顺序排列所有所述晶粒，以得到第二排名表；在步骤S4中比较所述第一排名表...

【专利技术属性】
技术研发人员：周朱琴，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：