氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件技术

本发明专利技术提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明专利技术能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。下裂开的问题。下裂开的问题。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。

技术介绍

[0002]相比于第一代硅和第三代砷化镓，氮化镓器件具有更高的输出功率，是目前射频领域的研究热点和重要发展方向之一。但是随着功率的增大，氮化镓开关和功率放大器散热问题凸显出来，成为制约其发展的瓶颈问题。因此将氮化镓器件转移至高热导率的金刚石是目前解决氮化镓开关和功率放大器散热问题的有效途径之一。
[0003]目前实现氮化镓与金刚石的键合采用以下两种方式：一是氮化镓表面先做完欧姆接触电极、栅电极，然后表面键合临时载片，再进行衬底去除、键合金刚石。由于正面电极的不平整，在与临时载片键合后，氮化镓底部是不平整的，尤其是衬底去除后尤为明显，不平整的底部很难实现与金刚石的良好键合；二是氮化镓材料表面先键合临时载片、去除衬底、背面键合或生长金刚石、去除正面临时载片、最后在正面做氮化镓欧姆接触电极制备。该工艺避免了第一种工艺制备过程中产生的氮化镓底面不平整的问题，但是却引入了新的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法，其特征在于，包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子，所述氮化镓外延片从下至上包括衬底、形核层和氮化镓外延层；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，以便形成隔离台面，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片，露出所述氮化镓外延层的正面；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。2.根据权利要求1所述的氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法，其特征在于，在所述氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入之前，还包括：在氮化镓外延片的正面采用低压力化学气相沉积法生长保护层；在所述氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，包括：在所述保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，以便在所述氮化镓外延层的正面的第一预设区域形成掺杂区；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，包括：在所述保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，包括：在所述保护层的正面键合临时载片。3.根据权利要求2所述的氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiN
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【专利技术属性】
技术研发人员：吕元杰，王元刚，周国，刘方罡，戴剑，周幸叶，王磊，宋学峰，崔玉兴，卜爱民，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：