一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面抛光工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种研磨抛光技术，具体涉及一种表面低损伤磨抛碲锌镉晶片磨抛的方法。所述方法为：将待抛光的碲锌镉晶片固定后先进行水平振动抛光；然后进行水平振动化学抛光；振动抛光时控制振动频率为1000

【技术实现步骤摘要】
一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面抛光工艺方法


[0001]本专利技术涉及一种研磨抛光技术，具体涉及一种表面低损伤磨抛碲锌镉晶片磨抛的方法。

技术介绍

[0002]碲锌镉(Cd1‑
x
Zn
x
Te，CZT)作为一种重要的II
‑
VI族化合物半导体材料，能通过光电效应可将辐射能量转化为电信号。它属于闪锌矿结构，43m点群，空间群，原子间结合以共价键为主，平均原子序数较大、室温下的禁带宽度Eg约为1.57eV、室温下的电阻率ρ＞109Ω
·
cm、电子迁移率μe＞1000cm2/(V
·
s)、寿命τe>10
‑5s、优良的载流子传输特性等特点。现已作为X射线和γ射线探测器材料，广泛应用于医疗、核工业、国土安全、航空航天等领。此外，CZT晶体因为其晶格常数可以随Zn的含量进行连续调控，是HgCdTe红外探测器最理想的衬底材料。
[0003]CZT晶体材料具有硬度低、塑性高等，不同于单晶硅、蓝宝石等硬脆功能晶体材料，是典型的软脆功能晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面抛光工艺方法；其特征在于：将待抛光的碲锌镉晶片固定后先进行水平振动抛光；然后进行水平振动化学抛光；振动抛光时控制振动频率为1000
‑
5000Hz，时间为2
‑
8小时；振动化学抛光时，控制频率为1000
‑
5000Hz，时间为2
‑
8小时；水平振动抛光时所用抛光液由颗粒度为40
‑
65nm的氧化铝抛光粉和去离子水按体积比1:15
‑
25组成；水平振动化学抛光时所用抛光液为硅酸浓度为3
‑
8wt％的硅酸溶液。2.根据权利要求1所述的一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面抛光工艺方法；其特征在于：抛光的碲锌镉晶片通过下述布置制备：先将切片后的晶片，晶片厚度为1
‑
3mm，长宽5
‑
15mm，在研磨机的磨盘靠近边缘处，依次使用1000目进行研磨：研磨机转速为20
‑
50rpm/min，时间为1
‑
2min，待晶片表面条纹方向一致后，旋转90
°
重复上述步骤；确保晶片表面仅有一方向磨痕后，再使用3000目磨盘，重复上述步骤；待晶片表面仅有一个方向的磨痕后，用去离子水或无水乙醇清洗后用高压氮气吹干。3.根据权利要求2所述的一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面抛光工艺方法；其特征在于：将待抛光的碲锌镉晶片镶样后，安装固定在夹具上。在工业上应用时，可使用热/冷镶料将CZT晶片镶嵌为直径24.5
‑
25.5mm的样块，样块高度为20
‑
30mm。4.根据权利要求1所述的一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面抛光工艺方法；其特征在于：振动抛光时所用抛光液由颗粒度为45
‑
55nm的氧化铝抛光粉和去离子水按体积比1:18
‑
22组成。5.根据权利要求1所述的一种软脆材料碲锌镉晶片的低损伤表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：马运柱，黄哲，唐思危，刘文胜，陈柏杉，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：