用于助焊剂检测的照射光调整方法及使用该方法的检测设备技术

本发明专利技术公开了一种用于助焊剂检测的照射光调整方法及使用该方法的检测设备，其是依据预先选取的目标范围以取得光源装置的光强度设定组态。目标范围包括被涂布助焊剂的第一目标区及无涂布助焊剂的第二目标区，照射光调整方法包括：资料搜集步骤、资料处理步骤、评估步骤及判定步骤。通过相异的多个照射光强度的分别照射下，取得两个目标区基于影像中的灰阶分布所对应的特征值以及对应的差值。在照射光强度与差值的分布关系中，依据评估步骤来最佳化光强度设定组态，以增进检测效率并提高检测精确性，同时达到检测光源的自动调整。同时达到检测光源的自动调整。

【技术实现步骤摘要】
用于助焊剂检测的照射光调整方法及使用该方法的检测设备


[0001]本专利技术涉及一种照射光调整方法及使用该方法的检测设备，更具体地讲，本专利技术涉及一种用于助焊剂检测的照射光调整方法及使用该方法的检测设备。

技术介绍

[0002]助焊剂(Flux)是一种半导体制造过程中常见的辅助材料，用来确保电子元件(如芯片)的锡球凸点与基板间的接合(bonding)作业正确完成。
[0003]随着半导体制造过程的越趋复杂，先进封装制造过程对于精准度的要求越来越高，使得半导体基板上的助焊剂需要被精确地喷涂。当喷涂过多、喷涂不足或甚至是助焊剂内具有微粒异物时，都容易导致不正确的焊接结果，从而使制造过程合格率下降或对电子元件(如芯片)造成不可逆的破坏性损伤。因此，助焊剂的涂布情况需要被有效检测。
[0004]由于产品种类繁多，待测物本身的特性及对应需被涂布的助焊剂厚度均可能不同，举例来说，不同种类的基板就具有不同的表面反射率。一旦检测的条件没有给予匹配性的配置，就会导致检测设备在助焊剂涂布情况的判断上产生误差。因此，需要针对每种待测产品去最佳化检测设备的设定。
[0005]然而，这样的情形造成了现今检测上的困扰。首先，以往的人工目视的调整方式，在半导体制造过程越趋复杂的情况下，检测的精确度难以提高，导致误差程度的扩大。再者，每当检测不同种类的待测产品时，就需要对应的人工调整，往往造成检测效率的下降。因此，关于助焊剂涂布情况的检测，需要被有效率地进行。

