反激变换电路与电子设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种反激变换电路，包括：原边输入电路、变压器、副边输出整流电路以及辅助绕组供电电路；所述原边输入电路包括开关管控制单元、第一开关管以及第四电阻，所述辅助绕组供电电路包括第二开关管、第一电容以及第一电阻；所述第一开关管用于：受控于所述开关管控制单元而导通或关断，以通过所述变压器向所述副边输出整流电路输出第一输出电压，以及向所述辅助绕组供电电路输出第二输出电压；所述辅助绕组供电电路用于：通过控制所述第二开关管在第一预设时间内导通，进而控制所述第二输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。定比例。定比例。

【技术实现步骤摘要】
反激变换电路与电子设备


[0001]本技术涉及反激电路领域，尤其涉及一种反激变换电路与电子设备。

技术介绍

[0002]反激电路中，因变压器漏感的存在，导致总输出负载越重时，漏感尖峰电压越高；另各绕组的负载不平衡，输出滤波电容放电时间常数不同，导致各绕组整流管导通时间不相同，负载越轻的绕组整流管导通时间越短，其大部分导通时间都耦合到漏感尖峰电压，导致输出电压偏高。Vcc辅助绕组为IC供电绕组，通常其负载最轻，所以一般表现为Vcc电压随输出负载加重而升高，导致Vcc电压应力过高。
[0003]现有技术中，采用100V的Vcc耐压工艺或增加一级线性稳压电路，进而提高了芯片制造的成本，且不利于芯片集成。此外，在QR反激中，谷底电压一般为Vin
‑
N1*Vo，当输入电压较高或输出电压较低时，谷底电压一般会比较高，导致开通损耗和EMI较差。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种，以解决为了降低Vcc电压导致的芯片制造的成本增加，且不利于芯片集成的问题。
[0005]根据本技术的第一方面，提供了一种反激变换电路，包括：原边输入电路、变压器、副边输出整流电路以及辅助绕组供电电路；所述原边输入电路包括开关管控制单元以及第一开关管，所述辅助绕组供电电路包括第二开关管、第一电容以及第一电阻；
[0006]其中，所述开关管控制单元的输出端连接所述第一开关管的控制端，所述第一开关管的第一端连接所述变压器的第一端，所述第一开关管的第二端接地，所述变压器的第二端连接所述副边输出整流电路的第一端，所述副边输出整流电路的第二端连接一输出电压端，所述变压器的第三端连接所述第一电容的第一端，所述变压器的第四端连接所述第二开关管的第一端，所述第二开关管的第二端连接所述第一电容的第二端，所述第二开关管的控制端连接一驱动电压端，所述第一电阻与所述第一电容并联以及接地；
[0007]所述第一开关管用于：受控于所述开关管控制单元而导通或关断，以通过所述变压器向所述副边输出整流电路输出第一输出电压，以及向所述辅助绕组供电电路输出第二输出电压；
[0008]所述辅助绕组供电电路用于：通过控制所述第二开关管在第一预设时间内导通，进而控制所述第二输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。
[0009]可选的，所述变压器包括初级绕组、次级绕组以及辅助绕组；其中，所述初级绕组的第一端连接所述第一开关管的第一端，所述初级绕组的第二端耦接至所述次级绕组的第一端以及所述辅助绕组的第一端，所述次级绕组的第二端连接所述副边输出整流电路，所述辅助绕组的第二端连接所述辅助绕组供电电路。
[0010]可选的，所述辅助绕组供电电路还被配置为：控制所述第二开关管在第二预设时间内导通，并将通过所述第二输出电压对所述辅助绕组进行反向励磁，以产生励磁电流，进
而将所述第一开关管的第一谷底导通电压信号降低至第二谷底导通电压信号，并输出所述第二谷底导通电压信号。
[0011]可选的，所述辅助绕组的第二端还连接所述开关管控制单元的输入端，所述开关管控制单元还接地；
[0012]所述开关管控制单元被配置为：接收所述第二谷底导通电压信号，并导通所述第一开关管。
[0013]可选的，所述辅助绕组供电电路包括同步整流控制器，所述同步整流控制器的第一端连接所述第二开关管的第一端，所述同步整流控制器的第二端连接所述第二开关管的第二端；
[0014]其中，所述同步整流控制器被配置为：
[0015]当所述第二输出电压大于N2倍的所述第一输出电压时，所述第二开关管流过负电流，以使得所述第二输出电压等于N2倍的所述第一输出电压；
[0016]其中，N2为正数，且N2为所述辅助绕组与所述次级绕组的匝数比。
[0017]可选的，所述副边输出整流电路包括第一二极管、第二电容以及第二电阻；其中，所述第一二极管的正极连接所述次级绕组的第一输出端，所述第一二极管的负极连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述次级绕组的第二输出端，所述第二电阻与所述第二电容并联。
