本发明专利技术提供了一种检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。该基板处理装置包括：支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承并旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元配置为向由该支承单元支承的该基板供应液体；激光单元，该激光单元包括激光照射单元，该激光照射单元向由该支承单元支承的该基板照射激光；初始端口，该初始端口提供该激光单元等待的待机位置；以及移动单元，该移动单元用于在将激光照射至基板的工艺位置与待机位置之间移动激光单元，其中，初始端口从由激光单元照射的激光检测激光的特性。射的激光检测激光的特性。射的激光检测激光的特性。
【技术实现步骤摘要】
检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0189865的韩国专利申请的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本专利技术涉及一种检测单元和包括该检测单元的基板处理装置，更具体地，涉及一种用于检测光特性的检测单元和包括该检测单元的基板处理装置。
技术介绍
[0004]用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是用于将粘附在晶圆上的半导体集成材料刮削成期望图案的初步操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，通过使用掩模(mask)在晶圆上用光绘制图案，该掩模是一种“框架”。当晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的抗蚀剂)暴露于光时，抗蚀剂的化学性质根据光和掩模的图案而改变。当向化学性质根据图案改变的抗蚀剂供应显影剂时，在晶圆上形成图案。
[0005]为了精确地执行曝光工艺，需要精确地制造在掩模上形成的图案。需要检查图案是否在所需的工艺条件下令人满意地形成。在一个掩模上形成了大量图案。因此，为了检查一个掩模，操作员需要花费大量时间来检查所有的大量图案。因此，在掩模上形成了能够表示包括多个图案的一个图案组的监测图案。此外，在掩模上形成了能够表示多个图案组的锚定图案(anchor pattern)。操作者可以通过检查监测图案来估计包括在一个图案组中的图案的质量。此外，操作者可以通过检查锚定图案来估计形成在掩模上的图案的质量。
[0006]此外，为了提高掩模的检查精度，优选的是，监测图案和锚定图案的临界尺寸是相同的。另外，额外地执行了用于精确校正在掩模上形成的图案的线宽的临界尺寸校正工艺。
[0007]图1示出了在掩模制造工艺期间、在执行临界尺寸校正工艺之前相对于掩模的监测图案的第一临界尺寸CDP1和锚定图案的第二临界尺寸CDP2的正态分布。此外，第一临界尺寸CDP1和第二临界尺寸CDP2具有小于目标临界尺寸的尺寸。在执行临界尺寸校正工艺之前，监测模式和锚定模式的临界尺寸(Critical Dimension，CD)存在故意偏差。然后，通过在临界尺寸校正工艺中额外蚀刻锚定图案，使两个图案的临界尺寸相同。当在额外蚀刻锚定图案的工艺中，锚定图案比监测图案被过度蚀刻时，由于监测图案和锚定图案之间的临界尺寸的差异，在掩模上形成的图案的临界尺寸不能被精确校正。当额外蚀刻锚定图案时，需要伴随锚定图案的精确蚀刻。
[0008]为了精确地蚀刻锚定图案，需要精确地控制光指示信息的焦点分布(轮廓(profile))和光功率，诸如光的直径和光的强度。光的焦点分布和光的功率值对在基板M上形成的图案的蚀刻量和相对于在基板M上形成的图形的蚀刻均匀性有很大影响。通常，为了测量光轮廓，安装了仅透射特定波长带的光或阻挡特定波长带光的衰减过滤器。对于通过
衰减过滤器的光，仅能够估计相对功率值，而不能测量绝对光功率值，因此测量精度降低。如果没有精确地测量光轮廓和光功率，则无法准确地蚀刻锚定图案。
技术实现思路
[0009]本专利技术致力于提供一种能够在基板上执行精确蚀刻的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
[0010]本专利技术还致力于提供一种能够检测初始端口(home port)中的光特性的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
[0011]本专利技术还致力于提供一种能够同时测量从初始端口照射的光的光和光功率的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
[0012]本专利技术还致力于提供一种能够精确测量光特性的检测单元以及包括该检测单元的基板处理装置。
[0013]本专利技术还致力于提供一种能够使由于折射光或散射光引起的光轮廓的测量干扰最小化的检测单元和包括该检测单元的基板处理装置。
[0014]本专利技术所要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员将从本说明书和附图清楚地理解未提及的问题。
[0015]本专利技术的示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承和旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元配置为向由支承单元支承的基板供应液体；激光单元，该激光单元包括激光照射单元，该激光照射单元向由该支承单元支承的基板照射激光；初始端口，该初始端口提供激光单元等待的待机位置；以及移动单元，该移动单元用于在将激光照射到基板的工艺位置与待机位置之间移动激光单元，其中，初始端口从由激光单元照射的激光检测激光特性。
[0016]根据示例性实施方案，激光特性可以包括激光的焦点分布和激光的功率。
[0017]根据示例性实施方案，初始端口可以包括：壳体，该壳体具有内部空间；轮廓测量构件，该轮廓测量构件安装在该壳体中并测量该激光的焦点分布；功率测量构件，该功率测量构件安装在该壳体中并测量该激光的功率；以及分光构件，该分光构件用于将从壳体的上部入射的激光分光到轮廓测量构件和功率测量构件。
