一种电子半导体清洗剂及制法和用法制造技术

一种电子半导体清洗剂，由如下重量百分比的原料组成：碳氢溶剂40％

【技术实现步骤摘要】
一种电子半导体清洗剂及制法和用法


[0001]本专利技术涉及清洗剂领域，更具体地涉及一种环保电子半导体清洗剂。
[0002]本专利技术还涉及上述清洗剂的制备方法。
[0003]本专利技术还涉及上述清洗剂的使用方法。

技术介绍

[0004]在电子半导体焊接中，印刷(PCB)电路板使用焊膏和松香后，电路板上会留下一些固体或粉末残留物，正常情况下不会造成短路。但是在对电路板进行耐压测试时，发现高电压会通过残留物击穿电路板的元器件，或者当电路板存放在低温高湿的环境中时，这些残留物会吸收空气中的水分，从而侵入芯片的金属化层，在电路板表面会产生一层薄薄的水分层，可以降低电路板表面的绝缘电阻。因此常用的助焊剂需要在焊接后予以去除干净。
[0005]一般清洗电路板主要采用水基清洗、半水基清洗和氯化溶剂以及溴丙烷清洗工艺。水基清洗和半水基清洗会产生大量废水废液，危废处理成本高，污染环境，使用成本高；氯化溶剂清洗效果虽然比较好，但是由于其本身有毒，且可能会导致氯离子残留，腐蚀电路，现在已经禁用氯化溶剂；正溴丙烷由于环保问题也在逐渐被限用。
[0006]由于常用的助焊剂中的松香是比较难清除的，现在采用的主流的碳氢清洗剂也由于其本身对焊接剂中松香的溶解力较弱，无法满足助焊剂低残留量的清洗要求。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种能够满足电子半导体要求的清洗力强的环保的清洗剂。
[0008]本专利技术的又一目的在于提供上述清洗剂的制备方法。
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供的电子半导体清洗剂，由如下重量百分比的原料组成：
[0010]碳氢溶剂40％
‑
80％，氢氟醚溶剂20％
‑
60％。
[0011]所述的电子半导体清洗剂，其中，所述碳氢溶剂为C11
‑
C12烷烃溶剂、丙二醇丁醚、乙二醇丁醚、二丙二醇二甲醚、3
‑
甲氧基
‑3‑
甲基丁醇中的任意一种或任意多种，还包括以下一种或两种：咪唑衍生物、烷基为C5
‑
C14中的任意一种膦酸(本专利技术的烷基磷酸优选十二烷基或十四烷基，C5
‑
C14烷基磷酸也有类似效果)。
[0012]所述的电子半导体清洗剂，其中，所述碳氢溶剂的组成及重量百分比为：
[0013]A组：丙二醇丁醚67％
‑
94.9％、二丙二醇二甲醚5％
‑
30％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％；或
[0014]B组：C11
‑
C12烷烃16％
‑
89.9％、丙二醇丁醚5％
‑
70％、二丙二醇二甲醚5％
‑
10％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％、AMINE O0.1
‑
1％；或
[0015]C组：C11
‑
C12烷烃20％
‑
90％、乙二醇丁醚5％
‑
67％、二丙二醇二甲醚5％
‑
10％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％；或
[0016]D组：C11
‑
C12烷烃16％
‑
89.8％、乙二醇丁醚5％
‑
70％、3
‑
甲氧基
‑3‑
甲基丁醇5％
‑
10％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％、AMINE O0.1
‑
1％；或
[0017]E组：丙二醇丁醚46％
‑
89.8％、乙二醇丁醚5％
‑
40％、3
‑
甲氧基
‑3‑
甲基丁醇5％
‑
10％、AMINE O0.1
‑
1％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％。
[0018]所述的电子半导体清洗剂，其中，所述氢氟醚溶剂为四氟乙基三氟乙基醚、甲基九氟丁醚、异丙醇、乙醇中的任意一种、任意两种或任意三种，且异丙醇和乙醇的总比例不超过30％。
[0019]所述的电子半导体清洗剂，其中，所述氢氟醚溶剂的组成及重量百分比为：
[0020]A组：四氟乙基三氟乙基醚70％
‑
97％、异丙醇5％
‑
30％；或