技术实现思路

[0006]本专利技术的专利技术目的之一在于提高助焊剂涂布情况的检测效率。
[0007]本专利技术的另一专利技术目的在于提高助焊剂涂布情况的检测精确性。
[0008]为了实现上述目的及其它目的，本专利技术提出了一种用于助焊剂检测的照射光调整方法，其依据预先选取的目标范围以取得光源装置的一光强度设定组态，所述目标范围包括被涂布助焊剂的第一目标区及无涂布助焊剂的第二目标区，所述照射光调整方法包括：资料搜集步骤、资料处理步骤、评估步骤及判定步骤。资料搜集步骤是基于相异的多个照射光强度的分别照射下，取得所述第一目标区在每一照射光强度下，基于影像中的灰阶分布所对应的第一特征值；以及，取得所述第二目标区在每一照射光强度下，基于影像中的灰阶分布所对应的第二特征值。资料处理步骤是基于各所述照射光强度下对应的所述第一特征值与所述第二特征值之间的差异程度取得对应的一差值，所述多个差值与其对应的照射光强度形成了一分布关系。评估步骤是基于所述分布关系，判定所述多个差值中满足一预设目标差值时所对应的各个照射光强度，并定义为一评估结果。判定步骤判定所述评估结果为所述光强度设定组态。
[0009]在本专利技术的一实施例中，所述第一特征值为所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一影像灰阶值，所述第二特征值为所述第二目标区在每一照射光强度下所对应
的第二影像灰阶值。在所述评估步骤中，可将大于所述预设目标差值的照射光强度定义为所述评估结果。
[0010]在本专利技术的一实施方式中，在所述评估步骤中还包括：前置调整步骤。此步骤是在所述多个第一影像灰阶值及所述多个第二影像灰阶值中，判定出满足一非期望门槛值时所对应的照射光强度，并定义为非供使用的一禁止群，其中，所述评估结果不具有所述禁止群内的任一照射光强度。
[0011]在本专利技术的一实施方式中，在所述评估步骤后还包括：调整步骤。此步骤是基于所述评估结果的各个照射光强度及其对应的灰阶差值，判定所提升的每单位光强度值可增加的灰阶差值的最大者所对应的照射光强度为更新后的所述评估结果。其中，所述判定步骤是以更新后的所述评估结果为所述光强度设定组态。
[0012]在本专利技术的一实施方式中，所述目标范围为一芯片接合区内的区域、所述芯片接合区的边缘区域、所述芯片接合区内的低密度凸点区域及所述芯片接合区内的高密度凸点区域此四者中的其中之一。
[0013]在本专利技术的一实施方式中，所述目标范围为所述芯片接合区内的低密度凸点区域及所述芯片接合区内的高密度凸点区域的二者之一，所述第一特征值为所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一凸点间距，所述第二特征值为所述第二目标区在每一照射光强度下所对应的第二凸点间距，在所述评估步骤中，其将大于所述预设目标差值的照射光强度定义为一初阶评估结果，并去除所述初阶评估结果中的所述多个第一凸点间距或所述多个第二凸点间距大于一预设间距门槛值时所对应的照射光强度，以进一步定义为所述评估结果。其中，所述各个凸点间距是根据所述目标范围内的多个凸点在对应的照射光强度下，于灰阶影像中所取得的平均间距。其中，所述多个第一凸点间距或所述多个第二凸点间距随着照射光强度增加时所具有的变化程度大于20％时，所对应的凸点间距为所述预设间距门槛值。
[0014]在本专利技术的一实施方式中，在所述评估步骤中包括：一前置调整步骤，包括一附加资料搜集步骤、一附加资料处理步骤及一附加调整步骤。其中，所述附加资料搜集步骤是基于相异的所述多个照射光强度的分别照射下，取得所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一凸点数量值，以及取得所述第二目标区在每一照射光强度下所对应的第二凸点数量值。其中，所述附加资料处理步骤是基于所述各个照射光强度下对应的第一与所述第二凸点数量值之间的差异程度取得对应的一凸点数量差值，所述多个凸点数量差值与其对应的照射光强度形成了一分布关系。其中，所述附加调整步骤是在所述多个第一凸点数量值及所述多个第二凸点数量值中判定出满足凸点数量减少时的条件下所对应的照射光强度，并定义为非供使用的一禁止群，其中，所述评估结果不具有所述禁止群内的任一照射光强度。
[0015]在本专利技术的一实施方式中，所述目标范围为所述芯片接合区内的低密度凸点区域及所述芯片接合区内的高密度凸点区域的二者之一，所述第一特征值为所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一凸点间距，所述第二特征值为所述第二目标区在每一照射光强度下所对应的第二凸点间距，在所述评估步骤中，其基于所述多个差值随着照射光强度增加时所对应的一梯度值，于所述梯度值第一次出现大于一梯度门槛值时所对应的差值为所述预设目标差值。
[0016]在本专利技术的一实施方式中，在所述资料搜集步骤中，所述多个照射光强度包括所述光源装置的最低至最高的各个照射光强度。
