基板的清洗方法技术

本发明专利技术在一个方式中提供一种基板的清洗方法，其能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。本发明专利技术在一个方式中涉及一种基板的清洗方法，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺；成分B：还原剂；成分C：水。水。水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板的清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用其的基板的清洗方法及电子部件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，在个人电脑、各种电子装置中，低能耗化、处理速度的高速化、小型化正在发展，这些中搭载的封装基板等的布线正在逐年微细化。这种微细布线、及柱、凸块等连接端子的形成迄今为止主要使用金属掩膜法，但因通用性低、或难以应对布线等的微细化，因此正在向其他新方法转变。
[0003]作为新方法之一，已知有使用干膜抗蚀剂作为厚膜树脂掩膜来代替金属掩膜的方法。该树脂掩膜最终会被剥离、除去，作为剥离、除去等的清洗所使用的清洗剂，已知有含有碱剂与水的树脂掩膜剥离用清洗剂。例如，在日本特开2019
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112498号公报(专利文献1)中，为了提供树脂掩膜除去性及连续操作稳定性优异的树脂掩膜剥离清洗方法，公开有使用含有特定的季铵氢氧化物、特定的胺及水的清洗剂组合物的树脂掩膜剥离清洗方法。
[0004]另外，也正在开发抑制清洗后对金属膜质的腐蚀的技术。例如，在日本特开2007
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256955号公报(专利文献2)中，为了提供清洗后对金属膜质无腐蚀、清洗效果等优异的抗蚀剂剥离液清洗用化学清洗组合物，公开有如下抗蚀剂剥离液清洗用化学清洗组合物，其含有选自有机胺系化合物、有机溶剂、三唑系防腐蚀剂、羟基酚类、没食子酸烷基酯类、及还原剂类中的防腐蚀剂及水。

技术实现思路

[0005]本专利技术在一个方式中，涉及一种基板的清洗方法，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。
[0006]成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
[0007]成分B：还原剂
[0008]成分C：水
[0009][化学式1][0010][0011]在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[0012][化学式2][0013][0014]在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[0015]本专利技术在一个方式中，涉及一种电子部件的制造方法，其包括如下工序：使用本专利技术的清洗方法，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。
[0016]本专利技术在一个方式中，涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有下述成分A、下述成分B及下述成分C。
[0017]成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
[0018]成分B：还原剂
[0019]成分C：水
[0020][化学式3][0021][0022]在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[0023][化学式4][0024][0025]在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[0026]本专利技术在一个方式中，涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物用作电子部件的制造中的清洗剂的用途，上述树脂掩膜剥离用清洗剂组合物含有下述成分A、下述成分B及下述成分C。
[0027]成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺
[0028]成分B：还原剂
[0029]成分C：水
[0030][化学式5][0031][0032]在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[0033][化学式6][0034][0035]在上述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
具体实施方式
[0036]关于在印刷基板等上形成微细布线的方面，为了减少树脂掩膜的残存，而且为了减少微细布线或凸块的形成所使用的焊料或镀覆液等所含有的助剂等的残存，对清洗剂组合物要求高的清洗性。
[0037]此处，树脂掩膜是指使用对于显影液的溶解性等物性因光、电子束等发生变化的抗蚀剂所形成的物质。根据与光或电子束的反应方法，抗蚀剂可大致分为负型与正型。负型抗蚀剂具有若曝光则对显影液的溶解性降低的特性，含有负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀层”)在曝光及显影处理后，曝光部被用作树脂掩膜。正型抗蚀剂具有若曝光则对显影液的溶解性增大的特性，含有正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀层”)在曝光及显影处理后，曝光部被除去，未曝光部被用作树脂掩膜。通过使用具有这种特性的树脂掩膜，能够形成金属布线、及金属柱、焊料凸块等电路基板的微细连接部。
[0038]然而，随着布线微细化，除去存在于微细间隙中的树脂掩膜变得困难，对清洗剂组合物要求高的树脂掩膜除去性。另外，由于大多布线、连接端子中使用的铜的腐蚀会导致封装基板的品质及价值降低，因此对清洗剂组合物要求高的防腐蚀能力。此外，清洗后的基板上的残留物会产生阻碍后续工序的蚀刻的问题，因此寻求能够减少该残留物的清洗剂组合物。
[0039]因此，本专利技术提供一种能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加的基板的清洗方法、电子部件的制造方法、及树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。
[0040]本专利技术基于如下见解，即，通过将特定的有机含氮化合物(成分A)与还原剂(成分B)并用，能够抑制铜的腐蚀，并且从基板表面高效地除去树脂掩膜，此外，能够减少清洗后的基板上的残留物。
[0041]本专利技术在一个方式中，涉及一种基板的清洗方法(以下也称为“本专利技术的清洗方法”)，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在
表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。
[0042]成分A：上述式(I)所表示的季铵氢氧化物及上述式(II)所表示的胺
[0043]成分B：还原剂
[0044]成分C：水
[0045]根据本专利技术，可提供一种清洗方法，其能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。并且，通过使用本专利技术的清洗方法，能够以高产率获得高品质的电子部件。进而，通过使用本专利技术的清洗方法，能够高效地制造具有微细的布线图案的电子部件。
[0046]本专利技术的效果表现的作用机制的详情虽有不明确的部分，但作如下推测。
[0047]在本专利技术中，认为特定的有机含氮化合物(成分A)渗透至树脂掩膜内而促进配合至树脂掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板的清洗方法，其包括如下工序：使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物，从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜；成分A：下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺成分B：还原剂成分C：水在所述式(I)中，R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种；在所述式(II)中，R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种，R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种，R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，含铜金属层为镀铜层。3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，树脂掩膜为固化了的抗蚀层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗方法，其中，成分B是选自抗坏血酸及N
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氧化物化合物中的1种以上，所述N
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氧化物化合物包含含氮杂芳环中的至少1个氢原子被羟基取代了的含氮杂芳环。5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗方法，其中，成分B的含量为0.05质量％以上且5质量％以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洗方法，其中，所述基板具有厚度为15μm以上的含铜金属层或含锡金属层。7.根据权利要求1至6中任一项所述的清洗方法，其中，剥离树脂掩膜的工序包括除去存在于微细间隙中的树脂掩膜。8.根据权利要求1至7中任一项所述的清洗方法，其中，在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板经过了进行使用树脂掩膜的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序。9.一种电子部件的制造方法，其包括如下工序：使用权利要求1至8中任一项所述的清洗方法来清洗在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板。10.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有下述成分A、下述成分B及下述成分C：成分A：...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田晃平，郑敬腾，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：