一种切换供电设备的电路及其切换方法技术

技术编号:38105118 阅读:15 留言:0更新日期:2023-07-06 09:26
本发明专利技术提供了切换双路供电设备的电路及其切换方法,包括:并联连接的第一供电模块和第二供电模块,所述第一供电模块包括:依序连接的第一供电设备、路径切换模块以及检测控制模块,所述第二供电模块包括第二供电设备和与所述第二供电设备连接的boost升压模块;所述检测控制模块用于检测所述第一供电设备和所述第二供电模块之间的电位差;所述路径切换模块选择输出电压高的所述第一供电设备或所述第二供电模块为所述电路供电。本发明专利技术通过MOS管、boost升压芯片、比较器形成的供电设备代替传统二极管,不仅提高了供电设备的电路转换效率,同时由于MOS管、boost升压芯片、比较器较低的成本,有效控制了成本。有效控制了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种切换供电设备的电路及其切换方法


[0001]本专利技术属于电路领域,尤其涉及一种切换双路供电设备的电路及其切换方法。

技术介绍

[0002]双路供电设备是现有供电技术中常用的方法,通常包括:双路供电设备直接并联供电、双路供电设备通过二极管供电。但这些方法都存在不同的问题:对于双路供电设备直接并联供电,如果新旧(或满电/低电)电池混用,会出现新电池(或满电)给旧电池(或低电)充电的情况,这时电流会很大,电池发热严重,如果是不可充电电池,则会有严重安全风险;如果是带保护板的可充电电池,则会出现保护板过流保护,导致电池无法给系统供电;对于双路供电设备通过二极管供电,由于二极管的隔离作用,该方案可以正常工作,且无安全风险。但由于二极管压降的存在,会产生额外电能损耗,供电效率不高,而且两路电池的供电优先级不能控制。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的主要目的在于提供了一种切换供电设备的电路及其切换方法,通过MOS管、boost升压芯片、比较器形成的供电设备代替传统二极管,不仅提高了供电设备的电路转换效率,同时由于MOS管、boost升压芯片、比较器较低的成本,有效控制了成本。
[0004]第一方面,提供了一种切换双路供电设备的电路,所述电路包括:
[0005]并联连接的第一供电模块和第二供电模块,所述第一供电模块包括:依序连接的第一供电设备、路径切换模块以及检测控制模块,所述第二供电模块包括第二供电设备和与所述第二供电设备连接的boost升压模块;
[0006]所述检测控制模块用于检测所述第一供电设备和所述第二供电模块之间的电位差;
[0007]所述路径切换模块选择输出电压高的所述第一供电设备或所述第二供电模块为所述电路供电。
[0008]在一个可能的实现方式中,所述检测控制模块用于检测所述第一供电设备和所述第二供电模块之间的电位差,具体包括:
[0009]所述第一供电设备输出的第一电压与经过所述boost升压模块后的所述第二供电模块输出的第二电压之间的电位差。
[0010]在另一个可能的实现方式中,所述路径切换模块根据所述检测控制模块检测到的电位差,选择由所述第一供电设备或所述第二供电模块为所述电路供电,具体包括:
[0011]如果所述检测控制模块检测到所述电路中只包含由所述第一供电设备输出的第一电压,则所述路径切换模块输出低电平,由所述第一供电设备为所述电路供电;或者,
[0012]如果所述检测控制模块检测到所述电路中包含由所述第一供电设备输出的第一电压和所述第二供电模块输出的第二电压,且所述第二供电模块输出的第二电压高于所述第一供电设备输出的第一电压,则所述路径切换模块输出高电平,由所述第二供电模块为
所述电路供电。
[0013]在另一个可能的实现方式中,所述路径切换模块包括:
[0014]并联连接的二极管和MOS管,所述二极管用于在所述第一供电设备接入所述电路时,为所述第一供电设备提供初始电流通路,根据所述初始输入电流在二极管上产生压降,所述MOS管用于根据检测控制模块因所述压降产生的第一电位差输出的低电平,导通第一稳定电流通路;或者,根据因所述boost升压模块产生的第二电位差输出的高电平,导通第二稳定电流通路。
[0015]在另一个可能的实现方式中,所述检测控制模块包括:
[0016]比较器,用于检测所述MOS管两端的电位差,根据所述电位差输出低电平或高电平。
[0017]在另一个可能的实现方式中,所述第一供电设备或第二供电设备为电池或外接电源。
[0018]第二方面,提供了一种切换双路供电设备的方法,所述方法包括:
[0019]检测控制模块获取第一供电设备或第二供电设备在电路中产生的电位差,根据所述电位差产生低电平或高电平;
[0020]路径控制模块根据所述低电平或高电平导通稳定电流通路,包括:在接收到所述低电平时,导通第一稳定电流通路,由所述第一供电设备通过所述第一稳定电流通路为所述电路供电,在接收到所述高电平时,导通第二稳定电流通路,由所述第二供电模块通过所述第二稳定电流通路为所述电路供电。
[0021]在一个可能的实现方式中,所述根据所述电位差产生低电平或高电平,包括:
[0022]如果所述检测控制模块检测到所述电路中只包含由所述第一供电设备产生的第一电位差,则所述路径切换模块输出低电平,由所述第一供电设备为所述电路供电;或者,