[0017]在本专利技术的一实施方式中，所述目标范围包括位于第一标准待测物上的所述第一目标区及位于第二标准待测物上的所述第二目标区，在所述资料搜集步骤中，其使所述第一标准待测物及所述第二标准待测物分别受所述多个照射光强度的逐一照射，并取得对应的所述第一特征值及所述第二特征值。
[0018]在本专利技术的一实施方式中，所述目标范围包括位于一标准待测物上的所述第一目标区及所述第二目标区，在所述资料搜集步骤中，使所述第一目标区及所述第二目标区分别受所述多个照射光强度的逐一照射，并取得对应的所述第一特征值及所述第二特征值。
[0019]为了实现上述目的及其它目的，本专利技术还提出一种使用如前述的照射光调整方法的检测设备，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于助焊剂检测的照射光调整方法，其依据预先选取的目标范围取得光源装置的一光强度设定组态，所述目标范围包括被涂布助焊剂的第一目标区及无涂布助焊剂的第二目标区，所述照射光调整方法包括：一资料搜集步骤，基于相异的多个照射光强度的分别照射下，取得所述第一目标区在每一照射光强度下，基于影像中的灰阶分布所对应的第一特征值，以及取得所述第二目标区在每一照射光强度下，基于影像中的灰阶分布所对应的第二特征值；一资料处理步骤，基于所述各个照射光强度下对应的所述第一特征值与所述第二特征值之间的差异程度取得对应的一差值，所述多个差值与其对应的照射光强度形成一分布关系；一评估步骤，基于所述分布关系，判定所述多个差值中满足一预设目标差值时所对应的各个照射光强度，并定义为一评估结果；以及一判定步骤，判定所述评估结果为所述光强度设定组态。2.如权利要求1所述的照射光调整方法，其中，所述第一特征值为所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一影像灰阶值，所述第二特征值为所述第二目标区在每一照射光强度下所对应的第二影像灰阶值，在所述评估步骤中，将大于所述预设目标差值的照射光强度定义为所述评估结果。3.如权利要求2所述的照射光调整方法，其中，在所述评估步骤中还包括：一前置调整步骤，其在所述多个第一影像灰阶值及所述多个第二影像灰阶值中判定出满足一非期望门槛值时所对应的照射光强度，并定义为非供使用的一禁止群，其中，所述评估结果不具有所述禁止群内的任一照射光强度。4.如权利要求3所述的照射光调整方法，其中，在所述评估步骤后还包括：一调整步骤，其基于所述评估结果的各个照射光强度及其对应的灰阶差值，判定所提升的每单位光强度值可增加的灰阶差值的最大者所对应的照射光强度为更新后的所述评估结果，其中，所述判定步骤是以更新后的所述评估结果为所述光强度设定组态。5.如权利要求2所述的照射光调整方法，其中，所述目标范围为一芯片接合区内的区域、所述芯片接合区的边缘区域、所述芯片接合区内的低密度凸点区域及所述芯片接合区内的高密度凸点区域的四者之一。6.如权利要求1所述的照射光调整方法，其中，所述目标范围为所述芯片接合区内的低密度凸点区域及所述芯片接合区内的高密度凸点区域的二者之一，所述第一特征值为所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一凸点间距，所述第二特征值为所述第二目标区在每一照射光强度下所对应的第二凸点间距，在所述评估步骤中，将大于所述预设目标差值的照射光强度定义为一初阶评估结果，并去除所述初阶评估结果中的所述多个第一凸点间距或所述多个第二凸点间距大于一预设间距门槛值时所对应的照射光强度，以进一步定义为所述评估结果，其中，所述各个凸点间距是根据所述目标范围内的多个凸点在对应的照射光强度下，在灰阶影像中所取得的平均间距，其中，所述多个第一凸点间距或所述多个第二凸点间距随着照射光强度增加时所具有的变化程度大于20％时，所对应的凸点间距为所述预设间距门槛值。
7.如权利要求6所述的照射光调整方法，其中，在所述评估步骤中包括：一前置调整步骤，其包括一附加资料搜集步骤、一附加资料处理步骤及一附加调整步骤，其中，所述附加资料搜集步骤是基于相异的所述多个照射光强度的分别照射下，取得所述第一目标区在每一照射光强度下所对应的第一凸点数量值，以及取得所述第二目标区在每一照射光强度下所对应的第二凸点数量值，其中，所述附加资料处理步骤是基于所述各个照射光强度下对应的第一与所述第二凸点数量值之间的差异程度取得对应的一凸点数量差值，所述多个凸点数量差值与其对应的照射光强度形成一分布关系，其中，所述附加调整步骤是在所述多个第一凸点数量值及所述多个第二凸点数量值中判定出...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄介宇，曹荣杰，张巍耀，
申请(专利权)人：致茂电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：