【技术实现步骤摘要】
多晶硅的生产方法
[0001]本专利技术涉及硅石、微硅粉、硅铁、氯化硅和多晶硅的
,具体而言,涉及多晶硅的生产方法。
技术介绍
[0002]二氧化硅的化学式为SiO2,有晶态和无定形两种形态。自然界中存在的二氧化硅如石英、石英砂等统称硅石。硅石是生产工业硅(即金属硅粉)和硅铁(即硅铁合金,又叫矽铁)的主要原料。其中,工业硅的制备主要采用碳热法,即以原矿硅石为原料,石油焦、冶金焦、木炭、木片、低灰煤等为还原剂,在矿热电炉中高温熔炼(1800℃以上),从硅石中还原出金属硅,其为无渣埋弧高温熔炼过程。硅铁合金的制备也主要采用碳热法,即以原矿硅石、钢屑和还原剂(大多使用冶金焦)为原料,经过1500~1800℃高温还原的硅熔于铁液中,即形成硅铁合金,是冶炼行业重要的合金品种。
[0003]微硅粉即硅灰,是矿热电炉冶炼工业硅或硅铁合金时,炉内高温区域的硅石与碳质还原剂在还原气氛下反应产生的SiO、CO及少量金属气体经逸出后迅速氧化冷凝为粒径0.3μm左右的球状亚微米级非晶二氧化硅颗粒。碳热法对原矿硅石的利用率不高,其产生的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.多晶硅的生产方法,包括以下步骤:将硅原料、碳单质和氯气反应生成含有粉尘、气态氯化铁、气态氯化铝、气态氯化硅的烟气,所述硅原料为硅石粉和/或微硅粉;对烟气进行换热处理;去除烟气中的粉尘,输出第一粉体和第一无尘气;使第一无尘气中气态氯化铁冷凝为固态氯化铁,输出第一气固混合物;对第一气固混合物进行气固分离处理,输出第二粉体和第二无尘气;使第二无尘气中气态氯化铝冷凝为固态氯化铝,输出第二气固混合物;对第二气固混合物进行气固分离处理,输出第三粉体和第三无尘气;使第三无尘气中气态氯化硅冷凝为液态氯化硅,输出第一冷凝液和第一不凝气;将液态氯化硅还原为多晶硅。2.如权利要求1所述的多晶硅的生产方法,其特征在于:将硅石粉、碳单质和氯气在1723~2230℃下反应生成所述烟气;或将硅石粉、微硅粉、碳单质和氯气在1723~2000℃下反应生成所述烟气。3.如权利要求2所述的多晶硅的生产方法,其特征在于:所述烟气中还含有气态氯化钛,生产方法还包括步骤:使第三无尘气中的气态氯化硅和气态氯化钛同步冷凝,即所述第一冷凝液中还含有液态氯化钛;或者,首先使第三无尘气中的气态氯化钛冷凝,输出第二冷凝液和第二不凝气;然后使第二不凝气中的气态氯化硅冷凝为液态氯化硅,输出第一冷凝液和第一不凝气。4.如权利要求3所述的多晶硅的生产方法,其特征在于:所述第一无尘气的温度为350~600℃;所述第一气固混合物的温度为230~300℃;所述第一不凝气的温度为0~30℃;当使气态氯化钛和气态氯化硅同步冷凝时,所述第二气固混合物的温度为120~1...
【专利技术属性】
技术研发人员:高麟,樊彬,王绅,
申请(专利权)人:成都易态科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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