【技术实现步骤摘要】
一种电压过冲保护电路及集成电路板
[0001]本申请涉及集成电路
,具体而言,涉及一种电压过冲保护电路及集成电路板。
技术介绍
[0002]随着科学技术的不断发展,集成电路技术在各大行业(例如,车载电子产品)的应用越发广泛,而对集成电路板来说,作为功能实现核心的被驱动器件的器件安全问题是影响对应电子产品的生产良品率和使用体验的重要因素。
[0003]目前,常规集成电路板在SMT(Surface Mount Technology,表面组装技术)过程中往往会因生产人员或生产设备所携带的静电,导致常规集成电路板部署的被驱动器件极易在传导的静电作用下受到瞬时过冲电压的强烈冲击,致使对应被驱动器件出现过冲损坏现象。此外,常规集成电路板在实际应用到电子产品后往往也会因工作环境变化出现负载电压突变现象,致使该常规集成电路板上部署的被驱动器件因受到瞬时过冲电压的强烈冲击而出现过冲损坏现象。由此,如何有效避免被驱动器件因受到瞬时过冲电压的强烈冲击而损坏,便是当今提升集成电路板的生产良品率及使用体验时亟需解决的一项重要技术问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本申请的目的在于提供一种电压过冲保护电路及集成电路板,能够对部署在集成电路板上的被驱动器件进行电压过冲保护,确保对应被驱动器件免受瞬时过冲电压的强烈冲击,提升对应被驱动器件的安全可靠性,以有效提升集成电路板的生产良品率及使用体验。
[0005]为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
[0006]第一方面,本申请提供一种 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压过冲保护电路,其特征在于,应用于集成电路板,所述电压过冲保护电路包括电压过冲检测电路、N型MOS管、P型MOS管及分压电阻;所述P型MOS管的源极与所述集成电路板上的器件驱动供电端电性连接,所述P型MOS管的源极经所述分压电阻与所述P型MOS管的栅极电性连接,所述P型MOS管的漏极与所述集成电路板上的被驱动器件电性连接;所述N型MOS管的漏极与所述P型MOS管的栅极电性连接,所述N型MOS管的栅极与所述电压过冲检测电路的电平输出端电性连接,所述N型MOS管的源极接地,其中所述P型MOS管的源极和漏极之间的通断状态与所述N型MOS管的源极和漏极之间的通断状态保持一致;所述电压过冲检测电路的电压检测端与所述器件驱动供电端电性连接,用于对所述器件驱动供电端提供的驱动电压信号进行电压过冲检测,并根据电压过冲检测结果调大或调小被输出给所述N型MOS管的电平大小,以驱使所述N型MOS管的漏极和源极导通或断开。2.根据权利要求1所述的电压过冲保护电路,其特征在于,所述电压过冲检测电路包括过冲检测子电路及电平输出子电路;所述过冲检测子电路的电压输入端作为所述电压过冲检测电路的电压检测端,并与所述器件驱动供电端电性连接,用于检测所述器件驱动供电端提供的驱动电压信号是否超过预设电压值;所述电平输出子电路的电平输出端作为所述电压过冲检测电路的电平输出端,并与所述N型MOS管的栅极电性连接;所述过冲检测子电路的分压输入端与所述电平输出子电路的分压输出端电性连接,所述过冲检测子电路的接地端接地,用于在检测到器件驱动供电端提供的驱动电压信号没有超过预设电压值的情况下,将所述电平输出子电路的分压输出端置于悬空状态,使所述电平输出子电路向所述N型MOS管的栅极输出高电平信号,或者在检测到器件驱动供电端提供的驱动电压信号超过预设电压值的情况下,将所述电平输出子电路的分压输出端置于接地状态,使所述电平输出子电路向所述N型MOS管的栅极输出低电平信号。3.根据权利要求2所述的电压过冲保护电路,其特征在于,所述过冲检测子电路包括第一稳压二极管、第一限流电阻、第二限流电阻及NPN型三极管,其中所述第一稳压二极管的反向击穿电压与所述预设电压值保持一致;所述第一稳压二极管的阴极作为所述过冲检测子电路的电压输入端,并与所述器件驱动供电端电性连接;所述第一稳压二极管的阳极与所述第一限流电阻的一端电性连接,所述第一限流电阻的另一端与所述第二限流电阻的一端电性连接,所述第二限流电阻的另一端接地,所述NPN型三极管的基极与所述第二限流电阻的连接所述第一限流电阻的一端电性连接;所述NPN型三极管的集电极作为所述过冲检测子电路的分压输入端,并与所述电平输出子电路的分压输出端电性连接;所述NPN型三极管的发射极作为所述过冲检测子电路的接地端进行接地;其中,所述NPN型三极管的集电极和发射极在所述第一稳压二极管未被反向击穿时断开,以将所述电平输出子电路的分压输出端置于悬空状态;所述NPN型三极管的集电极和发射极在所述第一稳压二极管被反向击穿时导通,以将所述电平输出子电路的分压输出端置于接地状态。4.根据权利要求2所述的电压过冲保护电路,其特征在于,所述电平输出子电路包括分
压二极管、降压电阻、第一保护电阻及第二保护电...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄志涛,请求不公布姓名,请求不公布姓名,
申请(专利权)人:广州导远电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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