[0018]可选的，所述反激变换电路还包括RCD吸收电路，所述RCD吸收电路包括第三电阻、第三电容以及第三二极管；其中，所述第三电阻的第一端、第二端连接所述第三电容的第一端、第二端，所述第三电容的第二端还连接所述第三二极管的负极，所述第三二极管的正极连接所述第一开关管的第一端。
[0019]可选的，所述RCD吸收电路还包括第三开关管，所述辅助绕组供电电路还包括第二二极管，所述第三开关管的第一端连接所述第三电容的第二端，所述第三开关管的第二端连接所述开关管控制单元，所述第三开关管的控制端连接所述第一开关管的第一端；所述第二二极管的正极连接所述辅助绕组，所述第二二极管的负极连接所述第一电容的第一端；
[0020]其中，所述第三开关管被配置为：吸收所述变压器的漏感并回馈至所述副边输出整流电路以及所述辅助绕组供电电路的输出端，进而降低所述第一开关管的漏源尖峰电压，使得所述第二输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。
[0021]可选的，所述反激变换电路还包括第四电容，所述第四电容的第一端连接所述第三电阻的第一端，所述第四电容的第二端接地。
[0022]根据本技术的第二方面，提供了一种电子设备，包括以上所述的反激变换电路。
[0023]本技术提供的反激变换电路以及电子设备，通过在辅助绕组供电电路设置第二开关管，并控制第二开关管在第一预设时间开通，可解决在反激拓扑中输出重载时电源电压(即第二输出电压)飘高的问题。
[0024]且在优选的实施方式中，本技术通过控制第二开关管在第二预设时间开通，实现第一开关管的更低谷底电压导通，进一步的减小了开通损耗和EMI噪声。
[0025]在其他优选的实施方式中，本技术利用第三开关管对第一开关管进行钳位反
激，降低第一开关管的尖峰电压，进而后续电源电压(即第二输出电压)的输出跟随第一输出电压，避免电源电压出现飘高的问题；此外，第三开关管的钳位反激也实现了第一开关管的更低谷底电压导通，进一步的减小了开通损耗和EMI噪声。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本技术现有技术中反激变换电路的结构示意图；
[0028]图2是本技术现有技术中反激变换电路的电压波形示意图一；
[0029]图3是本技术现有技术中反激变换电路的电压波形示意图二；
[0030]图4是本技术一实施例中反激变换电路的结构示意图一；
[0031]图5是本技术一实施例中反激变换电路的结构示意图二；
[0032本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反激变换电路，其特征在于，包括：原边输入电路、变压器、副边输出整流电路以及辅助绕组供电电路；所述原边输入电路包括开关管控制单元、第一开关管以及第四电阻，所述辅助绕组供电电路包括第二开关管、第一电容以及第一电阻；其中，所述开关管控制单元的输出端连接所述第一开关管的控制端，所述第一开关管的第一端连接所述变压器的第一端，所述第一开关管的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地，所述变压器的第二端连接所述副边输出整流电路的第一端，所述副边输出整流电路的第二端连接一输出电压端，所述变压器的第三端连接所述第一电容的第一端，所述变压器的第四端连接所述第二开关管的第一端，所述第二开关管的第二端连接所述第一电容的第二端，所述第二开关管的控制端连接一驱动电压端，所述第一电阻与所述第一电容并联以及接地；所述第一开关管用于：受控于所述开关管控制单元而导通或关断，以通过所述变压器向所述副边输出整流电路输出第一输出电压，以及向所述辅助绕组供电电路输出第二输出电压；所述辅助绕组供电电路用于：通过控制所述第二开关管在第一预设时间内导通，进而控制所述第二输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。2.根据权利要求1所述的反激变换电路，其特征在于，所述变压器包括初级绕组、次级绕组以及辅助绕组；其中，所述初级绕组的第一端连接所述第一开关管的第一端，所述初级绕组的第二端耦接至所述次级绕组的第一端以及所述辅助绕组的第一端，所述次级绕组的第二端连接所述副边输出整流电路，所述辅助绕组的第二端连接所述辅助绕组供电电路。3.根据权利要求2所述的反激变换电路，其特征在于，所述辅助绕组供电电路还被配置为：控制所述第二开关管在第二预设时间内导通，并将通过所述第二输出电压对所述辅助绕组进行反向励磁，以产生励磁电流，进而将所述第一开关管的第一谷底导通电压信号降低至第二谷底导通电压信号，并输出所述第二谷底导通电压信号。4.根据权利要求3所述的反激变换电路，其特征在于，所述辅助绕组的第二端还连接所述开关管控制单元的输入端，所述开关管控制单元还接地；所述开关管控制单元被配置为：接收所述第二谷底导通电压信号，并导通所述第一开关管。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖海斌，林火荣，覃敏贵，谢长盛，
申请(专利权)人：华源智信半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：