低温烘烤装置及低温烘烤系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及低温烘烤装置及低温烘烤系统。低温烘烤装置包括充电触点及充电电路。充电触点包括第一触点和第二触点，充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态。充电电路与第一触点和第二触点连接，充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，第一触点通过第一电路分别连通正极端和接地端，第二触点通过第二电路分别连通正极端和接地端。其中：在充电触点在第一极性状态的情况下，第一电路与正极端和接地端的通路均导通，第二电路与正极端和接地端的通路均关断；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一电路与正极端和接地端的通路均关断，第二电路与正极端的和接地端的通路均导通。路均导通。路均导通。

【技术实现步骤摘要】
低温烘烤装置及低温烘烤系统


[0001]本技术涉及低温烘烤系统
，更具体而言，涉及一种低温烘烤装置及低温烘烤系统。

技术介绍

[0002]现有的低温烘烤系统一般包括可分离的低温烘烤装置及供电装置，低温烘烤装置可插入供电装置进行充电，充电后的低温烘烤装置能够加热气溶胶生成基质以产生供用户使用的气溶胶。目前的低温烘烤装置的充电触点往往设置在某一端的底部，从结构上实现不分方向的充电方式。然而，这种结构限制了低温烘烤装置的充电触点只能设置在底部。

技术实现思路

[0003]基于此，本技术提供一种低温烘烤装置及低温烘烤系统，用于解决充电触点不分连接方向的低温烘烤装置的充电触点位置受限的问题。
[0004]本申请提供的低温烘烤装置包括充电触点及充电电路。充电触点包括第一触点和第二触点，充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态。充电电路与第一触点和第二触点连接，充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，第一触点通过第一电路分别连通正极端和接地端，第二触点通过第二电路分别连通正极端和接地端。在充电触点在第一极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路导通且第一电路与接地端的通路导通，第二电路与正极端的通路关断且第二电路与接地端的通路关断；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路关断且第一电路与接地端的通路关断，第二电路与正极端的通路导通且第二电路与接地端的通路导通。
[0005]在其中一个实施例中，充电电路包括设置于第一电路的第一开关组和设置于第二电路的第二开关组，第一开关组用于切换第一电路的导通或关断状态，第二开关组用于切换第二电路的导通或关断状态。
[0006]在其中一个实施例中，第一开关组包括第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；第一PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极连接，第一PMOS管的源极与正极端连接，第一PMOS管的漏极与第一触点连接；第二NMOS管的栅极与第一触点连接，第二NMOS管的源极与接地端连接，第二NMOS管的漏极与第一PMOS管的栅极连接；第三NMOS管的栅极与第一触点连接，第三NMOS管的源极与接地端连接，第三NMOS管的漏极与第二触点连接；在充电触点在第一极性状态的情况下，第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管均处于打开状态；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管均处于关断状态。
[0007]在其中一个实施例中，第二开关组包括第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管；第四PMOS管的栅极与第五NMOS管的漏极连接，第四PMOS管的源极与正极端连接，第四PMOS管的漏极与第二触点连接；第五NMOS管的栅极与第二触点连接，第五NMOS管的源极与接地端连接，第五NMOS管的漏极与第四PMOS管的栅极连接；第六NMOS管的栅极与第二触点连接，第六NMOS管的源极与接地端连接，第六NMOS管的漏极与第一触点连接；在充电触点在第一极
性状态的情况下，第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管均处于关断状态；在充电触点在第二极性状态的情况下，第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管均处于打开状态。
[0008]在其中一个实施例中，充电电路包括电芯，电芯与正极端和接地端连接，充电触点还包括第三极性状态，在电芯为满电状态下，充电触点处于第三极性状态，第三极性状态是第一触点的对地电压和第二触点的对地电压均为零的状态，在充电触点在第三极性状态的情况下，第一电路和第二电路均关断。
[0009]在其中一个实施例中，充电触点还包括第三触点，第三触点用于与供电装置通信连接，在低温烘烤装置通过第三触点与供电装置通信连接的情况下，低温烘烤装置获取供电装置输出的电压以确定充电触点的极性状态，其中：在第三触点与供电装置通信连接且充电触点在第一极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路导通且第一电路与接地端的通路导通，第二电路与正极端的通路关断且第二电路与接地端的通路关断；在第三触点与供电装置通信连接且充电触点在第二极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路关断且第一电路与接地端的通路关断，第二电路与正极端的通路导通且第二电路与接地端的通路导通。
