本公开提供了一种发光器件及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。该发光器件，包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层包括空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层位于所述第一电极和所述量子点发光层之间，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料；其中，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料不同；所述第一空穴传输材料为P型共价有机框架材料。本公开可改善电荷传输平衡，提升器件性能。性能。性能。
【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法、显示装置
[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种发光器件及其制作方法、显示装置。
技术介绍
[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)具有发光色纯度高、发光波长可调和溶液加工特性等优势，近年来受到科研界和产业界的极大关注。目前QLED器件通常采用有机空穴传输层以及可交联型小分子空穴传输材料，搭配无机电子传输层氧化锌(ZnO)。然而，有机空穴传输材料的空穴迁移率普遍低于ZnO的电子迁移率，加之量子点(QD)自身较低的价带使得空穴注入势垒明显大于电子注入势垒，最终导致QLED载流子注入不平衡。
[0003]所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0004]本公开的目的在于提供一种发光器件及其制作方法、显示装置，以改善电荷传输平衡，提升器件性能。
[0005]为实现上述专利技术目的，本公开采用如下技术方案：
[0006]根据本公开的第一个方面，提供一种一种发光器件，包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层包括空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层位于所述第一电极和所述量子点发光层之间，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料；
[0007]其中，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料不同；
[0008]所述第一空穴传输材料为P型共价有机框架材料。
[0009]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料满足如下关系：
[0010]‑
6.5eV≤HOMO
HTL1
≤
‑
5.0eV；
[0011]HOMO
HTL2
≤
‑
5.7eV；
[0012]其中，HOMO
HTL1
表示所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，HOMO
HTL2
表示所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一空穴传输材料的空穴迁移率不小于3cm
2 V
‑1s
‑1。
[0014]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的质量之比为(0.1～10)：100。
[0015]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一空穴传输材料由有机框架单元组成，所述有机框架单元包括三苯胺、三亚苯、三苯基苯、芘、卟啉、酞菁、四硫富瓦烯、四苯基甲烷、萘、蒽、并噻吩、苯并二噻吩中的一种或多种。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，所述发光功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述第一电极和所述空穴传输层之间；
[0017]其中，所述空穴注入层的材料、所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料满足如下关系：
[0018]HOMO
HTL2
≤HOMO
HTL1
≤HOMO
HIL
；
[0019]其中，HOMO
HTL1
表示所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；HOMO
HTL2
表示所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；HOMO
HIL
表示所述空穴注入层的材料的最高占据分子轨道能级。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，所述空穴传输层的厚度为20nm
‑
50nm。
[0021]在本公开的一种示例性实施例中，所述空穴传输层由包括所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的混合液形成。
[0022]在本公开的一种示例性实施例中，所述发光功能层还包括电子传输层，所述电子传输层所述第二电极和所述量子点发光层之间；
[0023]所述电子传输层的材料包括无机材料。
[0024]在本公开的一种示例性实施例中，所述电子传输层的材料包括氧化锌。
[0025]根据本公开第二个方面，提供一种发光器件的制作方法，包括：
[0026]提供基底，所述基底包括衬底基板和设于所述衬底基板一侧的第一电极；
[0027]于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层，所述发光功能层包括空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层位于所述第一电极和所述量子点发光层之间；
[0028]其中，形成所述空穴传输层的方法包括：
[0029]混合第一空穴传输材料和第二空穴传输材料获得混合液，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料不同，所述第一空穴传输材料为P型共价有机框架材料；
[0030]涂布所述混合液形成所述空穴传输层。
[0031]根据本公开第三个方面，提供一种显示装置，包括如第一方面所述的发光器件。
[0032]本公开提供的发光器件，空穴传输层包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，第一空穴传输材料为P型共价有机框架材料。P型共价有机框架材料能够构建有效的空穴传输通道以及高的空穴迁移率，可以提升器件的空穴传输能力，进而改善电荷传输平衡，提升器件的性能。
附图说明
[0033]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0034]图1是本公开示例性实施例中发光器件结构示意图。
[0035]图中主要元件附图标记说明如下：
[0036]100
‑
第一电极；310
‑
空穴注入层；320
‑
空穴传输层；330
‑
量子点发光层；340
‑
电子传输层；350
‑
电子阻挡层；200
‑
第二电极；300
‑
发光功能层。
具体实施方式
[0037]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
[0038]在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0039]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层包括空穴传输层和量子点发光层，所述空穴传输层位于所述第一电极和所述量子点发光层之间，所述空穴传输层的材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料；其中，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料不同；所述第一空穴传输材料为P型共价有机框架材料。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料满足如下关系：
‑
6.5eV≤HOMO
HTL1
≤
‑
5.0eV；HOMO
HTL2
≤
‑
5.7eV；其中，HOMO
HTL1
表示所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，HOMO
HTL2
表示所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料的空穴迁移率不小于3cm
2 V
‑1s
‑1。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的质量之比为(0.1～10)：100。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料由有机框架单元组成，所述有机框架单元包括三苯胺、三亚苯、三苯基苯、芘、卟啉、酞菁、四硫富瓦烯、四苯基甲烷、萘、蒽、并噻吩、苯并二噻吩中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述第一电极和所述空穴传输层之间；其中，所述空穴注入层的材料、所述第一空穴传输材料和所述第二空穴...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卫杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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