[0023]如果所述检测控制模块检测到所述boost升压模块工作,且所述第二供电模块的输出电压高于所述第一供电设备的输出电压,则所述路径切换模块输出高电平,由所述第二供电模块为所述电路供电。
[0024]在另一个可能的实现方式中,所述检测控制模块获取第一供电设备或第二供电设备在电路中产生的电位差,包括:
[0025]当所述第一供电设备接入所述电路时,通过路径切换设备中的二极管产生初始输入电流,通过所述初始输入电流在路径切换设备中的MOS管的两端产生第一电位差,所述检测控制模块获取所述第一电位差;或者,
[0026]当所述第一供电设备和第二供电模块均接入所述电路时,通过所述第一供电设备产生的第一稳定电流和第二供电模块产生的第二稳定电流在所述MOS管的两端产生第二电位差,所述检测控制模块获取所述第二电位差。
[0027]在另一个可能的实现方式中,所述第一供电设备或第二供电设备为电池或外接电源。
[0028]本专利技术具有以下有益效果:通过MOS管、boost升压芯片、比较器形成供电设备,将该供电设备替代传统二极管,不仅提高了供电设备的电路转换效率,同时由于MOS管、boost升压芯片、比较器较低成本的特性,有效节省了成本。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0030]图1为本专利技术一个实施例提供的切换双路供电设备的电路的结构图;
[0031]图2为本专利技术另一个实施例提供的切换双路供电设备的电路的结构图;
[0032]图3为本专利技术再一个实施例提供的切换双路供电设备的电路的结构图;
[0033]图4为本专利技术一个实施例提供的切换双路供电设备的方法的流程图。
[0034]具体实现方式
[0035]下面详细描述本专利技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的模块或具有相同或类似功能的模块。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能解释为对本专利技术的限制。
[0036]本
技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本专利技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、模块和/或组件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、模块、组件和/或它们的组。应该理解,当我们称模块本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切换双路供电设备的电路,其特征在于,所述电路包括:并联连接的第一供电模块和第二供电模块,所述第一供电模块包括:依序连接的第一供电设备、路径切换模块以及检测控制模块,所述第二供电模块包括第二供电设备和与所述第二供电设备连接的boost升压模块;所述检测控制模块用于检测所述第一供电设备和所述第二供电模块之间的电位差;所述路径切换模块选择输出电压高的所述第一供电设备或所述第二供电模块为所述电路供电。2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述检测控制模块用于检测所述第一供电设备和所述第二供电模块之间的电位差,具体包括:所述第一供电设备输出的第一电压与经过所述boost升压模块后的所述第二供电模块输出的第二电压之间的电位差。3.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述路径切换模块根据所述检测控制模块检测到的电位差,选择由所述第一供电设备或所述第二供电模块为所述电路供电,具体包括:如果所述检测控制模块检测到所述电路中只包含由所述第一供电设备输出的第一电压,则所述路径切换模块输出低电平,由所述第一供电设备为所述电路供电;或者,如果所述检测控制模块检测到所述电路中包含由所述第一供电设备输出的第一电压和所述第二供电模块输出的第二电压,且所述第二供电模块输出的第二电压高于所述第一供电设备输出的第一电压,则所述路径切换模块输出高电平,由所述第二供电模块为所述电路供电。4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述路径切换模块包括:并联连接的二极管和MOS管,所述二极管用于在所述第一供电设备接入所述电路时,为所述第一供电设备提供初始电流通路,根据所述初始输入电流在二极管上产生压降,所述MOS管用于根据检测控制模块因所述压降产生的第一电位差输出的低电平,导通第一稳定电流通路;或者,根据因所述boost升压模块产生的第二电位差输出的高电平,导通第二稳定电流通路。5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述检测控制模块包括:比较器,用于检测所述MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄晟罗旭辉商长弘杨道华程波
申请(专利权)人:武汉高德智感科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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