发光显示装置制造方法及图纸

根据本公开内容的示例性实施方式，一种发光显示装置包括：设置在基板上的晶体管；设置在晶体管上的平坦化层；设置在平坦化层上的发光二极管；设置在非发光区域中以限定发光二极管的发光区域的堤层；设置在非发光区域中的氢俘获层；以及设置在堤层和氢俘获层上的封装层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年12月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
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0190968号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开内容涉及发光显示装置，更特别地，涉及减小或抑制氧化物半导体的特性的劣化的发光显示装置。

技术介绍

[0004]随着进入全面信息时代，以视觉方式表达电信息信号的显示装置领域已经得到快速发展，并且正在持续进行研究以改善各种显示装置的性能，例如，厚度薄、重量轻以及功耗低。
[0005]在各种显示装置中，发光显示装置是自发光显示装置，因此不需要单独的光源，这与液晶显示装置不同。因此，发光显示装置可以被制造成具有轻的重量和小的厚度。此外，发光显示装置使用作为自发光装置的发光二极管(LED)，以具有诸如快速的响应速度和大的发光效率、亮度和视角的优点。
[0006]发光显示装置使用多个晶体管将驱动发光二极管的栅极信号和数据信号传输至发光二极管。这样的晶体管包括诸如硅的半导体材料的半导体层。近年来，包括氧化物半导体材料的半导体层的晶体管经常用于发光显示装置，其优点在于优异的装置特性和降低制造成本的简单制造工艺。
[0007]然而，包括氧化物半导体材料的半导体层的晶体管的缺点在于，晶体管的电特性由于氢(H)而劣化。具体地，当包括多个无机层的封装(也就是，封装层)被设置在半导体层上时，封装层的氢扩散到晶体管的半导体层中，使得存在晶体管的阈值电压Vth波动的问题。

技术实现思路

[0008]因此，本公开内容要实现的目的是提供一种发光显示装置，该发光显示装置改进了非发光区域的堤层的结构，使得封装层的氢不会扩散到晶体管上。
[0009]本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解上文未提及的其他目的。
[0010]为了实现上述目的，根据本公开内容的一个方面，一种发光显示装置包括：设置在基板上的晶体管；设置在晶体管上的平坦化层；设置在平坦化层上的发光二极管；设置在非发光区域中以限定发光二极管的发光区域的堤层；设置在非发光区域中的氢俘获层；以及设置在堤层和氢俘获层上的封装层。
[0011]根据本专利技术的另一方面，一种发光显示装置包括：设置在基板上的晶体管；设置在晶体管上的平坦化层；通过在平坦化层上顺序地设置第一电极、发光层和第二电极而形成
的发光二极管；设置在非发光区域中以限定发光二极管的发光区域的堤层；设置在非发光区域的平坦化层上的第一氢俘获层；设置在第一氢俘获层上以与第一氢俘获层交叠的第二氢俘获层；以及设置在堤层和第二氢俘获层上的封装层。
[0012]示例性实施方式的其他细节包含在具体实施方式和附图中。
[0013]根据本公开内容，氢俘获层形成在堤层上，使得封装层中的氢不会影响晶体管，从而提高发光显示装置的可靠性。
[0014]此外，根据本公开内容，具有粗糙表面的氢俘获辅助层(例如，第一氢俘获层)形成在与稳定地与氢耦合的氢俘获层(例如，第二氢俘获层)交叠的区域中。因此，氢俘获层的表面被形成为大的，以提高氢俘获效果。
[0015]根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且更多不同的效果包括在本说明书中。
附图说明
[0016]根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
[0017]图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的示意性平面视图；
[0018]图2是示意性地示出根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的显示区域的一部分的平面视图；
[0019]图3是沿着图1的线III
‑
III
’
截取的示例的示意性截面视图；
[0020]图4是沿着图1的线III
‑
III
’
截取的另一示例的示意性截面视图；
[0021]图5是沿着图1的线III
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III
’
截取的又一示例的示意性截面视图；
[0022]图6是示意性地示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的显示区域的一部分的平面视图；
[0023]图7是示意性地示出图6的一些像素的结构的截面视图；
[0024]图8是示意性地示出根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的显示区域的一部分的平面视图；以及
[0025]图9是示意性地示出根据本公开内容的又一示例性实施方式的发光显示装置的显示区域的一部分的平面视图。
具体实施方式
[0026]通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员能够完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。
[0027]附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由
……
组成”的
术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用也包括复数。
[0028]即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
[0029]当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以位于这两个部件之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
[0030]当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另外的层或另外的元件可以直接置于另一元件或层上或其间。
[0031]尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面要提及的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
[0032]在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。
[0033]附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。
[0034]本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此添附或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立或彼此相关联地执行。
[0035]下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种示例性实施方式。
[0036]图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的平面视图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光显示装置，包括：设置在基板上的晶体管；设置在所述晶体管上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的发光二极管；设置在非发光区域中以限定所述发光二极管的发光区域的堤层；设置在所述非发光区域中的氢俘获层；以及设置在所述堤层和所述氢俘获层上的封装层。2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述氢俘获层由锂Li、钠Na、镁Mg、钾K、钙Ca、钪Sc、钛Ti、钒V、铷Rb、锶Sr、钇Y、锆Zr、铌Nb、铯Cs、钡Ba、镥Lu、铪Hf、钽Ta、镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钐Sm、钆Gd、铽Tb、镝Dy、钬Ho、铒Er、铥Tm、镱Yb、钍Th、镤Pa、铀U、镎Np、钚Pu和镅Am中的一种或它们的合金形成。3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述氢俘获层通过可溶工艺形成。4.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述氢俘获层形成在所述堤层上。5.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述氢俘获层在所述堤层中形成孔以使所述平坦化层的上部暴露之后在所述孔中形成。6.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述氢俘获层在所述所述堤层中形成厚度为所述堤层的厚度一半的孔之后在所述孔中形成。7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述晶体管由氧化物半导体材料形成。8.一种发光显示装置，包括：设置在基板上的晶体管；设置在所述晶体管上的平坦化层；通过在所述平坦化层上顺序地设置第一电极、发光层和第二电极而形成的发光二极管；设置在非发光区域中以限定所述发光二极管的发光区域的堤层；设置在所述非发光区域的平坦化层上的第一氢俘获层；设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李今荣，金正五，俞明在，姜圣浩，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：