发声装置和穿戴设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发声装置，该发声装置包括：外壳，外壳内设有腔体；双面发声单元，双面发声单元设于腔体内，双面发声单元包括盆架和相对设置的第一振膜组件和第二振膜组件，第一振膜组件、第二振膜组件、盆架与外壳内壁配合限定出相互隔绝的第一前声腔、第二前声腔和后声腔，外壳上设有连通前声腔的第一声管道和第一声孔，连通第二前声腔的第二声管道和第二声孔，以及连通后声腔的第三声孔，其中，所述第一前声腔的体积为V11，所述第一声管道的体积为V12，所述第二前声腔的体积为V21，所述第二声管道的体积为V22，V11

【技术实现步骤摘要】
发声装置和穿戴设备


[0001]本专利技术涉及电声
，特别涉及一种发声装置和穿戴设备。

技术介绍

[0002]外放式音频装置现已广泛应用于如AR、VR和耳机等可穿戴设备中，随着用户使用需求的不断升级，对外放式音频装置的声学性能要求越来越高，不仅要求产品具有良好的低频性能，对高频性能也提出了更高的需求。现有外放式音频装置的设计使得高频快速衰减的频点靠前，高频延展性差，严重影响了音频装置的高频发声效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种发声装置，所述发声装置具有高频延展性宽、高频发声效果好的优点。
[0004]本专利技术还提出一种具有上述发声装置的穿戴设备。
[0005]根据本专利技术的第一方面实施例的发声装置，包括：外壳，所述外壳内设有腔体；双面发声单元，所述双面发声单元设于所述腔体内，所述双面发声单元包括盆架以及相对设置的第一振膜组件和第二振膜组件，所述盆架固定于所述外壳内，所述第一振膜组件和所述第二振膜组件均固定于所述盆架，所述第一振膜组件与所述外壳的内壁配合限定出第一前声腔，所述第二振膜组件与所述外壳的内壁配合限定出第二前声腔，所述盆架、所述第一振膜组件和所述第二振膜组件分别与所述腔体内壁配合限定出后声腔，所述第一前声腔、所述第二前声腔和所述后声腔相互隔绝，所述外壳上设有分别与所述第一前声腔、所述第二前声腔和所述后声腔连通的第一声孔、第二声孔和第三声孔，所述外壳还设有连通所述第一前声腔和所述第一声孔的第一声管道、连通所述第二前声腔和所述第二声孔的第二声管道；其中，所述第一前声腔的体积为V11，所述第一声管道的体积为V12，所述第二前声腔的体积为V21，所述第二声管道的体积为V22，V11
·
V12≠V21
·
V22。
[0006]根据本专利技术第一方面实施例的发声装置，双面发声单元与外壳内壁配合限定出相互隔绝的第一前声腔、第二前声腔和后声腔，外壳设有分别与第一前声腔、第二前声腔和后声腔连通的第一声孔、第二声孔和第三声孔，外壳设有连通第一前声腔和第一声孔的第一声管道，连通第二前声腔和第二声孔的第二声管道，第一前声腔的体积为V11，第二前声腔的体积为V21，第一声管道的体积为V12，第二声管道的体积为V22，其中，V11
·
V12≠V21
·
V22。本专利技术通过限定第一前声腔体积和第一声管道体积的乘积不等于第二前声腔体积和第二声管道体积的乘积，由此使得第一前声腔和第一声管道组成的腔体的共振频率，相比于第二前声腔和第二声管道组成的腔体的共振频率，具有明显差异，由此使得发声装置可产生两个不同的谐振峰，使得高频快速衰减的频点更加延后，进一步提升发声装置的高频延展性，改善发声装置的高频性能。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述第一前声腔和所述第二前声腔满足：V11＝V21，所述第一声管道的延伸长度为L1，所述第一声管道的平均横截面积为S1，所述第二声管道的
延伸长度为L2，所述第二声管道的平均横截面积为S2，其中，所述第一声管道和所述第二声管道满足：L1＝L2，S1≠S2；或，所述第一声管道和所述第二声管道满足：L1≠L2，S1＝S2。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述第一声管道和所述第二声管道满足：V12＝V22，所述第一前声腔和所述第二前声腔满足：V11≠V21。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述第一前声腔和所述第一声管道组成的腔体的共振频率为Fh1，所述第二前声腔和所述第二声管道组成的腔体的共振频率为Fh2，Fh1和Fh2满足关系式：Fh1－Fh2≥1000。
[0010]在本专利技术的一些实施例中，所述第一声管道的延伸长度为L1，所述第一声管道的平均横截面积为S1，所述第二声管道的延伸长度为L2，所述第二声管道的平均横截面积为S2，所述L1、S1、L2、S2、V11和V21满足关系式:且
