反激变换电路与电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种反激变换电路，包括：原边输入电路、变压器、副边输出整流电路以及辅助绕组供电电路；所述原边输入电路包括开关管控制单元、第一开关管以及第四电阻，所述辅助绕组供电电路包括第二开关管、第一电容以及第一电阻；所述第一开关管用于：受控于所述开关管控制单元而导通或关断，以通过所述变压器向所述副边输出整流电路输出第一输出电压，以及向所述辅助绕组供电电路输出第二输出电压；所述辅助绕组供电电路用于：通过控制所述第二开关管在第一预设时间内导通，进而控制所述第二输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。

【技术实现步骤摘要】
反激变换电路与电子设备


[0001]本专利技术涉及反激电路领域，尤其涉及一种反激变换电路与电子设备。

技术介绍

[0002]反激电路中，因变压器漏感的存在，导致总输出负载越重时，漏感尖峰电压越高；另各绕组的负载不平衡，输出滤波电容放电时间常数不同，导致各绕组整流管导通时间不相同，负载越轻的绕组整流管导通时间越短，其大部分导通时间都耦合到漏感尖峰电压，导致输出电压偏高。Vcc辅助绕组为IC供电绕组，通常其负载最轻，所以一般表现为Vcc电压随输出负载加重而升高，导致Vcc电压应力过高。
[0003]现有技术中，采用100V的Vcc耐压工艺或增加一级线性稳压电路，进而提高了芯片制造的成本，且不利于芯片集成。此外，在QR反激中，谷底电压一般为Vin
‑
N1*Vo，当输入电压较高或输出电压较低时，谷底电压一般会比较高，导致开通损耗和EMI较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种，以解决为了降低Vcc电压导致的芯片制造的成本增加，且不利于芯片集成的问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反激变换电路，其特征在于，包括：原边输入电路、变压器、副边输出整流电路以及辅助绕组供电电路；所述原边输入电路包括开关管控制单元、第一开关管以及第四电阻，所述辅助绕组供电电路包括第二开关管、第一电容以及第一电阻；其中，所述开关管控制单元的输出端连接所述第一开关管的控制端，所述第一开关管的第一端连接所述变压器的第一端，所述第一开关管的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地，所述变压器的第二端连接所述副边输出整流电路的第一端，所述副边输出整流电路的第二端连接一输出电压端，所述变压器的第三端连接所述第一电容的第一端，所述变压器的第四端连接所述第二开关管的第一端，所述第二开关管的第二端连接所述第一电容的第二端，所述第二开关管的控制端连接一驱动电压端，所述第一电阻与所述第一电容并联以及接地；所述第一开关管用于：受控于所述开关管控制单元而导通或关断，以通过所述变压器向所述副边输出整流电路输出第一输出电压，以及向所述辅助绕组供电电路输出第二输出电压；所述辅助绕组供电电路用于：通过控制所述第二开关管在第一预设时间内导通，进而控制所述第二输出电压与所述第一输出电压之间成固定比例。2.根据权利要求1所述的反激变换电路，其特征在于，所述变压器包括初级绕组、次级绕组以及辅助绕组；其中，所述初级绕组的第一端连接所述第一开关管的第一端，所述初级绕组的第二端耦接至所述次级绕组的第一端以及所述辅助绕组的第一端，所述次级绕组的第二端连接所述副边输出整流电路，所述辅助绕组的第二端连接所述辅助绕组供电电路。3.根据权利要求2所述的反激变换电路，其特征在于，所述辅助绕组供电电路还被配置为：控制所述第二开关管在第二预设时间内导通，并将通过所述第二输出电压对所述辅助绕组进行反向励磁，以产生励磁电流，进而将所述第一开关管的第一谷底导通电压信号降低至第二谷底导通电压信号，并输出所述第二谷底导通电压信号。4.根据权利要求3所述的反激变换电路，其特征在于，所述辅助绕组的第二端还连接所述开关管控制单元的输入端，所述开关管控制单元还接地；所述开关管控制单元被配置为：接收所述第二谷底导通电压信号，并导通所述第一开关管。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖海斌，林火荣，覃敏贵，谢长盛，
申请(专利权)人：华源智信半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：