[0018]根据示例性实施方案，可以抗反射地涂覆分光构件的面向功率测量构件的表面。
[0019]根据示例性实施方案，轮廓测量构件可以安装在壳体的侧壁上，功率测量构件可以安装在壳体的底壁上，分光构件可以设置在壳体的内部空间中，分光构件的上表面可以形成为相对于地面以第一角度向上倾斜，并且分光构件的下表面可以形成为相对于地面以第二角度向上倾斜，以及第二角度可以大于第一角度。
[0020]根据示例性实施方案，从壳体的上部入射的激光的一部分可以从上表面反射并入射到轮廓测量构件，从壳体的上部入射的另一部分可以在上表面上折射并入射到下表面上，并且入射到下表面上的激光可以入射到功率测量构件。
[0021]根据示例性实施方案，入射到功率测量构件的激光的一部分可以被反射并入射到分光构件，并且入射到分光构件的激光可以被折射。
[0022]根据示例性实施方案，基板处理设备还可以包括升降构件，该升降构件安装在初始端口的下端以移动壳体。
[0023]根据示例性实施方案，轮廓测量构件还可以包括滤光器，该滤光器用于过滤特定波长的激光。
[0024]本专利技术的另一示例性实施方案提供了一种用于检测照射到基板的光特性的检测单元，该检测单元包括：壳体，该壳体具有内部空间；轮廓测量构件，该轮廓测量构件安装在壳体中并测量激光特性中激光的焦点分布；功率测量构件，该功率测量构件安装在壳体中并测量激光特性中激光的功率；以及分光构件，该分光构件用于将从壳体的上部入射的激光分光到轮廓测量构件和功率测量构件。
[0025]根据示例性实施方案，轮廓测量构件可以安装在壳体的侧壁上，功率测量构件可以安装在壳体的底壁上，分光构件可以设置在壳体的内部空间，并且可以抗反射地涂覆分光构件的面向功率测量构件的表面。
[0026]根据示例性实施方案，分光构件可以具有上表面和下表面，上表面和下表面的每一者形成为相对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：支承单元，所述支承单元配置为在处理空间中支承并旋转基板；液体供应单元，所述液体供应单元配置为向由所述支承单元支承的所述基板供应液体；激光单元，所述激光单元包括激光照射单元，所述激光照射单元向由所述支承单元支承的所述基板照射激光；初始端口，所述初始端口提供所述激光单元等待的待机位置；以及移动单元，所述移动单元用于在将所述激光照射至所述基板的工艺位置与所述待机位置之间移动所述激光单元，其中，所述初始端口从由所述激光单元照射的所述激光检测所述激光的特性。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述激光所述特性包括所述激光的焦点分布和所述激光的功率。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述初始端口包括：壳体，所述壳体具有内部空间；轮廓测量构件，所述轮廓测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的所述焦点分布；功率测量构件，所述功率测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的所述功率；以及分光构件，所述分光构件用于将从所述壳体的上部入射的所述激光分光到所述轮廓测量构件和所述功率测量构件。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，抗反射地涂覆所述分光构件的面向所述功率测量构件的表面。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述轮廓测量构件安装在所述壳体的侧壁上，所述功率测量构件安装在所述壳体的底壁上，所述分光构件设置在所述壳体的所述内部空间中，所述分光构件的上表面形成为相对于地面以第一角度向上倾斜，并且所述分光构件的下表面形成为相对于所述地面以第二角度向上倾斜，以及所述第二角度大于所述第一角度。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，从所述壳体的所述上部入射的所述激光的一部分从所述上表面反射并入射到所述轮廓测量构件，从所述壳体的所述上部入射的所述激光的另一部分在所述上表面上折射并入射到所述下表面上，并且入射到所述下表面上的所述激光入射到所述功率测量构件。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，入射到所述功率测量构件的所述激光的一部分被反射并入射到所述分光构件，并且入射到所述分光构件的所述激光被折射。8.根据权利要求3所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：升降构件，所述升降构件安装在所述初始端口的下端以移动所述壳体。9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述轮廓测量构件还包括滤光器，所述
滤光器用于过滤特定波长的所述激光。10.一种检测单元，所述检测单元用于检测照射至基板的光的特性，所述检测单元包括：壳体，所述壳体具有内部空间；轮廓测量构件，所述轮廓测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的特性中的所述激光的焦点分布；功率测量构件，所述功率测量构件安装在所述壳体中并测量所述激光的特性中的所述激光的功率；以及分光构件，所述分光构件用于将从所述壳体的上部入射的激光分光到所述轮廓测量构件和所述功率测量构件。11.根据权利要求10所述的检测单元，其中，所述轮廓测量构件安...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹铉，崔基熏，金泰熙，郑智训，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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