[0010]本申请提供的低温烘烤系统包括低温烘烤装置及供电装置，供电装置用于为低温烘烤装置供电。低温烘烤装置包括充电触点及充电电路。充电触点包括第一触点和第二触点，充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态。充电电路与第一触点和第二触点连接，充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，第一触点通过第一电路分别连通正极端和接地端，第二触点通过第二电路分别连通正极端和接地端。在充电触点在第一极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路导通且第一电路与接地端的通路导通，第二电路与正极端的通路关断且第二电路与接地端的通路关断；在充电触点在第二极性状态的情况下，第一电路与正极端的通路关断且第一电路与接地端的通路关断，第二电路与正极端的通路导通且第二电路与接地端的通路导通。
[0011]在其中一个实施例中，供电装置包括供电触点和供电电路，供电触点和供电电路收容于底座内，底座设有用于装载低温烘烤装置的安装槽，供电触点从安装槽的表面露出，供电触点位于安装槽的端部，或供电触点位于安装槽的中段。
[0012]在其中一个实施例中，供电装置还包括微处理器，供电触点还包括通信触点，通信触点用于与低温烘烤装置的第三触点通信连接，在通信触点尚未与第三触点通信连接的情况下，微处理器将供电触点切换为断电状态。
[0013]在其中一个实施例中，通信触点还用于获取低温烘烤装置的电芯电量，在电芯为满电状态下，微处理器将供电触点切换为断电状态。
[0014]上述低温烘烤装置及低温烘烤系统对充电电路进行改进，在充电触电中的第一触点和第二触点与供电装置连接时，第一触点和第二触点中的任意一个触点可以作为高电压输入触点，另一个作为低电压输入触点，第一触点和第二触点不存在充电方向接反导致无法充电的问题，以使充电触点可以设置于低温烘烤装置的任意位置与供电装置连接。
附图说明
[0015]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0016]图1为本技术一实施例中的低温烘烤系统的原理框图；
[0017]图2为本技术一实施例中的低温烘烤系统的立体结构示意图；
[0018]图3为本技术一实施例中的充电电路的电路图；
[0019]图4为本技术一实施例中的供电电路的电路图。
具体实施方式
[0020]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[002本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温烘烤装置，其特征在于，所述低温烘烤装置包括：充电触点，包括第一触点和第二触点，所述充电触点至少包括第一极性状态和第二极性状态；及充电电路，所述充电电路与所述第一触点和所述第二触点连接，所述充电电路包括正极端、接地端、第一电路及第二电路，所述第一触点通过所述第一电路分别连通所述正极端和所述接地端，所述第二触点通过所述第二电路分别连通所述正极端和所述接地端，其中：在所述充电触点在所述第一极性状态的情况下，所述第一电路与所述正极端的通路导通且所述第一电路与所述接地端的通路导通，所述第二电路与所述正极端的通路关断且所述第二电路与所述接地端的通路关断；在所述充电触点在所述第二极性状态的情况下，所述第一电路与所述正极端的通路关断且所述第一电路与所述接地端的通路关断，所述第二电路与所述正极端的通路导通且所述第二电路与所述接地端的通路导通。2.根据权利要求1所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述充电电路包括设置于所述第一电路的第一开关组和设置于所述第二电路的第二开关组，所述第一开关组用于切换所述第一电路的导通或关断状态，所述第二开关组用于切换所述第二电路的导通或关断状态。3.根据权利要求2所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述第一开关组包括第一PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极与所述正极端连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一触点连接；所述第二NMOS管的栅极与所述第一触点连接，所述第二NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第三NMOS管的栅极与所述第一触点连接，所述第三NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二触点连接；在所述充电触点在所述第一极性状态的情况下，所述第一PMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管均处于打开状态；在所述充电触点在所述第二极性状态的情况下，所述第一PMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管均处于关断状态。4.根据权利要求2所述的低温烘烤装置，其特征在于，所述第二开关组包括第四PMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管；所述第四PMOS管的栅极与所述第五NMOS管的漏极连接，所述第四PMOS管的源极与所述正极端连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第二触点连接；所述第五NMOS管的栅极与所述第二触点连接，所述第五NMOS管的源极与所述接地端连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的栅极连接；所述第六NMOS管的栅极与所述第二触点连接，所述第六NMOS管的源极与所述接地端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：林乔士，袁永宝，
申请(专利权)人：深圳麦时科技有限公司，
类型：新型
国别省市：