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述第一声孔和所述第二声孔位于所述发声装置的第一侧面，所述第三声孔位于所述发声装置的第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面相对设置。
[0012]在本专利技术的一些实施例中，所述第一声孔和所述第二声孔发出的声波的相位均与所述第三声孔发出的声波的相位相反且在远场形成偶极子效应。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述双面发声单元包括：磁路系统，所述磁路系统设有磁间隙；第一振动系统和第二振动系统，所述第一振动系统和所述第二振动系统设于所述磁路系统的相对两侧，所述第一振动系统包括所述第一振膜组件和第一音圈，所述第二振动系统包括所述第二振膜组件和第二音圈，所述第一音圈和所述第二音圈位于所述磁路系统的相对两侧且均插设于所述磁间隙。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，所述双面发声单元包括：第一发声单体，所述第一发声单体包括第一磁路系统和第一振动系统，所述第一磁路系统设有第一磁间隙，所述第一振动系统包括所述第一振膜组件和第一音圈，所述第一音圈插设于所述第一磁间隙内；第二发声单体，所述第二发声单体与所述第一发声单体背对设置，所述第二发声单体包括第二磁路系统和第二振动系统，所述第二磁路系统与所述第一磁路系统背对设置且设有第二磁间隙，所述第二振动系统包括所述第二振膜组件和第二音圈，所述第二音圈插设于所述第二磁间隙内。
[0015]根据本专利技术第二方面实施例的穿戴设备，包括根据本专利技术上述第一方面实施例的发声装置。
[0016]根据本专利技术第二方面实施例的穿戴设备，通过设置上述发声装置，即发声装置具有共振频率不同的两个腔体区域，进而能产生两个谐振峰，能够实现拓宽产品高频延展性，进一步改善穿戴设备的高频发声效果，提升用户体验。
[0017]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术一个实施例的发声装置的剖面图；
[0020]图2为本专利技术一个实施例的发声装置与常规产品的仿真曲线对比图。
[0021]附图标记：
[0022]发声装置100；
[0023]外壳1，第一前声腔3，第二前声腔4，后声腔5，第一声管道51，第二声管道52，第一声孔61，第二声孔62，第三声孔63；
[0024]双面发声单元2，第一振膜组件21，第二振膜组件22，盆架23。
[0025]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于，包括：外壳，所述外壳内设有腔体；双面发声单元，所述双面发声单元设于所述腔体内，所述双面发声单元包括盆架以及相对设置的第一振膜组件和第二振膜组件，所述盆架固定于所述外壳内，所述第一振膜组件和所述第二振膜组件均固定于所述盆架，所述第一振膜组件与所述外壳的内壁配合限定出第一前声腔，所述第二振膜组件与所述外壳的内壁配合限定出第二前声腔，所述盆架、所述第一振膜组件和所述第二振膜组件分别与所述腔体内壁配合限定出后声腔，所述第一前声腔、所述第二前声腔和所述后声腔相互隔绝，所述外壳上设有分别与所述第一前声腔、所述第二前声腔和所述后声腔连通的第一声孔、第二声孔和第三声孔，所述外壳还设有连通所述第一前声腔和所述第一声孔的第一声管道、连通所述第二前声腔和所述第二声孔的第二声管道；其中，所述第一前声腔的体积为V11，所述第一声管道的体积为V12，所述第二前声腔的体积为V21，所述第二声管道的体积为V22，V11
·
V12≠V21
·
V22。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一前声腔和所述第二前声腔满足：V11＝V21，所述第一声管道的延伸长度为L1，所述第一声管道的平均横截面积为S1，所述第二声管道的延伸长度为L2，所述第二声管道的平均横截面积为S2，其中，所述第一声管道和所述第二声管道满足：L1＝L2，S1≠S2；或，所述第一声管道和所述第二声管道满足：L1≠L2，S1＝S2。3.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一声管道和所述第二声管道满足：V12＝V22，所述第一前声腔和所述第二前声腔满足：V11≠V21。4.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第一前声腔和所述第一声管道组成的腔体的共振频率为Fh1，所述第二前声腔和所述第二声管道组成的腔体的共振频率为Fh2，Fh1和Fh2满足关系式：Fh1－Fh2≥1000...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苗苗，郭翔，于素真，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：