复合式过压保护器及其在半导体变流设备中的应用制造技术

本发明专利技术涉及过压保护器及其应用，通过将ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－ＴｉＯ↓［２］系高能型氧化锌压敏电阻和ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］系高压型氧化锌压敏电阻按不同的方式组合在一起形成两种过压保护器，该两种过压保护器一种电连接在半导体变流设备交流进线侧，另一种电连接在变流设备直流侧或变流输出侧，在雷击过电压发生时可充分发挥ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］系高压型氧化锌压敏电阻的性能优势，而在操作过电压发生时充分发挥ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－ＴｉＯ↓［２］系高能型氧化锌压敏电阻的性能优势，从而达到既能有效地抑制操作过电压又能有效地抑制雷击过电压的作用，结构简单，易于实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种过压保护器，尤其涉及一种应用在半导体变流设备中的过压 保护器。
技术介绍
半导体变流设备是将电源系统的电压、电流、频率、波形、相数和其他电 量或特性进行变换的电器设备，包括整流器(交流变直流)、逆变器(直流变交 流)、斩波器、交流调压器、变频器和直流—直流变换器等。目前半导体变流设 备已广泛应用于冶金、化工、电力、矿山机械、交通运输等领域。半导体变流 设备的核心功能部件是利用硅半导体技术生产的各种电力半导体器件，包括整 流二极管、晶闸管及其派生型器件、功率晶体管及其派生型器件和髙效电力光 电器件等。由于电力半导体器件承受过电压的能力较差，很短时间的过电压就会把器 件损坏。为使电力半导体器件能够可靠地长期运行，除了充分留有余地合理选 择其额定电压、不重复峰值电压以外，必须针对过电压发生的原因采取恰当的 保护措施。变流设备在运行时会普遍遭遇两种类型的过电压操作过电压和雷击过电 压。操作过电压是由变流设备的拉闸、合闸和在电力半导体器件关断或换相等 电磁过程引起的过电压，其特点是放电时间长(几十毫秒到几秒)、泄放能量大 (lkJ以上)，但电压峰值和放电电流一般不大，这些操本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式过压保护器，其特征在于：它包括ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－ＴｉＯ↓［２］系高能型氧化锌压敏电阻片（ＶＥ）和ＺｎＯ－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］系高压型氧化锌压敏电阻片（ＶＨ），所述的高能型氧化锌压敏电阻片（ＶＥ）的一端与高压型氧化锌压敏电阻片（ＶＨ）的一端相连接并自此共同连接端引出一个有用于与半导体变流设备交流输入侧相电连接的连接端子，自所述的高能型氧化锌压敏电阻片（ＶＥ）的另一端引出有用于与半导体变流设备交流输入侧相电连接的另一个连接端子，自所述的高压型氧化锌压敏电阻片（ＶＨ）的另一端引出一个有用于与大地相电连接的连接端子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙丹峰，朱世良，张宁，王燚，
申请(专利权)人：苏州市电通电力电子有限公司，保定莱特整流器制造有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]