[0021]B组：甲基九氟丁醚70％
‑
99％、乙醇1％
‑
30％；或
[0022]C组：甲基九氟丁醚70％
‑
98％、异丙醇2％
‑
30％；或
[0023]D组：四氟乙基三氟乙基醚70％
‑
97％、乙醇3％
‑
30％；或
[0024]E组：甲基九氟丁醚30％
‑
60％、四氟乙基三氟乙基醚35％
‑
60％、异丙醇5％
‑
10％。
[0025]本专利技术提供的制备上述电子半导体清洗剂的方法，包括以下步骤：
[0026]1)将反应釜洗净干燥，反应釜桶氮气保护；
[0027]2)在常温至45℃条件下，将碳氢溶剂所需原料中的碳氢和醇醚原料先加入到反应釜中，再加入所需的咪唑衍生物和烷基膦酸等原料至反应釜中搅拌使其充分混合均匀，得到碳氢溶剂成品；
[0028]3)将另外一个反应釜洗净干燥，反应釜桶氮气保护；
[0029]4)在25℃以下的温度下，将氢氟醚溶剂所需原料中的醇类原料先加入反应釜，开搅拌，再加入所需的氢氟醚原料至反应釜中，搅拌使其充分混合均匀，得到氢氟醚溶剂成品。
[0030]本专利技术的电子半导体清洗剂的使用方法：
[0031]清洗电子助焊剂、焊锡膏时，第一槽清洗槽为碳氢溶剂浓度为40％
‑
80％，再加入氢氟醚溶剂20％
‑
60％。第二槽漂洗槽为氢氟醚溶剂100％。
[0032]本专利技术的电子半导体清洗剂是将碳氢溶剂和氢氟醚溶剂按比例混合形成新的清洗剂。其中的碳氢溶剂本身对各种油污(包括不限于动、植物油脂)松香、树脂有较强的清洗力，与氢氟醚混合后对电路板上低残留量的助焊剂具有更强的溶解力，清洗效果比单独使用碳氢溶剂更彻底。
[0033]本专利技术的清洗剂挥发后无残留，对金属零件无腐蚀和损伤，与氢氟醚配合可以做到阻燃，极大的降低了火灾风险。
具体实施方式
[0034]以下用若干实施例对本专利技术作进一步的描述。
[0035]为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述。本专利技术可以以许多对不同的形式来实现，并不限于以下所描述的实施列。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0036]除非另有定义，本专利技术所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。在本专利技术的说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子半导体清洗剂，由如下重量百分比的原料组成：碳氢溶剂40％
‑
80％，氢氟醚溶剂20％
‑
60％。2.根据权利要求1所述的电子半导体清洗剂，其中，所述碳氢溶剂为C11
‑
C12烷烃溶剂、丙二醇丁醚、乙二醇丁醚、二丙二醇二甲醚、3
‑
甲氧基
‑3‑
甲基丁醇中的任意一种或任意多种，以及包括以下一种或两种：咪唑衍生物、烷基为C5
‑
C14中的任意一种膦酸。3.根据权利要求1所述的电子半导体清洗剂，其中，所述碳氢溶剂的组成及重量百分比为：A组：丙二醇丁醚67％
‑
94.9％、二丙二醇二甲醚5％
‑
30％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％；或B组：C11
‑
C12烷烃16％
‑
89.9％、丙二醇丁醚5％
‑
70％、二丙二醇二甲醚5％
‑
10％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％、AMINE O0.1
‑
1％；或C组：C11
‑
C12烷烃20％
‑
90％、乙二醇丁醚5％
‑
67％、二丙二醇二甲醚5％
‑
10％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％；或D组：C11
‑
C12烷烃16％
‑
89.8％、乙二醇丁醚5％
‑
70％、3
‑
甲氧基
‑3‑
甲基丁醇5％
‑
10％、十二烷基膦酸0.1％
‑
3％、AMINE O0.1
‑
1％；或E组：丙二醇丁醚46％
‑
89.8％、乙二醇丁醚5％
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴懿，
申请(专利权)人：上海凯清贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：